NEC電子日前完成了用于建立汽車(chē)音響及導(dǎo)航系統(tǒng)等衛(wèi)星數(shù)字廣播" title="數(shù)字廣播">數(shù)字廣播接收系統(tǒng)的化合物晶體管產(chǎn)品—“NE3510M04”的開(kāi)發(fā)，并將于即日起開(kāi)始發(fā)售樣品。

新產(chǎn)品主要用于可接收衛(wèi)星廣播的低噪音" title="低噪音">低噪音放大器（LNA： Low Noise Amplifier），使用該產(chǎn)品可對(duì)從2GHz到8GHz頻帶的低噪音進(jìn)行放大。?

新產(chǎn)品與NEC電子現(xiàn)有產(chǎn)品相比，將放大信號(hào)時(shí)的噪音降低了0.1 dB，將放大部分的電平提高了1.5dB，有利于降低特性偏差。用戶使用新產(chǎn)品，可以提高汽車(chē)音響、便攜式音樂(lè)播放器等接收信號(hào)的靈敏度，從而擴(kuò)大接收信號(hào)的范圍，實(shí)現(xiàn)接收設(shè)備的小型化、低成本化。?

新產(chǎn)品的樣品價(jià)格為30日元／個(gè)，批量生產(chǎn)將從2007年9月開(kāi)始，初期的生產(chǎn)規(guī)模為10萬(wàn)個(gè)/月，預(yù)計(jì)到2008年生產(chǎn)規(guī)模將達(dá)到100萬(wàn)個(gè)/月。?

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衛(wèi)星數(shù)字廣播服務(wù)始于2001年，它與傳統(tǒng)的AM/FM廣播相比，具有因接收狀況的變化而產(chǎn)生的噪音較少、易實(shí)現(xiàn)高音質(zhì)及多頻道化等眾多優(yōu)勢(shì)。自2001年，XM Satellite Radio與SIRIUS Satellite Radio相繼在北美推出衛(wèi)星數(shù)字音頻廣播服務(wù)（SDARS： Satellite Digital Audio Radio Service）以來(lái)，衛(wèi)星數(shù)字廣播逐步普及起來(lái)。近幾年，隨著越來(lái)越多的便攜式音樂(lè)播放機(jī)中集成了衛(wèi)星數(shù)字廣播的接收功能，使用衛(wèi)星數(shù)字廣播的用戶飛速增長(zhǎng)。截止2007年6月，使用衛(wèi)星數(shù)字廣播的用戶人數(shù)已超過(guò)150萬(wàn)人，今后仍將呈現(xiàn)出高增長(zhǎng)趨勢(shì)。?

受此趨勢(shì)的推動(dòng)，在集成了SDARS接收功能的整機(jī)市場(chǎng)上，對(duì)早日開(kāi)發(fā)出能兼顧接收系統(tǒng)的低成本及高性能的半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求越來(lái)越強(qiáng)烈。?

1990年NEC電子推出了以砷化鎵" title="砷化鎵">砷化鎵(GaAs)為材料的“異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管" title="場(chǎng)效應(yīng)晶體管">場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HJ－FET）”（注1），該產(chǎn)品使用了NEC電子獨(dú)有的工藝技術(shù)，其低噪音性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于普通晶體管。自此以來(lái)，NEC電子就將該領(lǐng)域定位為化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中的重點(diǎn)產(chǎn)品領(lǐng)域之一，并展開(kāi)了積極的推廣活動(dòng)。NEC電子在衛(wèi)星廣播接收用產(chǎn)品中，特別是在衛(wèi)星電視廣播領(lǐng)域，擁有全球70%的市場(chǎng)份額，在該行業(yè)處于絕對(duì)領(lǐng)先的地位。?

NEC電子此次推出的新產(chǎn)品是專(zhuān)門(mén)針對(duì)衛(wèi)星廣播領(lǐng)域開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，因此非常重視低噪音特性。?

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新產(chǎn)品的主要特征如下。?

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（１）低噪音特性及高增益性能均為業(yè)界最高水平?

通過(guò)優(yōu)化外延層" title="外延層">外延層(Epitaxial layer)(注2)結(jié)構(gòu)，使放大信號(hào)時(shí)的噪音與現(xiàn)有產(chǎn)品相比降低了0.1dB，使放大部分的電平提高了1.5dB，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高水平的低噪音特性及高增益性能。?

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（２）可支持較寬的頻率?

可接收從2GHz到8GHz的寬頻帶范圍的信號(hào)，并進(jìn)行放大。?

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（３）使用NEC電子獨(dú)有的異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HJ－FET）技術(shù)?

在此次的產(chǎn)品中，使用了NEC電子獨(dú)有的用n型砷化鎵鋁(AlGaAs)電子供應(yīng)層將砷化鎵銦(InGaAs)溝道層夾在中間的結(jié)構(gòu)。此次，NEC電子不僅通過(guò)使用獨(dú)有的電極形成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超低噪音的異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HJ－FET），還通過(guò)改善外延層的結(jié)構(gòu)及芯片生產(chǎn)條件，降低芯片生產(chǎn)過(guò)程中所產(chǎn)生的特性偏差。?

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NEC電子此次推出的新產(chǎn)品有助于用戶開(kāi)發(fā)出更高性能、低成本的產(chǎn)品。此外，NEC電子還可以為用戶提供用于衛(wèi)星廣播接收設(shè)備的異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HJ－FET）產(chǎn)品、硅鍺（SiGe）晶體管等其他材料的晶體管及各種IC產(chǎn)品等高頻產(chǎn)品，今后，NEC電子還會(huì)為用戶提供將這些器件組合在一起的整體解決方案。?

新產(chǎn)品的規(guī)格請(qǐng)參照附件。?

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（注1）異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Hetero Junction - Field Effect Transistor：HJ-FET）?

利用了帶隙（Band gap）不同的半導(dǎo)體結(jié)合的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的總稱(chēng)。在此次的產(chǎn)品中，NEC電子采用了用n型砷化鎵鋁(AlGaAs)電子供應(yīng)層將銦砷化鎵(InGaAs)溝道層夾在中間的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)為NEC電子獨(dú)有的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)電子濃度和移動(dòng)度較高，可實(shí)現(xiàn)損耗較低的開(kāi)關(guān)IC。?

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（注2）外延層(Epitaxial layer)?

在單結(jié)晶襯底上，根據(jù)襯底的結(jié)晶構(gòu)造，生成單結(jié)晶膜的結(jié)晶膜。?