Z-RAM^? 高密度存儲(chǔ)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)開發(fā)商Innovative Silicon Inc（ISi），與海力士" title="海力士">海力士(Hynix)半導(dǎo)體有限公司（韓國(guó)證券期貨交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已經(jīng)同意在其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管" title="單晶體管">單晶體管位單元，來(lái)替代多個(gè)晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀(jì)70年代初發(fā)明DRAM來(lái)，基本DRAM位單元實(shí)現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。為確保這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，兩家公司已經(jīng)投入相當(dāng)大的工程資源共同開發(fā)該項(xiàng)目。?

Z-RAM最初作為全球成本最低" title="成本最低">成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片，如移動(dòng)芯片組、微處理器、 網(wǎng)絡(luò)和其他消費(fèi)應(yīng)用。2005年12月AMD首次獲得該項(xiàng)技術(shù)授權(quán)，將這項(xiàng)技術(shù)應(yīng)用于微處理器設(shè)計(jì)。目前此次與Hynix的合作，使Z-RAM成為超過(guò)300億美元的存儲(chǔ)器市場(chǎng)中成本最低的存儲(chǔ)器技術(shù)。?

?“ Z-RAM保證提供一種在納米工藝上制造高密度DRAM的最佳方法，” 海力士研發(fā)部副總裁Sung-Joo Hong說(shuō)。“以ISi的 Z-RAM創(chuàng)新為基礎(chǔ)，我們看到了開創(chuàng)全新產(chǎn)品平臺(tái)的潛力，這將幫助我們繼續(xù)保持和擴(kuò)展在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中所處的領(lǐng)先地位?！?

?“ 海力士決定與ISi的合作是對(duì)我們Z-RAM存儲(chǔ)技術(shù)" title="存儲(chǔ)技術(shù)">存儲(chǔ)技術(shù)的實(shí)力和商業(yè)效益的進(jìn)一步肯定，尤其是海力士是存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的主導(dǎo)者，它的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于多種電子設(shè)備中，如個(gè)人電腦、服務(wù)器、工作站、顯卡以及手持設(shè)備，如手機(jī)、MP3播放器和數(shù)碼相機(jī)等，”ISi首席執(zhí)行官M(fèi)ark-Eric Jones說(shuō)。“采用ISi的Z-RAM技術(shù)制成的存儲(chǔ)器芯片尺寸更小，成本更低。我們期待著與海力士在下一代DRAM芯片中的合作，從而為最終用戶帶來(lái)極大的性能和可用性方面的優(yōu)勢(shì)。”?

ISi營(yíng)銷副總裁Jeff Lewis說(shuō)：“我們相信這是ISi和Hynix的重要里程碑。Z-RAM將對(duì)DRAM的設(shè)計(jì)和制造產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。由于2006年DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品銷售超過(guò)330億美元，這樣的發(fā)展將顯著地影響到整個(gè)電子行業(yè)?！?

ISi的Z-RAM與目前標(biāo)準(zhǔn)DRAM和SRAM（靜態(tài)存儲(chǔ)器）方案不同，因?yàn)槠鋯尉w管(1T)位單元結(jié)構(gòu)是全球最小的存儲(chǔ)單元，這使其成為全世界密度最高、成本最低的半導(dǎo)體存儲(chǔ)方案。通過(guò)采用絕緣體上硅結(jié)構(gòu)(SOI)晶圓，Z-RAM的單晶體管存儲(chǔ)位單元可利用電路制造中發(fā)現(xiàn)的浮體效應(yīng)(FBE）而變成現(xiàn)實(shí)。此外，因?yàn)閆-RAM是利用了SOI自然產(chǎn)生的效應(yīng)，在存儲(chǔ)位單元內(nèi)無(wú)須通過(guò)改變外在工藝來(lái)構(gòu)建電容或其它復(fù)雜結(jié)構(gòu)。

關(guān)于Innovative Silicon?

Innovative Silicon Inc.(ISi)是為需要低功耗、高密度和高速度的嵌入式單芯片系統(tǒng)(SoC,）、微處理器（MPU）以及便攜式消費(fèi)應(yīng)用提供超高密度存儲(chǔ)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的公司。2007年1月，其技術(shù)被IEEE Spectrum雜志評(píng)選為優(yōu)勝半導(dǎo)體技術(shù)；并在2007年4月又獲得了ACE新興技術(shù)獎(jiǎng)。ISi的 Z-RAM^? 存儲(chǔ)技術(shù)可為嵌入式DRAM提供多達(dá)兩倍的密度，是嵌入式SRAM密度的五倍。公司于2003年完成了第一輪風(fēng)險(xiǎn)投資融資，并于2004年完成其第一個(gè)" title="第一個(gè)">第一個(gè)90nm制程兆位 Z-RAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，2005年完成其第一個(gè)65nm設(shè)計(jì)，2006年完成第一個(gè)45nm設(shè)計(jì)。通過(guò)擁有20多項(xiàng)已頒布專利，Z-RAM^? 獨(dú)特的單晶體管結(jié)構(gòu)是世界上成本最低的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器方案。公司在美國(guó)成立，并在瑞士洛桑設(shè)立了研發(fā)中心。更多信息請(qǐng)登陸www.z-ram.com?

關(guān)于海力士(Hynix)半導(dǎo)體有限公司?

總部位于韓國(guó)利川的海力士半導(dǎo)體有限公司 (HSI)，是世界頂級(jí)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體供應(yīng)商，公司為許多成功的國(guó)際客戶提供動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAMs)芯片和閃爍存儲(chǔ)器芯片。公司股票在韓國(guó)證券交易所交易，全球存托股票在盧森堡證券交易所上市。更多信息請(qǐng)登陸www.hynix.com?