2025年2月20日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件的48V/120A BMS方案。

　　圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的展示板圖

　　BMS（電池管理系統(tǒng)）被稱為電池保姆或電池管家，其主要功能是智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，監(jiān)控電池運(yùn)行的狀態(tài)、防止其出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電的情況，從而延長(zhǎng)電池的使用壽命。當(dāng)前，市面上的電池管理系統(tǒng)大多數(shù)采用Si MOS設(shè)計(jì)，由于Si MOS具有寄生二極管，必須成對(duì)使用，才能進(jìn)行充/放電電流的控制。為突破此限制，大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件推出48V/120A BMS方案，能夠一顆產(chǎn)品替代兩顆Si MOS，在顯著降低開(kāi)發(fā)成本的同時(shí)，減少PCB占板面積。

　　圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖

　　INV100FQ030C是英諾賽科基于先進(jìn)VGaN技術(shù)自研的雙向?qū)?00V硅基氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管，該產(chǎn)品采用4mm×6mm FCQFN封裝，支持雙向?qū)ê碗p向截止，導(dǎo)通電阻僅為100V/3.2mΩ，且具備無(wú)反向恢復(fù)、超低柵極電荷等特性，適用于BMS管理系統(tǒng)、雙向變換器的高側(cè)負(fù)荷開(kāi)關(guān)、電源系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電路等應(yīng)用。

　　在BMS應(yīng)用中，當(dāng)系統(tǒng)需要正常充電或者正常放電時(shí)，可以通過(guò)在Gate-D1或者Gate-D2之間施加5V驅(qū)動(dòng)電壓，將VGaN完全打開(kāi)，以此實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的充電或者放電。當(dāng)系統(tǒng)需要充電保護(hù)或者放電保護(hù)時(shí)，VGaN的Gate信號(hào)可以被主動(dòng)連接到D1或D2，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)充電關(guān)斷或者放電關(guān)斷，同時(shí)利用VGaN的“體二極管”特性，電路可以實(shí)現(xiàn)充電保護(hù)后放電，或者放電保護(hù)后充電功能，從而可以實(shí)現(xiàn)一顆VGaN替換一對(duì)CHG、DSG MOS的設(shè)計(jì)。

　　圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案的方塊圖

　　在同等100A負(fù)載電流情況下，傳統(tǒng)的Si MOS串并聯(lián)BMS方案需要多達(dá)20顆器件才能達(dá)到所需的性能。而采用基于VGaN器件的BMS方案，僅需8顆產(chǎn)品即可滿足100A溫升需求，不僅將器件數(shù)量減少一半以上，而且在熱性能上也表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。

　　核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

• 小體積：65mm×165mm，PCB占板面積及PCB成本比Si MOS降低40%；

• 兼容性：采用目前主流的低邊AFE進(jìn)行充放電控制，使用專門設(shè)計(jì)的邏輯轉(zhuǎn)換電路兼容當(dāng)前Si方案的CHG/DSG控制邏輯；

• 散熱性能好：綜合考慮VGaN的封裝特點(diǎn)，優(yōu)化PCB布局，實(shí)現(xiàn)最佳散熱性能；

• 雙向?qū)ǎ河⒅Z賽科VGaN（INV100FQ030C）以一顆替代多顆Si MOS，降低成本。

　　方案規(guī)格：

• 電池類型：三元鋰或磷酸鐵鋰；

• 電池串?dāng)?shù)：16串；

• 常規(guī)放電電流：100A（typical）/120A（heatsink）；

• 短路保護(hù)電流：200A。

　　本篇新聞主要來(lái)源自大大通：

　　基于InnoGaN INV100FQ030C設(shè)計(jì)的48V/120A BMS方案

更多精彩內(nèi)容歡迎點(diǎn)擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<