·到 2025 年，750V 和 1200V兩個電壓等級的產(chǎn)品將實現(xiàn)量產(chǎn)，將碳化硅更小、更高效的優(yōu)勢從高端電動汽車擴展到中型和緊湊車型。

·到 2027 年，ST 計劃推出多項碳化硅技術創(chuàng)新，包括一項突破性創(chuàng)新。

2024年9月27日，中國– 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅系統(tǒng)的關鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術。公司計劃在 2027 年前推出更多先進的 SiC 技術創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。

意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS 和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁 Marco Cassis 表示：“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器件、先進封裝和電源模塊方面創(chuàng)新，推進 SiC MOSFET 技術發(fā)展。結合供應鏈垂直整合制造戰(zhàn)略，我們通過提供行業(yè)前沿的 SiC 技術、打造富有韌性的供應鏈，以滿足客戶日益增長的需求，并為更可持續(xù)的未來做出貢獻?！?nbsp;

作為 SiC 功率 MOSFET 的市場領跑者，意法半導體正在進一步推進技術創(chuàng)新，以充分利用 SiC能效和功率密度比硅基器件更高的優(yōu)點。最新一代 SiC 器件旨在改善未來電動汽車電驅逆變器平臺，進一步釋放小型化和節(jié)能潛力。盡管電動汽車市場不斷增長，但要實現(xiàn)廣泛應用仍面臨挑戰(zhàn)，汽車制造商正在探索推出普通消費者都能買得起的電動汽車?；?SiC 的 800V電動汽車平臺電驅系統(tǒng)實現(xiàn)了更快的充電速度，降低了電動汽車的重量，有助于汽車制造商生產(chǎn)續(xù)航里程更長的高端車型。意法半導體的新 SiC MOSFET 產(chǎn)品有750V 和 1200V兩個電壓等級，能夠分別提高 400V 和 800V 電動汽車平臺電驅逆變器的能效和性能。中型和緊湊車型是兩個重要的汽車細分市場。將 SiC的技術優(yōu)勢下探到這兩個市場，有助于讓電動汽車被普羅大眾接受。除了電車外，新一代SiC技術還適用于各種大功率工業(yè)設備，包括太陽能逆變器、儲能解決方案和數(shù)據(jù)中心等日益增長的應用，幫助其顯著提高能源效率。

產(chǎn)品狀態(tài)

意法半導體現(xiàn)已完成第四代 SiC 技術平臺 750V 電壓等級的產(chǎn)前認證，預計將在 2025 年第一季度完成 1200V 電壓等級的認證。標稱電壓為 750V 和 1200V 的產(chǎn)品隨后將上市銷售，從標準市電電壓，到高壓電動汽車電池和充電器，滿足設計人員的各種應用開發(fā)需求。

應用場景

與硅基解決方案相比，意法半導體的第四代 SiC MOSFET 解決方案的能效更高，尺寸更小，重量更輕，續(xù)航更長。這些優(yōu)勢對于實現(xiàn)電動汽車的廣泛應用至關重要。一線電動汽車廠商正與意法半導體達成合作，將第四代 SiC 技術引入他們的新車型，以提高性能和能源效率。雖然主要應用是電動汽車電驅逆變器，但意法半導體的第四代 SiC MOSFET 也同樣適用于大功率工業(yè)電機驅動器，因為新一代產(chǎn)品改進了開關性能和穩(wěn)健性，讓電機控制器變得更高效、更可靠，可降低工業(yè)環(huán)境中的能耗和運營成本。在可再生能源應用中，第四代 SiC MOSFET 可以提高太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的能效，有助于實現(xiàn)可持續(xù)化和成本效益更高的能源解決方案。此外，新一代 SiC MOSFET高能效和緊湊尺寸的技術特性對于解決巨大的功率需求和熱管理挑戰(zhàn)至關重要，適用于 AI 服務器數(shù)據(jù)中心的電源。

技術開發(fā)規(guī)劃

意法半導體通過垂直整合制造戰(zhàn)略加快 SiC 功率器件的開發(fā)，同時還在開發(fā)多項 SiC 技術創(chuàng)新，推動功率器件技術在未來三年內取得重大改進。未來的第五代 SiC 功率器件將采用基于全新工藝的高功率密度創(chuàng)新技術。ST 正在同時開發(fā)一項突破性創(chuàng)新技術，該技術創(chuàng)新有望在高溫下實現(xiàn)更出色的導通電阻 RDS(on) 參數(shù)，在與現(xiàn)有的SiC 技術相比，將進一步降低 RDS(on)。 

ST 將在 2024年ICSCRM科學產(chǎn)業(yè)大會上展示公司在SiC 和其他寬禁帶半導體上取得的最新研發(fā)成果。該活動將于 2024 年 9 月 29 日至 10 月 4 日在北卡羅來納州羅利舉行，包括 ST 技術講解和關于‘High volume industrial environment for leading edge technologies in SiC’(為SiC 前沿技術創(chuàng)造量產(chǎn)工業(yè)環(huán)境”)的主題演講。