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至訊創(chuàng)新512Mb工業(yè)級(jí)NAND閃存量產(chǎn)

業(yè)內(nèi)同等容量最小芯片尺寸
2024-07-03
來源:IT之家

7 月 3 日消息,國內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)至訊創(chuàng)新昨日宣布成功量產(chǎn) 512Mb 高可靠性工業(yè)級(jí) 2D NAND 閃存芯片。

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512Mb 的容量使得這款 2D NAND 閃存芯片可同時(shí)容納系統(tǒng)代碼和用戶數(shù)據(jù),為此后的系統(tǒng)代碼升級(jí)留有足夠空間。

至訊創(chuàng)新表示,這款全新的閃存芯片在完全達(dá)到工業(yè)級(jí)性能和可靠性要求的同時(shí),對(duì)芯片尺寸做了全面優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)同等容量下最小的芯片尺寸,“性價(jià)比優(yōu)勢(shì)凸顯”。

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▲ 至訊創(chuàng)新工業(yè)級(jí) SLC NAND 閃存渲染圖

該閃存芯片支持多比特片上 ECC 糾錯(cuò),擁有至高 10 萬次的擦寫周期,可在-40~+85℃的溫度下工作,滿足嚴(yán)苛工業(yè)級(jí)測試,至訊創(chuàng)新也正在對(duì)該芯片對(duì)應(yīng)的車規(guī)級(jí)版本進(jìn)行驗(yàn)證。

整理至訊創(chuàng)新近年存儲(chǔ)產(chǎn)品發(fā)布信息如下:

2022 年 12 月 13 日:國內(nèi)首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 閃存開發(fā)成功;

2024 年 1 月 15 日:19nm 2D NAND 閃存全面量產(chǎn)。


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