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Vishay推出TrenchFET® 第五代功率MOSFET

器件采用中央柵極結(jié)構(gòu)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封裝，提高系統(tǒng)功率密度，改進(jìn)熱性能
2024-02-23
來源：VISHAY
關(guān)鍵詞： Vishay MOSFET SiSD5300DN

　　美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 - 2024年2月20日 - 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導(dǎo)通電阻僅為0.71 mW，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即開關(guān)應(yīng)用中MOSFET關(guān)鍵的優(yōu)值系數(shù)（FOM）為42 mW*nC，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。

　　日前發(fā)布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同，導(dǎo)通電阻降低18%，提高了功率密度，同時源極倒裝技術(shù)將熱阻從63°C/W降至56°C/W。此外，SiSD5300DN優(yōu)值系數(shù)比上代器件低35%，從而降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。

　　PowerPAK1212-F源極倒裝技術(shù)顛倒通常接地焊盤和源極焊盤的位置，擴(kuò)大接地焊盤面積，提供更有效的散熱路徑，有助于降低工作溫度。同時，PowerPAK 1212-F減小了開關(guān)區(qū)范圍，有助于降低跡線噪聲的影響。另外，PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤尺寸增加了10倍，從0.36mm2提高到4.13 mm2，從而改進(jìn)熱性能。PowerPAK1212-F中央柵極結(jié)構(gòu)還簡化了單層PCB基板多器件并聯(lián)的使用。

　　采用源極倒裝PowerPAK1212-F封裝的SiSD5300DN特別適合二次整流、有源箝位電池管理系統(tǒng)（BMS）、降壓和BLDC轉(zhuǎn)換器、OR-ing FET、電機(jī)驅(qū)動器和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括焊接設(shè)備和電動工具、服務(wù)器、邊緣設(shè)備、超級計算機(jī)、平板電腦、割草機(jī)和掃地機(jī)以及無線電基站。

　　器件經(jīng)過100% RG和UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

　　主要技術(shù)規(guī)格表：

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SiSD5300DN現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為26周。




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