近日，首款國產(chǎn)化 110GHz 電光強度調(diào)制器產(chǎn)品在國家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）研制成功，并獲多家產(chǎn)業(yè)客戶驗證和訂購。

據(jù)介紹，該調(diào)制器以國產(chǎn)薄膜鈮酸鋰芯片為核心，可在 C 和 L 波段工作，具有超高帶寬、超高速率、低啁啾、低驅(qū)動電壓、高線性度等特性，其 3dB 帶寬高達 110GHz，是我國首款帶寬突破 110GHz 的電光調(diào)制器產(chǎn)品，關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達到國際先進水平，將廣泛應(yīng)用于光通信、光互連、光計算、光電測試測量、微波光子等寬帶光電子信息系統(tǒng)。

高速電光調(diào)制器的主要功能是將電信號轉(zhuǎn)換為光信號，是光電子系統(tǒng)不可或缺的核心器件。隨著光電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，對電光調(diào)制器的帶寬、速率上的要求也不斷增加。

武漢東湖國家自主創(chuàng)新示范區(qū)表示，目前，我國僅能研制生產(chǎn)帶寬 40GHz 以內(nèi)的電光調(diào)制器產(chǎn)品，而帶寬超過 67GHz 的電光調(diào)制器被美日等少數(shù)公司壟斷，且價格昂貴，嚴(yán)重威脅產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展。

為盡快補齊我國高端光電子器件供應(yīng)鏈這一短板，國家信息光電子創(chuàng)新中心三年磨一劍，攻克并掌握了超高帶寬調(diào)制器芯片、RF 高性能傳輸基板、高頻電學(xué)互連焊接工藝、管殼腔體諧振抑制等關(guān)鍵技術(shù)，核心芯片和零部件實現(xiàn)全部國產(chǎn)化，今年相繼發(fā)布 40GHz、60GHz 和 90GHz 三款高帶寬光強度調(diào)制器產(chǎn)品，近日又成功實現(xiàn) 110GHz 電光強度調(diào)制器的首次國產(chǎn)化，填補了國內(nèi)空白。該系列產(chǎn)品獲得了國內(nèi)多家產(chǎn)業(yè)用戶和研究院所的驗證和訂購，將有效緩解高端光調(diào)制器的“卡脖子”問題。

▲NOEIC 電光調(diào)制器產(chǎn)品實測光信號眼圖

國家信息光電子創(chuàng)新中心于 2017 年 10 月 31 日獲工信部批準(zhǔn)，落戶武漢“中國光谷”，致力于突破產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵共性技術(shù)瓶頸，促進成果轉(zhuǎn)化，支撐新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

國家信息光電子創(chuàng)新中心是以“公司 + 聯(lián)盟”為形式建立的新型創(chuàng)新載體，號稱由我國信息光電子領(lǐng)域具有雄厚科研實力、豐富資源優(yōu)勢、強大產(chǎn)業(yè)能力的企業(yè)、科研院所、高校、產(chǎn)業(yè)基金等各類創(chuàng)新主體打造。