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國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口暴跌27%,國產(chǎn)設(shè)備現(xiàn)狀如何?

2022-11-25
來源:OFweek電子工程網(wǎng)

據(jù)彭博社11月23日報(bào)道,中國上個(gè)月購買的芯片制造設(shè)備,比一年前下降27%,而10月的采購金額是兩年多以來的最低水平。

中國海關(guān)總署官網(wǎng)上星期五(11月18日)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,10月中國共進(jìn)口半導(dǎo)體制造設(shè)備4226臺,進(jìn)口額約20億3700萬美元,與去年同期相比分別下降39.8%和23.1%。

根據(jù)彭博社對官方貿(mào)易數(shù)據(jù)的分析,10月份來自日本和美國等主要設(shè)備出口國的進(jìn)口量下降,而來自荷蘭的進(jìn)口則增加約一倍,而后者是光刻龍頭ASML的總部所在地。

半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率約36%

目前在國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場上,北方華創(chuàng)和中微公司綜合業(yè)務(wù)能力排在行業(yè)前端,按照營收上看市場占有率名列前茅。從三季報(bào)的業(yè)績來看,北方華創(chuàng)前三季度收入同比增長62.2%,凈利潤同比增長156.1%;中微公司前三季度收入同比增長45.92%,凈利潤3.25億元,同比增長123.91%。從半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域上,看雙方業(yè)務(wù)也有交叉,雙方都在薄膜沉積設(shè)備和刻蝕設(shè)備具備較強(qiáng)競爭力。

今年中報(bào)顯示,國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備上市公司業(yè)績加速增長,從收入增速來看,拓荊科技的收入增長最快,達(dá)到365%,盛美上海、長川科技增速均在70%以上。

此外,國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備上市公司訂單普遍高增長,合同負(fù)債大幅增長。截至2022年二季度末,設(shè)備公司前道設(shè)備的合同負(fù)債普遍延續(xù)增長趨勢,較年初增幅較大的是拓荊科技、芯源微、中微公司、北方華創(chuàng)。

據(jù)了解,天風(fēng)證券以2022年以來規(guī)?;_招標(biāo)的5家晶圓廠為統(tǒng)計(jì)標(biāo)本,2022年1-7月份5家晶圓廠(華虹無錫、積塔半導(dǎo)體、福建晉華、華力集成和華虹宏力)合計(jì)完成國產(chǎn)設(shè)備招標(biāo)230臺,國產(chǎn)化率約36%。

當(dāng)前,國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的進(jìn)展中,最為突出的是:5項(xiàng)集成電路設(shè)備國產(chǎn)化率超過20%。國產(chǎn)化率最高的是去膠機(jī),達(dá)74%;依次是清洗設(shè)備,為31%;氧化擴(kuò)散,29%;離子體干法刻蝕機(jī),國產(chǎn)化率為22%;化學(xué)機(jī)械拋光機(jī),為21%。目前,國內(nèi)廠商在檢測設(shè)備、刻蝕設(shè)備、PVD和CVD設(shè)備、氧化擴(kuò)散設(shè)備等已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了部分國產(chǎn)替代,特別是檢測設(shè)備替代速度較快。

設(shè)備板塊空間廣闊

中國作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者,半導(dǎo)體設(shè)備增速顯著高于全球。根據(jù) SEMI統(tǒng)計(jì),2021 年銷售額增長 58%,達(dá)到 296 億美元,占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模的 28.86%,第二次成為全球半導(dǎo)體設(shè)備的最大市場。

目前全球半導(dǎo)體以美國和日本廠商為主,包括美國的應(yīng)用材料(AMAT)和 泛林半導(dǎo)體(Lam Research),日本的東京電子(TEL)和日立高新(HITACHI)等國際知名企業(yè)。除此以外,荷蘭的ASML憑借光刻機(jī)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色。

據(jù)IC TIME分析,國內(nèi)特別是面向先進(jìn)制程的光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等核心設(shè)備還處于相對空白。國內(nèi)具備光刻機(jī)生產(chǎn)能力的企業(yè)主要是上海微電子裝備有限公司。

國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)以及國家項(xiàng)目的支持,目前能滿足下游晶圓廠商大部分成熟制程(28nm及以上的邏輯芯片等)以及少部分先進(jìn)制程的需求。在28nm及以上的邏輯芯片、128層以下的NAND存儲芯片以及20nm以上的DRAM芯片的主要設(shè)備中,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商實(shí)現(xiàn)了工藝、技術(shù)和產(chǎn)品的大部分覆蓋,包括刻蝕、薄膜沉積、清洗、涂膠顯影等環(huán)節(jié)。

國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在測試機(jī)、分選機(jī)、探針臺等設(shè)備市場具備一定的市場份額優(yōu)勢,在沉積、CMP以及測試機(jī)等核心工藝環(huán)節(jié)已與海外傳統(tǒng)廠商形成了初步的技術(shù)對標(biāo)。以北方華創(chuàng)等為代表的國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司不斷完善產(chǎn)品的平臺化布局。另一方面,以拓荊科技、華海清科等為代表國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司在各自專長的領(lǐng)域內(nèi)已占據(jù)了領(lǐng)先的供應(yīng)份額,不斷夯實(shí)技術(shù)和市場壁壘。

國產(chǎn)替代仍需加足馬力

隨著摩爾定律趨近極限,極尖端的半導(dǎo)體設(shè)備至關(guān)重要且市場廣闊。半導(dǎo)體集成電路的前后道工藝都十分復(fù)雜,涉及多種工藝和設(shè)備。盡管國內(nèi)有北方華創(chuàng)、中微公司等,但是實(shí)際上不同工藝、不同節(jié)點(diǎn)、不同產(chǎn)品,同類設(shè)備差別也很巨大。目前雖能滿足部分成熟制程(28nm以上)的需求,但是14nm以下先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)卻很少,還有很多東西需要補(bǔ)足。

當(dāng)下最為棘手的是光刻機(jī)設(shè)備的研發(fā),雖說上海微電子等企業(yè)在光刻機(jī)領(lǐng)域正進(jìn)行不斷的技術(shù)攻關(guān)探索,但整體實(shí)力與國際龍頭還相距甚遠(yuǎn)。

除了光刻機(jī)之外,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在各自領(lǐng)域的一些先進(jìn)制程環(huán)節(jié)存在短板,包括深溝槽的刻蝕設(shè)備、先進(jìn)的原子層沉積設(shè)備、量測設(shè)備等。國產(chǎn)高端晶圓制造設(shè)備嚴(yán)重不足,光刻機(jī)之外的薄膜沉積設(shè)備、CMP設(shè)備、離子注入機(jī)等前道設(shè)備也都被國外壟斷。

當(dāng)前由于外部諸多限制,中國先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張受限,目前,產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)都在嘗試攻關(guān)半導(dǎo)體核心設(shè)備,但半導(dǎo)體設(shè)備要做到完全國產(chǎn)替代還是有一定難度,比如,光刻機(jī)自身涉及到光源、鏡頭等多個(gè)零組件的難題是一個(gè)系統(tǒng)工程;人才方面,美國、日本、歐洲等地半導(dǎo)體設(shè)備人才優(yōu)勢大,各國都在以提高薪資和補(bǔ)貼的方式吸引及留住人才,而人才的吸引是半導(dǎo)體行業(yè)的核心攻堅(jiān)戰(zhàn),國產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā),在人才上有一定阻礙。



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