8月17日，消息稱(chēng)臺(tái)積電將于今年9月開(kāi)始對(duì)3納米芯片進(jìn)行量產(chǎn)。這下，三星要坐不住了!雖然三星在6月30日稱(chēng)自己已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3納米的量產(chǎn)。不過(guò)，似乎至今都沒(méi)有客戶(hù)預(yù)定的消息。而相比于三星直接硬上全新的「GAAFET」，臺(tái)積電依然采用了舊的「FinFET」技術(shù)。臺(tái)積電的策略是，通過(guò)復(fù)用之前成熟穩(wěn)定的技術(shù)，讓產(chǎn)品穩(wěn)定性更強(qiáng)，更好地控制成本，同時(shí)爭(zhēng)取更多時(shí)間實(shí)現(xiàn)對(duì)GAA晶體管架構(gòu)的優(yōu)化。

報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電將于今年9月開(kāi)始基于N3制造工藝大規(guī)模量產(chǎn)芯片，并于明年年初向客戶(hù)交付首批產(chǎn)品。一般來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電會(huì)在3月至5月開(kāi)始對(duì)新節(jié)點(diǎn)進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)。但N3節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)時(shí)間比平時(shí)要長(zhǎng)，這就是為什么蘋(píng)果即將推出的iPhone芯片將使用不同的節(jié)點(diǎn)。

臺(tái)積電的3納米N3制程在完成技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)后，預(yù)計(jì)第三季度下旬開(kāi)始，投片量會(huì)大幅拉升，而到第四季度，預(yù)計(jì)月投片量將達(dá)上千片水準(zhǔn)，開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)階段。業(yè)內(nèi)人士指出，依據(jù)臺(tái)積電N3制程的試產(chǎn)情況，預(yù)計(jì)量產(chǎn)后的初期良率表現(xiàn)會(huì)比5納米的N5制程初期還好。臺(tái)積電總裁魏哲家也表示，臺(tái)積電的N3制程將具備良好良率，2023年即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并于上半年開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收。

蘋(píng)果將是第一家采用臺(tái)積電3納米投片客戶(hù)。業(yè)界人士指出，蘋(píng)果下半年將首度采用臺(tái)積電3納米芯片，首款產(chǎn)品可能是M2 Pro處理器，而明年包括新款A(yù)17處理器，以及M3系列處理器，都會(huì)采用臺(tái)積電的3納米。

英特爾的GPU和CPU也會(huì)在明年下半年采用臺(tái)積電3納米制程實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其他如FPGA等也會(huì)在明、后年之后采用。AMD雖然在先進(jìn)制程的采用較英特爾落后，但以技術(shù)藍(lán)圖來(lái)看，AMD在明、后年轉(zhuǎn)進(jìn)Zen 5架構(gòu)后，部份產(chǎn)品已確定會(huì)采用臺(tái)積電3納米制程。至于輝達(dá)、聯(lián)發(fā)科、高通、博通等大客戶(hù)，同樣會(huì)在2024年之后完成3納米芯片設(shè)計(jì)并開(kāi)始量產(chǎn)。

相比于基于5nm的N5工藝，N3預(yù)計(jì)將提升10%至15%的性能，降低25%至30%的功耗，以及提高約1.6倍的邏輯密度。技術(shù)方面，臺(tái)積電的3nm仍然使用FinFET鰭型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

臺(tái)積電認(rèn)為，目前的FinFET工藝擁有更好的成本和能耗效率。此外，客戶(hù)在5nm制程的設(shè)計(jì)也能用在3nm制程中，無(wú)需面臨需要重新設(shè)計(jì)產(chǎn)品的問(wèn)題，臺(tái)積電可以保持自身的成本競(jìng)爭(zhēng)力，獲得更多的客戶(hù)訂單。

臺(tái)積電(中國(guó))有限公司副總監(jiān)陳芳在2022年世界半導(dǎo)體大會(huì)上表示，N3(又稱(chēng)3nm)芯片將在今年下半年量產(chǎn)，已經(jīng)對(duì)部分移動(dòng)和HPC(高性能計(jì)算)領(lǐng)域的客戶(hù)交付，如果有手機(jī)的客戶(hù)當(dāng)下采用3nm芯片，明年產(chǎn)品就能問(wèn)世。

臺(tái)積電3nm制程工藝在完成技術(shù)研究以及試產(chǎn)后，預(yù)計(jì)于第三季下旬投片量將會(huì)有一個(gè)大幅度的拉升，而第四季度的投片量會(huì)達(dá)到上千的水準(zhǔn)并且正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

根據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，以目前臺(tái)積電3nm制程工藝的試產(chǎn)情況來(lái)看，預(yù)期進(jìn)入9月量產(chǎn)后，初期的良品率表現(xiàn)會(huì)比此前的5nm制程初期要更好一些。臺(tái)積電總裁兼聯(lián)合行政總裁魏哲家此前也表示過(guò)，臺(tái)積電的N3制程進(jìn)度符合預(yù)期，將在2022年下半年量產(chǎn)并具備良好良品率。在HPC(高性能計(jì)算機(jī)群)和智能手機(jī)相關(guān)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，N3制程2023年將穩(wěn)定量產(chǎn)，并于2023年上半年開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收。

而在3nm制程的加強(qiáng)版上，臺(tái)積電表示其研發(fā)成果也要優(yōu)于預(yù)期，將具有更好的效能、功耗以及良品率，能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)以及HPC相關(guān)應(yīng)用在3nm時(shí)代提供完整的平臺(tái)支持，而N3E制程也預(yù)計(jì)在2023年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。目前已經(jīng)確認(rèn)蘋(píng)果將成為臺(tái)積電3nm工藝的首位客戶(hù)，或?qū)⒃贛2Pro上首發(fā)該工藝芯片。

同時(shí)有消息表明，原先臺(tái)積電的3nm客戶(hù)為英特爾，但由于英特人的MeteorLake核顯訂單延期，此舉大幅沖擊臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，造成3nm制程自今年下半年至明年首波客戶(hù)僅剩蘋(píng)果，產(chǎn)品包含M系列芯片及A17Bionic芯片。因此，臺(tái)積電已決議放緩其擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度，以確保產(chǎn)能不會(huì)因過(guò)度閑置而導(dǎo)致成本壓力。

業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)，明年下半年英特爾也將嘗試采用3nm芯片，而高通、聯(lián)發(fā)科等企業(yè)則會(huì)在明年以及后面逐漸完成3nm芯片的研發(fā)，并應(yīng)用到新款產(chǎn)品上。而三星在早先已經(jīng)全球首發(fā)了3nm制程工藝芯片，并且在韓國(guó)的華城工廠大規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片，與前幾代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶體管架構(gòu)，能極大改善芯片的功率以及效率。

與之前的5nm相比，新一代的3nm制程工藝降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同時(shí)減少16%的面積。三星還宣稱(chēng)，第二代的3nmGAA制造工藝也尚在研發(fā)中，下一代工藝將使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并減少35%的面積。三星電子表示，其GAA晶體管芯片將會(huì)應(yīng)用于高性能、低功耗的計(jì)算領(lǐng)域，并計(jì)劃拓展到移動(dòng)處理器。

不知道在此前幾代工藝上失利的三星是否能在3nm時(shí)代找補(bǔ)回來(lái)，雖然已經(jīng)首發(fā)了3nm工藝，但是在整個(gè)工藝的良品率上還不足以引起臺(tái)積電的警惕。目前來(lái)看，臺(tái)積電依舊有幾率領(lǐng)跑整個(gè)3nm時(shí)代，這從高通轉(zhuǎn)投臺(tái)積電也能看出。8 月 18 日消息，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電 3nm(N3)制程在完成技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)后，預(yù)計(jì)第三季下旬投片量開(kāi)始大幅拉升，第四季月投片量將達(dá)上千片水準(zhǔn)，開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)階段。

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者指出，以臺(tái)積電 N3 制程試產(chǎn)情況來(lái)看，預(yù)期 9 月進(jìn)入量產(chǎn)后，初期良品率表現(xiàn)會(huì)比之前 5nm(N5)制程的初期更好。

臺(tái)積電總裁兼聯(lián)合行政總裁魏哲家此前也表示過(guò)，臺(tái)積電的 N3 制程進(jìn)度符合預(yù)期，將在 2022 年下半年量產(chǎn)并具備良好良品率。在 HPC(高性能計(jì)算機(jī)群)和智能手機(jī)相關(guān)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，N3 制程 2023 年將穩(wěn)定量產(chǎn)，并于 2023 年上半年開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收。

同時(shí)，N3E(3nm 加強(qiáng)版)制程將作為臺(tái)積電 3nm 家族的延伸，其研發(fā)成果也優(yōu)于預(yù)期，具有更好的效能、功耗和良品率，將為智能手機(jī)和 HPC 相關(guān)應(yīng)用在 3nm 制程時(shí)代提供完整的支持平臺(tái)。N3E 制程將在 2023 年下半年進(jìn)入量產(chǎn)，蘋(píng)果及英特爾會(huì)是主要的兩大客戶(hù)。

IT之家了解到，7 月底三星就宣布了已經(jīng)量產(chǎn)了 3nm 工藝，是業(yè)界首家采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的半導(dǎo)體企業(yè)，但有專(zhuān)家透露，在采用 3nm 制程工藝代工時(shí)，三星電子當(dāng)前的主要任務(wù)仍是提高良品率。

據(jù)《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電 3nm 仍然采用了鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構(gòu)，但 N3 制程已采用創(chuàng)新的 TSMC FINFLEX 技術(shù)，將 3nm 家族技術(shù)的 PPA(效能、功耗效率以及密度)進(jìn)一步提升，

同時(shí)臺(tái)積電在 2022 技術(shù)研討會(huì)上還表示，3nm 制程技術(shù)推出時(shí)，在 PPA 及晶體管技術(shù)上，都將會(huì)是業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)，有信心將 3nm 家族成為臺(tái)積電另一個(gè)大規(guī)模且有長(zhǎng)期需求的制程節(jié)點(diǎn)。

除此之外，《工商時(shí)報(bào)》此前還報(bào)道，業(yè)界人士表示，今年底蘋(píng)果將成為第一家采用臺(tái)積電 3nm 流片的客戶(hù)，首款產(chǎn)品可能是 M2 Pro 芯片(或?qū)⒂糜?Mac Pro 等新品)，而明年包括新款 iPhone 15 Pro 專(zhuān)用 A17 應(yīng)用芯片，以及 M2 及 M3 系列芯片，都會(huì)導(dǎo)入臺(tái)積電 3nm。

同時(shí)，英特爾明年下半年也將擴(kuò)大采用 3nm 生產(chǎn)處理器內(nèi)芯片塊(tiles)，AMD、英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科、博通等會(huì)在 2023-2024 年陸續(xù)完成 3nm 芯片設(shè)計(jì)并開(kāi)始量產(chǎn)。

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