近日業(yè)內(nèi)傳出三星要延長暫停拉貨的時間，給本就低迷的存儲市場再度蒙上一層陰影。

三星電子今年第一季度的DRAM銷售額為103．43億美元，比上一季度減少了900萬美元。繼2021年第三季度之后，三星的銷售額已經(jīng)下降了兩個季度。

與此同時，美光也在最新一期的財(cái)報(bào)中下調(diào)了對下一季度的預(yù)計(jì)。美光表示：由于個人電腦和智能手機(jī)等消費(fèi)市場的終端需求疲軟，已經(jīng)看到近期行業(yè)需求顯著減少。美光預(yù)計(jì)2022年DRAM和NAND的同比增長均會低于長期的年復(fù)合增長率。美光也表示計(jì)劃在2023財(cái)年使用庫存來供應(yīng)明年的部分市場需求，早前計(jì)劃的擴(kuò)建計(jì)劃會被延緩。而相對于砍單，三星暫停拉貨對于整個產(chǎn)業(yè)來說打擊更大，因?yàn)檫@意味著訂單量直接降為零。

兩家內(nèi)存大廠的收縮動作，讓人疑問存儲行業(yè)的下行周期來了嗎？

市場下行信號頻繁亮出

存儲行業(yè)是一個典型的周期性行業(yè)。存儲行業(yè)的周期與半導(dǎo)體行業(yè)的周期具有同步性，但存儲器的波動一般會高于半導(dǎo)體行業(yè)的波動幅度，價(jià)格的暴漲暴跌對于存儲行業(yè)較為常見。市場的下行周期最直觀的就是價(jià)格大跌。

以DRAM的價(jià)格為例，DRAM是存儲器細(xì)分產(chǎn)品中的營收占比最大的產(chǎn)品。據(jù)IC Insights預(yù)測，2021年DRAM在存儲行業(yè)的營收占比將達(dá)56％。在2021年秋天DRAM價(jià)格達(dá)到頂峰后，DRAM價(jià)格便開始逐季下滑。

據(jù)TrendForce預(yù)估，2022年第三季DRAM價(jià)格將下跌3－8％，server DRAM將再下跌0－5％，Mobile DRAM跌幅擴(kuò)大至3－8％，graphics DRAM價(jià)格仍小跌0－5％，Consumer DRAM中DDR3與DDR4價(jià)格將季減3－8％。

來源：TrendForce

市場下行周期中，廠商需要面對庫存壓力大的問題。自去年以來，PC、移動設(shè)備廠商的庫存水平均處于高位水平。一度供不應(yīng)求的DDR5、GPU、電源管理芯片、驅(qū)動IC、模擬芯片和NOR FlASH近期市場需求也逐漸趨緩，部分產(chǎn)品價(jià)格開始轉(zhuǎn)跌。

從主要整機(jī)廠商平均存貨水平來看，2022年第一季度廠商平均存貨環(huán)比上升幅度為6％，存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)環(huán)比上升4％。從全球主要半導(dǎo)體廠商平均存貨水平來看，2022年第一季度平均存貨水平環(huán)比上升16％，存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)環(huán)比上升11％。

 多因素沖擊存儲市場

首先消費(fèi)領(lǐng)域的需求疲軟是最沖擊存儲市場的最大因素之一。

根據(jù)CINNO Research最新的報(bào)告來看，2022年5月中國手機(jī)市場上排名前五的廠商除了榮耀外，出貨量均同比下降。當(dāng)前幾大主流智能手機(jī)品牌的出貨量預(yù)期均進(jìn)行了下調(diào)。

消費(fèi)電子市場的下滑，讓整個半導(dǎo)體市場的出貨量都有所收縮，但雪上加霜的是許多的存儲廠商的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃已經(jīng)處于箭在弦上的狀態(tài)。

在缺芯成為關(guān)鍵詞的前兩年，存儲巨頭們紛紛選擇擴(kuò)建提高產(chǎn)能。

2021年SK海力士在大連建設(shè)新的3D NAND閃存晶圓廠。同時2021年底，SK海力士完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第一階段，從英特爾手中接管了SSD業(yè)務(wù)及其位于大連的NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。為加快推動項(xiàng)目發(fā)展，SK海力士決定在大連繼續(xù)擴(kuò)大投資并建設(shè)新工廠。

2022年4月三星電子位于中國西安的第二座NAND Flash閃存工廠已完成擴(kuò)建，并開始全面生產(chǎn)。同時在韓國平澤市興建的P3芯片廠，預(yù)計(jì)將在2022年7月份完成產(chǎn)線安裝，下半年將會實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。

供過于求的態(tài)勢使得存儲市場的不景氣不難理解。

但本輪市場下行不僅是因?yàn)楣┻^于求，結(jié)構(gòu)性缺貨是存儲產(chǎn)品銷量下滑的另外一個重要原因。

雖然移動、PC和消費(fèi)市場的終端需求減弱，但云、網(wǎng)絡(luò)、汽車和工業(yè)市場表現(xiàn)出韌性。亞馬遜、谷歌、Meta和微軟預(yù)計(jì)將在全球30個新地區(qū)建設(shè)數(shù)據(jù)中心。21年下半年開始服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的芯片供需關(guān)系緊張，一些關(guān)鍵服務(wù)器芯片的交付時間延長到52到70周。目前服務(wù)器廠商也仍存在芯片供應(yīng)緊張的情況，Digitimes相關(guān)報(bào)道認(rèn)為服務(wù)器芯片及零部件短缺可能貫穿整個2022年。

據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，英特爾已通知客戶提價(jià)，不同類型的芯片漲幅可能會有所不同，但某些產(chǎn)品可能會增長超過10％和20％。漲價(jià)的產(chǎn)品中包括服務(wù)器的相關(guān)芯片。

云、網(wǎng)絡(luò)、汽車等市場也是存儲的重要市場之一。但在服務(wù)器芯片交期拉長且漲價(jià)，存儲芯片價(jià)格成下降趨勢的情況下，購買存儲產(chǎn)品可能會造成服務(wù)器廠商庫存壓力增加，因此即便這類市場需求仍在但出于對庫存的擔(dān)心，相關(guān)廠商仍不會選擇購入產(chǎn)品。

警惕存儲“逆周期”，國產(chǎn)存儲廠商如何應(yīng)對

上文中提到，一部分存儲廠商的擴(kuò)產(chǎn)已經(jīng)處于“不得不發(fā)”的階段。在設(shè)備已經(jīng)上產(chǎn)線的情況下，原廠大幅減產(chǎn)將帶來高昂的成本壓力，因此存儲大廠大概率會以低價(jià)換市場，而這正是韓國存儲大廠熟悉的“逆周期”操作。

上世紀(jì)80年代初，三星選擇DRAM存儲芯片作為業(yè)務(wù)切入點(diǎn)。1984年，DRAM價(jià)格為4美元，1985年跌至30美分，在這一低谷期內(nèi)存市場哀號遍野，陷入巨額虧損的英特爾被迫裁員7200人，關(guān)閉生產(chǎn)DRAM的七座工廠。日本企業(yè)也開始大幅度減少資本開支。此時三星反其道而行，對存儲芯片瘋狂擴(kuò)產(chǎn)，并開發(fā)更大容量的存儲芯片。

苦苦支撐中，半導(dǎo)體市場進(jìn)入短缺階段。90年代，韓國三星一舉超過日本，成為全球第一大存儲芯片制造商。

2008年金融危機(jī)時，大量DRAM廠商錯誤地預(yù)判了微軟的Vista系統(tǒng)可以推動內(nèi)存市場，大量擴(kuò)產(chǎn)。然而Vista因?yàn)橄到y(tǒng)漏洞等原因銷售量直線下降，廠商提前擴(kuò)張的DRAM的產(chǎn)能成為累贅，供過于求極其嚴(yán)重，DRAM顆粒價(jià)格急劇下跌。

整個行業(yè)虧損加劇，存儲公司叫苦不迭，然而三星將上一年全部利潤的118％投入DRAM產(chǎn)能擴(kuò)展，再次發(fā)起價(jià)格戰(zhàn)。2009年德國DRAM大廠奇夢達(dá)倒下；2012年曾經(jīng)的DRAM頭部廠商日本的爾必達(dá)宣布破產(chǎn)。

因此在市場下行過程中，存儲廠商必須警惕這類有資金又有技術(shù)的競爭者們。

雖然國產(chǎn)存儲廠商相對于三大巨頭起步較晚，但也正是這樣國內(nèi)的存儲廠商有著大量的經(jīng)驗(yàn)可以學(xué)習(xí)。無論是三星、SK海力士、美光的成功經(jīng)驗(yàn)，還是奇夢達(dá)、爾必達(dá)的失敗案例。

從產(chǎn)能上說，長江存儲在2020年中就已籌建存儲基地項(xiàng)目二期，目前正在加速推進(jìn)，今年也傳出在建第二座工廠的傳聞，如果順利建成，這兩家工廠的總產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬片晶圓。據(jù)估計(jì)長江存儲去年的全球市場份額接近5％。

公開資料顯示，長鑫在2020年、2021年分別實(shí)現(xiàn)了4．5萬片晶圓／月、6萬片晶圓／月的目標(biāo)，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓／月，未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓／月。截止2021年，全球DRAM總產(chǎn)能大約是150萬片／月，預(yù)測到2022年底，長鑫存儲的12萬片產(chǎn)能將獲得全球市場份額的8％左右。

技術(shù)仍是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第一生產(chǎn)力，對于存儲產(chǎn)品也不例外，單純增加產(chǎn)能并不能保證讓存儲廠商能在下行周期中擴(kuò)大市場份額。半導(dǎo)體產(chǎn)品更新?lián)Q代及技術(shù)升級速度較快，持續(xù)研發(fā)新技術(shù)、推出新產(chǎn)品是各家廠商在市場中保持優(yōu)勢的重要手段。如果存儲產(chǎn)品不能跟上相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)趨勢，也終將會被市場淘汰。

從技術(shù)上說，國內(nèi)NAND閃存芯片制造商長江存儲科技計(jì)劃跳過192層，直接轉(zhuǎn)向232層的3D NAND生產(chǎn)。這樣長江存儲有望在2023年增加其232層3D NAND芯片的產(chǎn)量，這可以讓國產(chǎn)NAND芯片制造水平更接近其他更大的國際同行。

長鑫存儲投入25 億美元的研發(fā)費(fèi)用對原有芯片架構(gòu)進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。基于這一專利技術(shù)，長鑫存儲成功量產(chǎn)出19nm工藝的DDR4和LPDDR4，成為全球第四家DRAM產(chǎn)品采用20nm以下工藝的廠商，是目前中國大陸唯一能夠自主生產(chǎn)DRAM的廠商。

可以看到無論從產(chǎn)能還是技術(shù)上，國產(chǎn)存儲芯片公司都在激流中穩(wěn)步前進(jìn)。

笑到最后才是真英雄

盡管存儲市場需求近期疲軟，但長期需求趨勢依然強(qiáng)勁，數(shù)字化的浪潮已經(jīng)不可逆轉(zhuǎn)，存儲市場長久來看必然是向更高更大的格局邁進(jìn)。

除了上文中提到的兩家國產(chǎn)存儲廠商，國內(nèi)還有一些相對規(guī)模較小的存儲廠商在不同的細(xì)分領(lǐng)域鉆研，如兆易創(chuàng)新的NOR FLASH在中國市場占有率排名第一，北京君正開發(fā)出針對具有較高技術(shù)壁壘的專業(yè)級應(yīng)用領(lǐng)域，能夠滿足工業(yè)、醫(yī)療、主干通訊和車規(guī)等級產(chǎn)品的要求的DRAM產(chǎn)品。

星星之火可以燎原，沒有人可以永遠(yuǎn)躺在過去的功勞簿上。臺積電總裁魏哲家說，未來是下滑的周期，而非大幅下降。因此不必畏懼存儲市場會變天，笑到最后才是真英雄。