曾任爾必達(dá)存儲(chǔ)器公司社長(zhǎng)的坂本幸雄。日前接受日本經(jīng)濟(jì)新聞采訪時(shí)談到了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)差距。

　　談到中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的實(shí)力時(shí)，坂本幸雄認(rèn)為，中國(guó)占世界半導(dǎo)體生產(chǎn)的份額為15％。不過(guò)，其中美國(guó)英特爾等外資企業(yè)占6成，而中國(guó)企業(yè)的份額僅為4成。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在從零開(kāi)始創(chuàng)造價(jià)值的研發(fā)方面缺乏經(jīng)驗(yàn)。

　　坂本幸雄認(rèn)為，在DRAM領(lǐng)域處于中國(guó)頂尖水平的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)（CXMT）與三星相比落后4代左右。而在NAND閃存領(lǐng)域，據(jù)稱中國(guó)頂尖的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）將啟動(dòng)（存儲(chǔ)元件為）128層的量產(chǎn)，雖已啟動(dòng)192層的試生產(chǎn)，但制造的數(shù)量過(guò)少，達(dá)不到討論競(jìng)爭(zhēng)力的水平。

　　在談到中芯國(guó)際時(shí)， 坂本幸雄表示中芯國(guó)際是中國(guó)最頂尖的半導(dǎo)體制造商，但產(chǎn)品的最細(xì)電路線寬也只是14納米，這已是7、8年前的技術(shù)。世界頂尖的臺(tái)積電正在開(kāi)發(fā)2納米的產(chǎn)品，差距并未縮小。中芯國(guó)際以工序管理的工程師為中心，或許難以推進(jìn)新技術(shù)的開(kāi)發(fā)。由于美國(guó)的制裁，還難以引進(jìn)尖端的生產(chǎn)設(shè)備，無(wú)法涉足價(jià)值巨大的處理器（運(yùn)算處理裝置）的尖端領(lǐng)域。經(jīng)營(yíng)資源完全被用于增加14納米以上的產(chǎn)能，如果缺乏在3～4年后追上臺(tái)積電等龍頭企業(yè)的決心，差距會(huì)不斷擴(kuò)大。