編者按：自1956年中國(guó)將半導(dǎo)體作為國(guó)家重要的發(fā)展領(lǐng)域后，今年是第66個(gè)年頭?；赝?6年的發(fā)展，從無到有、從小到大，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了風(fēng)雨坎坷同時(shí)又迸發(fā)出無限的生機(jī)。在中國(guó)“十四五”提出數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃，瞄準(zhǔn)集成電路等戰(zhàn)略性領(lǐng)域之際，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫推出“國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程”系列專題，講述當(dāng)今中國(guó)半導(dǎo)體各領(lǐng)域發(fā)展進(jìn)程，解析國(guó)產(chǎn)化最新態(tài)勢(shì)，本期為“國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程”專題集成電路篇第五篇文章：存儲(chǔ)。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫編輯部

WSTS數(shù)據(jù)顯示，2021年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模為1582億美元，同比上升34．6％。2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)8．8％，達(dá)到6014．9億美元，其中，存儲(chǔ)類別的增長(zhǎng)為8．55％，規(guī)模達(dá)到1716．82億美元，占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的28．5％。

在眾多的存儲(chǔ)類別中，市場(chǎng)規(guī)模最大的是DRAM和NAND Flash。2021年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的56％（約869億美元）， NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的41％（約636億美元）， NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的2％（約31億美元），其他存儲(chǔ)（EEPROM、EPROMROM 、SRAM等）合計(jì)占比為1％（約16億美元）。2022 年，DRAM、NAND 閃存市場(chǎng)將分別增長(zhǎng) 25％、24％ 到 1180 億美元、830 億美元，均創(chuàng)歷史新高。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)的大蛋糕

從市場(chǎng)需求來看，中國(guó)已成為全球存儲(chǔ)最重要的需求市場(chǎng)之一。CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，在中國(guó)的DRAM和NAND Flash銷售規(guī)模占據(jù)全球30％以上市場(chǎng)份額。

另外，隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與消費(fèi)升級(jí)，對(duì)電子產(chǎn)品和服務(wù)的需求也與日俱增，存儲(chǔ)作為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，受益于整個(gè)社會(huì)信息化進(jìn)程。未來，隨著人工智能、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶來存儲(chǔ)的需求持續(xù)提升，將為存儲(chǔ)提供更加廣闊的發(fā)展空間。

存儲(chǔ)需求擴(kuò)張的周期，為國(guó)內(nèi)企業(yè)帶來了機(jī)遇。畢竟，在一個(gè)增量市場(chǎng)，才有更多試錯(cuò)的機(jī)會(huì)，而在一個(gè)飽和的市場(chǎng)里，機(jī)會(huì)則微乎其微。這對(duì)于當(dāng)下的中國(guó)企業(yè)至關(guān)重要。

隨著擴(kuò)產(chǎn)、增資、IPO的消息傳出，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)正在發(fā)出屬于自己的光芒。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)正籌備產(chǎn)能的擴(kuò)張。據(jù)此前的消息指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)早在2020年中就已籌建存儲(chǔ)基地項(xiàng)目二期，目前正在加速推進(jìn)，預(yù)計(jì)未來兩年就能投產(chǎn)，其二期項(xiàng)目的月產(chǎn)能為20萬片，一期項(xiàng)目為10萬片，如此兩年多之后NAND flash芯片產(chǎn)能將增加兩倍。

產(chǎn)能方面，長(zhǎng)鑫也不甘落后。公開資料顯示，長(zhǎng)鑫在2020年、2021年分別實(shí)現(xiàn)了4．5萬片晶圓／月、6萬片晶圓／月的目標(biāo)，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓／月，未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓／月。截止2021年，全球DRAM總產(chǎn)能大約是150萬片／月，預(yù)測(cè)到2022年底，會(huì)提升至160萬片／月左右，屆時(shí)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的12萬片產(chǎn)能將獲得全球市場(chǎng)份額的8％左右。

以存儲(chǔ)為主要業(yè)務(wù)的芯天下提交了創(chuàng)業(yè)板IPO申請(qǐng)。4月28日，深交所正式受理了芯天下IPO上市申請(qǐng)。芯天下表示，公司本次發(fā)行募集資金將緊密圍繞公司主營(yíng)業(yè)務(wù)，主要投向NOR Flash產(chǎn)品研發(fā)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、NANDFlash產(chǎn)品研發(fā)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、存儲(chǔ)研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。其中，NOR Flash產(chǎn)品研發(fā)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬在公司現(xiàn)有NOR Flash產(chǎn)品線的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步研發(fā)55nm／50nm／4xnm工藝制程的NOR Flash產(chǎn)品，完成產(chǎn)品工藝技術(shù)的迭代升級(jí)。NAND Flash產(chǎn)品研發(fā)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬在公司現(xiàn)有SLC NAND Flash產(chǎn)品線的基礎(chǔ)上，研發(fā)2xnm工藝制程的單芯片SPI NAND產(chǎn)品及超低功耗SLC NAND Flash產(chǎn)品，形成更豐富的SLC NAND Flash產(chǎn)品系列。

5月22日晚間，韋爾股份宣布，擬以不超過40億元增持北京君正股票。增持后累計(jì)持有北京君正股份數(shù)量不超過5000萬股，不超過北京君正總股本的10．38％。本次交易構(gòu)成關(guān)聯(lián)交易，不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組。據(jù)韋爾股份在公告中介紹，北京君正的存儲(chǔ)芯片在汽車市場(chǎng)有著較好的客戶基礎(chǔ)，而公司是全球車載CIS的領(lǐng)軍企業(yè)，未來公司與北京君正存在較大業(yè)務(wù)戰(zhàn)略合作機(jī)會(huì)。

擴(kuò)產(chǎn)、增資、IPO，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)正當(dāng)時(shí)。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)與國(guó)外差距幾何？

NAND

NAND閃存長(zhǎng)期被幾家大廠“霸屏”。據(jù)CMF數(shù)據(jù)，2021年Q4，占據(jù)NAND閃存市場(chǎng)份額Top6的廠商依次為：三星（34％）、鎧俠（19％）、SK海力士（14％）、西部數(shù)據(jù)（14％）、美光（10％）、英特爾（5％），而留給其他廠商的市場(chǎng)份額僅剩下3％。

從NAND閃存的技術(shù)路線來看，從2D到3D，各大廠商都朝著堆疊層數(shù)更高的方向不斷發(fā)展。目前，業(yè)內(nèi)比較先進(jìn)且投入量產(chǎn)的NAND閃存為176層閃存，美光、SK海力士、三星也都實(shí)現(xiàn)了176層NAND閃存的量產(chǎn)。另外，美光已經(jīng)隆重宣布了業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的232層3D NAND存儲(chǔ)解決方案，高調(diào)引領(lǐng)NAND閃存闖入200層大戰(zhàn)。國(guó)內(nèi)在NAND閃存方面掌握最先進(jìn)技術(shù)的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)，128層NAND閃存已經(jīng)量產(chǎn)，而近期據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向少數(shù)客戶交付了其內(nèi)部開發(fā)的192層3D NAND閃存樣品。

DRAM

再來看DRAM。DDRM的全球市場(chǎng)呈現(xiàn)出明顯的三足鼎立的局面，在市占率方面，據(jù)IC Insights，2021年占據(jù)DRAM市場(chǎng)營(yíng)收榜單Top3的分別為三星（44％）、SK 海力士（27．7％）、美光（22．8％），三大供應(yīng)商占據(jù) 2021 年 DRAM 市場(chǎng)份額的 94％。

DRAM制程工藝進(jìn)入20nm以后，制造難度越來越高。全球前三大廠商—三星、SK海力士、美光于2016－2017年進(jìn)入1Xnm（16nm－19nm）階段，2018－2019年進(jìn)入1Ynm（14nm－16nm）階段，2020年進(jìn)于1Znm（12nm－14nm）時(shí)代。目前，內(nèi)存芯片進(jìn)入第四階段1anm（10nm）的研發(fā)。目前，國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還處于1Xnm（16nm－19nm）階段，與龍頭大廠還是有一定的差距。

總的來說，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步比較晚，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年成立，分別補(bǔ)上了中國(guó)在NAND Flash和DRAM市場(chǎng)核心供應(yīng)環(huán)節(jié)的空白。雖然并未達(dá)到像龍頭一樣的市占率，但是已經(jīng)縮小了與業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平的差距。要注意的是，技術(shù)仍是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第一生產(chǎn)力。半導(dǎo)體產(chǎn)品更新?lián)Q代及技術(shù)升級(jí)速度較快，持續(xù)研發(fā)新技術(shù)、推出新產(chǎn)品是各家廠商在市場(chǎng)中保持優(yōu)勢(shì)的重要手段。

困住國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)發(fā)展的兩大難題

當(dāng)下國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)發(fā)展還應(yīng)解決兩大難題：第一，F(xiàn)abless模式較多，很難應(yīng)對(duì)供應(yīng)鏈產(chǎn)能短缺問題；第二，成本尚不具備優(yōu)勢(shì)。

從存儲(chǔ)生產(chǎn)的形式來看，IDM無疑是一個(gè)較好的形式。國(guó)外存儲(chǔ)的龍頭廠商都是IDM模式，都有自己的晶圓廠，可根據(jù)自己的生產(chǎn)需求來及時(shí)調(diào)整自己的產(chǎn)能，有更多的自主性。但是，由于集成電路行業(yè)的特殊性，建立晶圓代工廠的成本相當(dāng)高，所以對(duì)于國(guó)內(nèi)非存儲(chǔ)龍頭大廠來說，F(xiàn)abless其實(shí)是他們權(quán)衡利弊之后最好的選擇。但是，一旦產(chǎn)能短缺，或者代工廠調(diào)整價(jià)格，都有可能導(dǎo)致公司供貨緊張、產(chǎn)能受限對(duì)公司的日常經(jīng)營(yíng)和盈利能力造成不利影響。

再一個(gè)是存儲(chǔ)芯片行業(yè)具有資本及技術(shù)密集型特點(diǎn)。由于產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化程度高，行業(yè)集中度高，規(guī)模效應(yīng)較為明顯，存儲(chǔ)行業(yè)巨頭及行業(yè)先進(jìn)入者，在規(guī)模、工藝成熟度等方面領(lǐng)先于后來者，在成本方面具備較為明顯的優(yōu)勢(shì)。大部分Fabless廠商，因?yàn)閷?duì)代工廠下單的規(guī)模較小，所以沒有很強(qiáng)的議價(jià)能力，導(dǎo)致公司的成本會(huì)比較高。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)還面臨著投入不足的困境，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和產(chǎn)能擴(kuò)充，都需要數(shù)額較大的投資，這對(duì)于國(guó)內(nèi)初露矛頭的廠商來說還是有一定難度的，他們并不能像龍頭一樣進(jìn)行自如的投資。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商的破局之刃

隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫為代表的存儲(chǔ)廠商也逐漸展露頭角。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)可謂是3D NAND的國(guó)產(chǎn)之光，不斷縮短和世界領(lǐng)先水平的距離，將有望引領(lǐng)國(guó)產(chǎn) NAND 產(chǎn)業(yè)崛起。長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越，而近期據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向少數(shù)客戶交付了其內(nèi)部開發(fā)的192層3D NAND閃存樣品。

2019 年 9 月，公司還創(chuàng)新使用Xtacking?1．0 架構(gòu)閃存技術(shù)，成功量產(chǎn)64 層 TLC 3D NAND 閃存。不同于傳統(tǒng) 3D NAND 架構(gòu)，Xtacking?技術(shù)屬于自主創(chuàng)新。在傳統(tǒng) NAND 架構(gòu)中，I／O 及記憶單元操作的外圍電路和存儲(chǔ)單元在同一片晶圓上制造。在長(zhǎng)江存儲(chǔ) Xtacking?架構(gòu)中，I／O 及記憶單元操作的外圍電路被生產(chǎn)在一片晶圓上，而存儲(chǔ)單元在另一片晶圓上被獨(dú)立加工，當(dāng)兩片晶圓各自加工完成后，Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟即可通過數(shù)十億根金屬垂直互聯(lián)通道將二者鍵合接通電路，并封裝到同一個(gè)芯片中。

除此之外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳脫的技術(shù)路線也在現(xiàn)在成為了一段”佳話“，長(zhǎng)江存儲(chǔ)決定跳過業(yè)界常見的96層，直接研發(fā)128層3D NAND。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成立于2016年5月，公司自成立以來就致力于DRAM的研發(fā)與量產(chǎn)，并已成功推出面向主流市場(chǎng)的DDR4、LPDDR4和LPDDR4X等。良率在70－75％，未來2－3年內(nèi)將推進(jìn)低功耗、高速率LPDDR5DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

從技術(shù)來看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的核心技術(shù)來源于奇夢(mèng)達(dá)遺留的DRAM專利，后來為了規(guī)避可能存在的專利風(fēng)險(xiǎn)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)投入25 億美元的研發(fā)費(fèi)用對(duì)原有芯片架構(gòu)進(jìn)行重新設(shè)計(jì)?；谶@一專利技術(shù)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)又成功量產(chǎn)出19nm工藝的DDR4和LPDDR4，成為全球第四家DRAM產(chǎn)品采用20nm以下工藝的廠商，是目前中國(guó)大陸唯一能夠自主生產(chǎn)DRAM的廠商。

福建晉華

曾經(jīng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、福建晉華，被稱為“中國(guó)存儲(chǔ)三雄”。2016年，福建晉華與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)定，福建晉華委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)技術(shù)，開發(fā)出的技術(shù)成果由雙方共同所有。福建晉華也正因?yàn)檫@個(gè)項(xiàng)目，2017年卷入了和美光的專利之戰(zhàn)中，美光指控聯(lián)電和福建晉華盜用了自己的內(nèi)存芯片技術(shù)。2019年1月底，聯(lián)電退出福建晉華DRAM項(xiàng)目。一直到2021年11月，聯(lián)電和美光達(dá)成世紀(jì)大和解，而目前福建晉華方面審查還沒有最終結(jié)果。

雖被百般打壓，但福建晉華仍百折不撓。2021年初，福建工信廳發(fā)布一則消息稱，泉州晉華成功研制出具備自主產(chǎn)權(quán)的25nm內(nèi)存芯片并小批量試產(chǎn)。

武漢新芯

武漢新芯于2006年在武漢成立，是一家先進(jìn)的集成電路研發(fā)與制造企業(yè)。武漢新芯擁有2座12英寸晶圓廠，每座晶圓廠產(chǎn)能可達(dá)3萬片＋／月。在NOR Flash領(lǐng)域，武漢新芯已經(jīng)積累了十多年的制造經(jīng)驗(yàn)，提供從65nm到45nm的高性能NOR Flash技術(shù)服務(wù)，是中國(guó)先進(jìn)的NORFlash晶圓制造商之一。

此外，武漢新芯也推出了自有品牌SPINOR Flash產(chǎn)品。

兆易創(chuàng)新

從存儲(chǔ)芯片三大主流產(chǎn)品布局來看，兆易創(chuàng)新形成了NOR、NAND和DRAM三大存儲(chǔ)芯片的全平臺(tái)布局，其NOR Flash產(chǎn)品涵蓋了市場(chǎng)絕大部分的容量類型。其NAND Flash產(chǎn)品屬于SLC NAND。2016年，兆易創(chuàng)新推出了首顆DRAM產(chǎn)品GDQ2BFAA系列，標(biāo)志著正式入局DRAM這一主流存儲(chǔ)市場(chǎng)。值得一提的是，在中國(guó)市場(chǎng)，兆易創(chuàng)新的NOR FLASH市場(chǎng)占有率排名第一，2021年，出貨量為32．88 億顆。

此外，兆易創(chuàng)新還通過增資長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的母公司睿力集成加碼DRAM業(yè)務(wù)，公司于2020年12月、2021年9月兩次向睿力集成增資共計(jì)8億元人民幣。

紫光國(guó)芯

作為紫光國(guó)微的子公司，紫光國(guó)芯主要從事存儲(chǔ)設(shè)計(jì)開發(fā)、自有品牌存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品銷售，以及集成電路設(shè)計(jì)開發(fā)、測(cè)試服務(wù)，是“國(guó)家規(guī)劃布局內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)”和“國(guó)家火炬計(jì)劃重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)”，建設(shè)了完整先進(jìn)的DRAM存儲(chǔ)測(cè)試分析工程中心，同時(shí)擁有世界主流動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)和閃存存儲(chǔ)設(shè)計(jì)開發(fā)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)。

芯天下

芯天下是業(yè)內(nèi)最早提供SPI NANDFlash的廠商之一，公司現(xiàn)有主要產(chǎn)品包括NORFlash和SLC NAND Flash，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)與醫(yī)療等領(lǐng)域。

北京君正

北京君正的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主要有SRAM、DRAM和Flash三大類別。公司DRAM產(chǎn)品開發(fā)主要針對(duì)具有較高技術(shù)壁壘的專業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域，能夠滿足工業(yè)、醫(yī)療、主干通訊和車規(guī)等級(jí)產(chǎn)品的要求，具備在極端環(huán)境下穩(wěn)定工作、節(jié)能降耗等特點(diǎn)。公司也進(jìn)行了包括了從DDR2、LPDDR2、DDR3到DDR4、LPDDR4等不同種類不同容量的產(chǎn)品研發(fā)，根據(jù)不同產(chǎn)品的進(jìn)度情況，部分新產(chǎn)品仍在研發(fā)階段，部分新產(chǎn)品完成了投片并正在進(jìn)行工程樣品的生產(chǎn)，部分新產(chǎn)品已完成工程樣品的生產(chǎn)并根據(jù)測(cè)試結(jié)果展開了量產(chǎn)方面的工作。

北京君正的Flash產(chǎn)品線包括了目前全球主流的NOR Flash和NAND Flash。

東芯半導(dǎo)體

東芯半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品為非易失性存儲(chǔ)芯片NAND Flash、NOR Flash以及DRAM。

東芯半導(dǎo)體NAND Flash產(chǎn)品核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，尤其是SPI NAND Flash，公司的NANDFlash憑借產(chǎn)品品類豐富、功耗低、可靠性高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備及移動(dòng)終端等領(lǐng)域。SPI NOR Flash存儲(chǔ)容量覆蓋2Mb至256Mb，并支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式，目前公司已經(jīng)為三星電子、LG、傳音控股、歌爾股份等終端客戶提供產(chǎn)品。

DDR3系列產(chǎn)品在通訊設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛；LPDDR系列產(chǎn)品適合在智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品中使用。

聚辰半導(dǎo)體

聚辰半導(dǎo)體絕大部分的收入來自EEPROM 產(chǎn)品，該類產(chǎn)品相較于 NOR Flash 的容量更小、擦寫次數(shù)高，因此適用于各類電子設(shè)備的小容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和反復(fù)擦寫的需求，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)攝像頭、液晶面板、藍(lán)牙模塊、通訊、計(jì)算機(jī)及周邊、醫(yī)療儀器、白色家電、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
此外，公司還積極開拓NOR Flash業(yè)務(wù)。

恒爍半導(dǎo)體

恒爍半導(dǎo)體的主營(yíng)產(chǎn)品為 NOR Flash，2016年，公司便已成功量產(chǎn)多款65nm串行NORFlash產(chǎn)品；2018年底，公司完成了不同電壓下NOR Flash的全產(chǎn)線布局；2020年，恒爍半導(dǎo)體推出了50nm串行128 Mb NOR Flash。

結(jié)語

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，各有側(cè)重，也正在一步步縮短與國(guó)際廠商的差距，但與此同時(shí)，我們也要清晰的認(rèn)識(shí)到，與國(guó)外技術(shù)相比，我國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的整體水平仍然不夠，短時(shí)間內(nèi)想要扭轉(zhuǎn)國(guó)際巨頭主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)格局依然很難。若想要與國(guó)際對(duì)手勢(shì)均力敵，仍需時(shí)間與技術(shù)的沉淀。