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納微半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片

2021-11-08
來源:納微半導(dǎo)體

增加GaNSense?技術(shù),全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實(shí)時智能傳感和保護(hù),為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場帶來最高效率和可靠性

11月8日,北京--氮化鎵(GaN)功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時、智能的傳感和保護(hù)電路,進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性,同時增加了納微氮化鎵功率芯片技術(shù)的節(jié)能和快充優(yōu)勢。

氮化鎵(GaN)是下一代半導(dǎo)體材料,氮化鎵器件的開關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅器件快20倍,在尺寸和重量減半的情況下,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)3倍的功率和3倍的充電速度。納微半導(dǎo)體的GaNFast?氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵器件和驅(qū)動以及保護(hù)和控制功能,提供簡單、小型、快速和高效的性能表現(xiàn)。

GaNSense技術(shù)集成了對系統(tǒng)參數(shù)的實(shí)時、準(zhǔn)確和快速感應(yīng),包括電流和溫度的感知。這項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了正在申請專利的無損耗電流感應(yīng)能力。與前幾代產(chǎn)品相比,GaNSense 技術(shù)可額外提高10%的節(jié)能效果,并能夠進(jìn)一步減少外部元件數(shù)量,縮小系統(tǒng)的尺寸。此外,如果氮化鎵功率芯片識別到有潛在的系統(tǒng)危險,該芯片將迅速過渡到逐個周期的關(guān)斷狀態(tài),以保護(hù)器件和周圍系統(tǒng)。GaNSense技術(shù)還集成了智能待機(jī)降低功耗功能,在氮化鎵功率芯片處于空閑模式時,自動降低待機(jī)功耗,有助于進(jìn)一步降低功耗。這對越來越多積極追求環(huán)保的客戶來說尤為重要。

憑借業(yè)界最嚴(yán)格的電流測量精度和GaNFast響應(yīng)時間,GaNSense技術(shù)縮短50%的危險時間,危險的過電流峰值降低50%。GaNFast氮化鎵功率芯片單片集成提供了可靠的、無故障的操作,沒有 "振鈴",從而提高了系統(tǒng)可靠性。

納微半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運(yùn)營官/首席技術(shù)官Dan Kinzer表示:“從檢測到保護(hù)只需30納秒,GaNSense技術(shù)比分立式的氮化鎵功率芯片的實(shí)現(xiàn)方案快 600%。納微半導(dǎo)體下一代采用GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片產(chǎn)品,對潛在的系統(tǒng)故障模式提供了高度準(zhǔn)確和有效的防護(hù)。再加上對高達(dá)800V的瞬態(tài)電壓的免疫力以及嚴(yán)格的柵極波形控制和電壓調(diào)節(jié),這些功能只有通過我們專有的工藝設(shè)計(jì)套件才能實(shí)現(xiàn),重新定義了功率半導(dǎo)體中可靠性、堅(jiān)固性和性能的新標(biāo)準(zhǔn)?!?/p>

采用 GaNSense 技術(shù)的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個型號,他們都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅(qū)動、控制和保護(hù)的核心技術(shù),所有產(chǎn)品的額定電壓為650V/800V,具有2kV ESD保護(hù)。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范圍為120至450毫歐,采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封裝,具有GaNSense保護(hù)電路和無損電流感應(yīng)。作為納微第三代氮化鎵功率芯片,針對現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化,包括高頻準(zhǔn)諧振反激式(HFQR)、有源鉗位反激式(ACF)和PFC升壓,這些都是移動和消費(fèi)市場內(nèi)流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術(shù)方法。

目標(biāo)市場包括智能手機(jī)和筆記本電腦的快充充電器,估計(jì)每年有20億美元的氮化鎵市場機(jī)會,以及每年20億美元的消費(fèi)市場機(jī)會,包括一體機(jī)、電視、家庭網(wǎng)絡(luò)和自動化設(shè)備。GaNSense技術(shù)已被用于部分一線消費(fèi)電子品牌的氮化鎵充電器上。

到目前為止,已經(jīng)有超過3000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨,在現(xiàn)場測試實(shí)現(xiàn)了超過1160億個設(shè)備小時,并且沒有任何關(guān)于GaN現(xiàn)場故障的報(bào)告。與傳統(tǒng)的硅功率芯片相比,每顆出貨的GaNFast氮化鎵功率芯片可以減少碳足跡 4-10 倍,可節(jié)省4千克的二氧化碳排放。

采用GaNSense技術(shù)的新一代納微GaNFast功率芯片將在以下活動中公開展示。

· 11月8日: WiPDA 2021演講(線上),演講人:納微半導(dǎo)體首席運(yùn)營官/首席技術(shù)官和聯(lián)合創(chuàng)始人,Dan Kinzer

· 11月14日: 中國電源學(xué)會第二十四屆學(xué)術(shù)年會的納微半導(dǎo)體衛(wèi)星會議(上海,線下),演講人 納微半導(dǎo)體應(yīng)用工程總監(jiān),黃秀成博士

· 11月18日: PSMA電力技術(shù)路線圖演講(線上),演講人:納微半導(dǎo)體首席運(yùn)營官/首席技術(shù)官和聯(lián)合創(chuàng)始人,Dan Kinzer

采用GaNSense技術(shù)的新一代GaNFast氮化鎵功率芯片已開始批量生產(chǎn),并可立即供貨。新的GaNSense技術(shù)的全部技術(shù)細(xì)節(jié),包括數(shù)據(jù)表、鑒定數(shù)據(jù)、應(yīng)用說明和樣品,可在簽署保密協(xié)議后提供給客戶合作伙伴。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)成立于2014年,是氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。氮化鎵功率芯片將氮化鎵電源與驅(qū)動、控制和保護(hù)集成在一起,為移動設(shè)備、消費(fèi)產(chǎn)品、企業(yè)、電動汽車和新能源市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。納微半導(dǎo)體擁有130多項(xiàng)專利已經(jīng)頒發(fā)或正在申請中,超過3000萬個GaNFast功率芯片已經(jīng)發(fā)貨,沒有任何關(guān)于納微氮化鎵功率芯片的現(xiàn)場故障報(bào)告。2021年10月20日,納微半導(dǎo)體敲響了納斯達(dá)克的開市鐘,并開始在納斯達(dá)克交易,企業(yè)價值超過10億美元,總?cè)谫Y額超過3.2億美元。




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