10月29日，瀾起科技宣布DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)介紹，該系列芯片是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，包括寄存時鐘驅(qū)動器 (RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器(DB)、串行檢測集線器 (SPD Hub)、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC)，可為DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等內(nèi)存模組提供整體解決方案。
瀾起科技表示，這次推出的DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率達4800Mbps，是 DDR4最高速率的1.5倍；接口電壓低至1.1V，能耗更低；采用創(chuàng)新的信號校準協(xié)議及均衡技術，大幅提高了內(nèi)存信號完整性。
據(jù)悉，與DDR4內(nèi)存模組相比，DDR5內(nèi)存模組在架構上進行了革新，除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外，還需要搭配其它專用配套芯片。瀾起科技首次推出的DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片，可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測、I3C串行總線及路由等輔助功能。
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