《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > 意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低開關(guān)功率損耗

意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低開關(guān)功率損耗

2021-10-26
來源:意法半導(dǎo)體

  STPOWER MDmesh K6 新系列超級結(jié)晶體管改進多個關(guān)鍵參數(shù),最大限度減少系統(tǒng)功率損耗,特別適合基于反激式拓撲的照明應(yīng)用,例如, LED 驅(qū)動器、HID 燈,還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源?! ?/p>

1635229645487849.jpg

  意法半導(dǎo)體 800V STPOWER MDmesh K6系列, 為這種超級結(jié)晶體管技術(shù)樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉藯U。MDmesh K6 的RDS(on) x 面積參數(shù)在市場上現(xiàn)有800V產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平,能夠?qū)崿F(xiàn)緊湊的集高功率密度與市場領(lǐng)先的能效于一身新的新設(shè)計。

  此外,K6 系列的閾壓比上一代 MDmesh K5更低,可使用更低的電壓驅(qū)動,從而降低功耗并提高能效,主要用于零功耗待機應(yīng)用??倴艠O電荷 (Qg) 也非常低,可以實現(xiàn)高開關(guān)速度和低損耗。

  芯片上集成一個 ESD 保護二極管,將 MOSFET 的整體魯棒性提高到人體模型 (HBM) 2 級。

  意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI(www.tcisaronno.net)的首席技術(shù)官、研發(fā)經(jīng)理 Luca Colombo 表示:“我們已經(jīng)測評了新的超結(jié)超高壓 MDmesh K6 系列的樣片,并注意到其出色的 Rdson* 面積和總柵極電荷 (Qg) 性能特點,給我們印象深刻?!?/p>

  采用 TO-220 通孔封裝的 STP80N240K6 (RDS(on)max = 0.22?, Qgtyp = 25.9nC)是首批量產(chǎn)的 MDmesh K6 MOSFET,ST eSTore網(wǎng)上商店現(xiàn)已提供免費樣片。DPAK 和 TO-220FP 版本將于 2022 年 1 月前量產(chǎn)。訂購1000 件,單價1.013 美元起。

  意法半導(dǎo)體將于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整產(chǎn)品組合,將導(dǎo)通電阻RDS(on)范圍從 0.22Ω 擴大到 4.5Ω,并增加一系列封裝選項,包括 SMD 和通孔外殼。




圖片.jpg


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。