賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年5月25日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻僅為0.95 mW，比上一代產(chǎn)品低5 %。此外， 4.5 V條件下器件導通電阻為1.5 mW，而4.5 V條件下導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為29.8 mW*nC，是市場上優(yōu)值系數(shù)最低的產(chǎn)品之一。

SiSS52DN的FOM比上一代器件低29 %，從而降低導通和開關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。

SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)柜拓撲結(jié)構(gòu)、OR-ring FET低邊開關(guān)，以及服務(wù)器、通信和RF設(shè)備電源的負載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)的性能，簡化設(shè)計人員兩種電路的器件選擇。

器件經(jīng)過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

SiSS52DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。