海外研究機(jī)構(gòu)Canalys于2021年5月5日公布了第一季度全球電腦市場報告：全球電腦市場出貨量同比增長53.1%，達(dá)到了1.221億臺。在這其中，谷歌的Chromebook增長最為明顯，出貨量1200萬臺，同比增長274.6%。除此之外，平板電腦增長51.7%，出貨量3970萬臺。

　　PC及平板電腦的出貨量大漲，對于DDR內(nèi)存的需求也增大，在DDR5已經(jīng)開始推向市場的當(dāng)口，本文較為詳細(xì)介紹了DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、國內(nèi)外DDR5產(chǎn)品的上市時間，以及性能和價格的波動，為消費(fèi)者選擇DDR4還是即將普及的DDR5做參考，同時也為市場提供DDR5的相關(guān)參考。

　　2020年7月：DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

　　盡管在2017年，負(fù)責(zé)計算機(jī)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，鎂光、三星等廠商在2018年也就開始研發(fā)16GB的DDR5產(chǎn)品，甚至在去年幾個廠商都已經(jīng)開始逐漸量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。但是直到2020年7月，JEDEC才正式發(fā)布了DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)，而且起跳就是4800MHz，這比原先想象的要高出不少。

　　DDR5標(biāo)準(zhǔn)

　　據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會介紹，全新DDR5標(biāo)準(zhǔn)將為開發(fā)人員提供兩倍性能并大大提高電源效率。在全新DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下，最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣饶苓_(dá)到6.4Gbps，與之對比，在DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣戎荒苓_(dá)到3.2Gbps。此外，DDR5也改善了DIMM的工作電壓，將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，能夠進(jìn)一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。

　　在內(nèi)存密度方面，DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將允許單個內(nèi)存芯片的密度達(dá)到64Gbit，這比DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的16Gbit密度高出4倍。如此高的內(nèi)存密度，再結(jié)合多芯片封裝技術(shù)，可以實現(xiàn)最高40個單元的堆疊，如此堆疊的LRDIMM有效內(nèi)存容量可以達(dá)到2TB。

　　如上圖所示，在針腳設(shè)計上，DDR5內(nèi)存將保持與DDR4相同的288個引腳數(shù)，但因為其采用了雙通道設(shè)計，對應(yīng)引腳布局也發(fā)生了一些改變，故DDR4內(nèi)存和DDR5產(chǎn)品是無法兼容的。這代表著用戶要想使用最新的DDR5內(nèi)存，需要更換支持該標(biāo)準(zhǔn)的最新款主板才行。

　　量產(chǎn)計劃

　　實際上，最早公布DDR5量產(chǎn)計劃的內(nèi)存廠商是Rambus，早在2017年Rambus就宣稱已經(jīng)在實驗室完成了DDR5內(nèi)存的研發(fā)，并打算在2019年量產(chǎn)，但是顯然Rambus的計劃并沒有能夠?qū)崿F(xiàn)。在2019年宣布量產(chǎn)DDR5內(nèi)存的廠商實際是鎂光和三星。不過在之前的信息中，DDR5內(nèi)存的規(guī)格是3200MHz和4800MHz兩種，而且內(nèi)存廠商也表示：即使DDR5是3200MHz的頻率，帶寬也依然比DDR4 3200要高出36%。所以大家一直以為DDR5內(nèi)存也會從3200MHz開始。

　　不過在JEDEC公布的DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中，顯然和之前廠商公布的計劃和性能有了區(qū)別。按照J(rèn)EDEC的說法，DDR5內(nèi)存的引腳帶寬（頻率）是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4800MHz起，頻率部分比DDR4 3200MHz增加了50%，而總傳輸帶寬則提升了38%。而最關(guān)鍵的一點(diǎn)是，DDR5內(nèi)存未來最高可達(dá)到的頻率為8400MHz，這幾乎奠定了未來數(shù)年里DDR5內(nèi)存在PC領(lǐng)域不可動搖的位置。

　　而在其他方面，根據(jù)公布的標(biāo)準(zhǔn)來看，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps。VDD電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，也就是減少功耗。此外，芯片級別的ECC、更好的設(shè)計伸縮性、更高的電壓耐受度等都保證了性能、產(chǎn)能、工藝水準(zhǔn)等。

　　此外在大家關(guān)注的容量問題上，目前DDR5內(nèi)存單顆芯片可以達(dá)到64Gb，也就是8GB，如果單面設(shè)計4顆芯片，那么內(nèi)存容量可以達(dá)到32GB，雙面則可達(dá)到64GB，如果單面做到8顆芯片，那么容量最大則可達(dá)到128GB。當(dāng)然至于內(nèi)存顆粒容量的設(shè)計，以及單條內(nèi)存最大的容量，則需要廠商自己衡量。從目前PC的發(fā)展來看，大內(nèi)存并不是剛需，所以至少在初期，單條DDR5內(nèi)存能做到16GB的容量就應(yīng)該能滿足用戶的需求了。應(yīng)該說在服務(wù)器上，大容量的DDR5內(nèi)存才有更多發(fā)揮的空間。

　　至于DDR5內(nèi)存正式應(yīng)用在PC平臺的時間點(diǎn)，現(xiàn)在來看用戶還需要等待一陣。即使是最激進(jìn)的AMD，在明年的Zen 3+處理器上，依然會使用DDR4內(nèi)存，而Intel明年發(fā)布的第十一代酷睿桌面處理器也會采用目前相同的針腳設(shè)計，這意味著Intel也會繼續(xù)使用DDR4內(nèi)存。AMD最早使用DDR5內(nèi)存的平臺將是今年的服務(wù)器平臺，但在民用PC平臺上要等待2022年的Zen 4架構(gòu)處理器才會用上DDR5；至于Intel則要等到十二代酷睿桌面處理器才有希望用上DDR5內(nèi)存，那也是2022年的事情。

　　所以不出意外的話，市場要在2022年才能看到大量DDR5內(nèi)存以及支持DDR5內(nèi)存的平臺上市。當(dāng)然，這并不妨礙現(xiàn)在廠商們就開始對DDR5的青睞，AMD、Intel、鎂光、三星、海力士等廠商紛紛為DDR5站臺表示全力支持，而鎂光和三星更是已經(jīng)開始正式量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。雖然要等待2022年才能用上DDR5內(nèi)存，不過Intel和AMD的新一代企業(yè)級平臺在下半年都將啟動，屆時都會采用DDR5服務(wù)器內(nèi)存。

　　這樣看來，反而是手機(jī)行業(yè)在內(nèi)存上走得比較快一點(diǎn)，至少現(xiàn)在LPDDR5內(nèi)存已經(jīng)在旗艦手機(jī)上普及了！等PC開始普及DDR5內(nèi)存的時候，估計手機(jī)的內(nèi)存應(yīng)該進(jìn)化到LPDDR5X了

　　2021年3月：國內(nèi)首家DDR5內(nèi)存實測數(shù)據(jù)官宣！性能秒殺DDR4

　　距離JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會2012-09-26公布DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范已經(jīng)接近9年的時間。2020年7月，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會也正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范，這意味著新一輪的內(nèi)存升級換代即將開始。

　　自2020年以來，5G、AI、汽車、電競市場需求的居高不下，加速推動了DDR產(chǎn)品迭代以及技術(shù)升級。DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后，DDR5新技術(shù)應(yīng)用也受到業(yè)內(nèi)的強(qiáng)烈關(guān)注，2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代的快速發(fā)展的重要階段。

　　作為眼下最前沿的存儲技術(shù)，DDR5可謂是風(fēng)光無兩。已經(jīng)有網(wǎng)友考慮是不是要等DDR5內(nèi)存產(chǎn)品出來再換新機(jī)？很明顯，在可以預(yù)見的未來數(shù)年內(nèi)，DDR5將為存儲市場再次注入無限活力。到底DDR5是不是像標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范里說的這么強(qiáng)呢？恐怕還得看看實測數(shù)據(jù)才能讓人信服。

　　DDR5內(nèi)存最高速率可達(dá)6400Mbps，是DDR4的兩倍

　　2021年3月，江波龍電子（以下簡稱“Longsys”）發(fā)布了Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1），涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標(biāo)準(zhǔn)型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。在實測檢驗中，DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。

　　全方位數(shù)據(jù)測試，性能穩(wěn)定突出

　　Longsys DRAM研發(fā)經(jīng)過多年的積累，在DDR5新一代產(chǎn)品上率先開展測試技術(shù)投入，此次測試特別選取了部分測試數(shù)據(jù)首次面向公眾開放。其中，展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發(fā)板，搭配Longsys DDR5 32GB 內(nèi)存模組，并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng)，分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數(shù)據(jù)。

　?。ㄍㄟ^BIOS了解到DDR5新架構(gòu)采用了兩個完全獨(dú)立的32位通道）

　　魯大師測試數(shù)據(jù)首先呈現(xiàn)的是硬件配置，內(nèi)存識別為Longsys ID。

　　魯大師測試中Longsys DDR5 32GB內(nèi)存的跑分高達(dá)19萬分有余

　　AIDA64測試數(shù)據(jù)通過測試，能夠獲取到Longsys DDR5 32GB內(nèi)存讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。

　　為了更加直觀地體現(xiàn)性能的提升力度，還加入了DDR4的測試對比。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，Longsys DDR5在性能上實現(xiàn)了很大的提升。

　　核心指標(biāo)揭秘，Longsys DDR5新技術(shù)強(qiáng)大之處

　　糾錯能力增加在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運(yùn)算能力上，Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯碼（ECC），全面實現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯能力，進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性，同時也緩解了系統(tǒng)錯誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫的高效機(jī)制。

　　增加16n的預(yù)取模式BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍，信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個完全獨(dú)立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。

　　端到端的接收模式的強(qiáng)化在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA、CS類信號也使用了ODT。因此，Longsys DDR5內(nèi)存進(jìn)一步減少了信號脈沖的反射干擾效應(yīng)，讓信號傳輸更加純凈。

　　DDR5 Bank Group 翻倍DDR5內(nèi)存使Bank Group的數(shù)量增加了一倍，并且每個Group的Bank數(shù)量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高了系統(tǒng)的整體效率，允許更多頁面同時被打開。

　　SAME-BANK Refresh刷新模式Longsys DDR5根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)還實現(xiàn)了一個新特性，稱為SAME-BANK Refresh（同步刷新）。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank，使所有其他Banks保持打開狀態(tài)以繼續(xù)正常操作。

　　出色的內(nèi)存解決方案，對市場將形成全方位影響力

　　FORESEE DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1）

　　未來的應(yīng)用場景不斷革新和進(jìn)步，對存儲技術(shù)提出了更嚴(yán)苛的要求，亦大大加速了DDR5發(fā)展進(jìn)程，各大主流平臺對于DDR5的支持也推進(jìn)迅速。據(jù)悉，Intel方面預(yù)計今年第三季度就有支持DDR5的平臺上市。而驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力來自對帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如服務(wù)器、云計算、數(shù)據(jù)中心、高性能計算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域均有望得到重點(diǎn)部署，此次迭代也為行業(yè)客戶提供了更出色的內(nèi)存解決方案。

　　Lexar雷克沙 DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1）

　　隨著全球大量資本進(jìn)入電競市場，促進(jìn)了電競行業(yè)日漸普及與成熟，這也讓電競玩家對內(nèi)存等電腦配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世，不僅能夠助力電競玩家擁有更流暢的電競體驗，亦能帶動電競行業(yè)的可持續(xù)性發(fā)展。非但如此，對于白領(lǐng)用戶，特別是設(shè)計師、剪輯師等對設(shè)備性能有剛需的職業(yè)，Lexar雷克沙DDR5可有效提高辦公效率，將更多時間留給創(chuàng)造性工作。

　　Longsys緊跟存儲技術(shù)發(fā)展前沿，為了滿足行業(yè)的專業(yè)人士以及廣大用戶對未來產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望，進(jìn)而為存儲行業(yè)應(yīng)用的未來提供更多可能性。此外，Longsys旗下技術(shù)型存儲品牌FORESEE以及高端消費(fèi)類存儲品牌Lexar雷克沙也將為各自主要應(yīng)用領(lǐng)域提供強(qiáng)有力的支持。

　　盡管Longsys內(nèi)存產(chǎn)品線起步較晚，但能夠在技術(shù)創(chuàng)新的征途上愈戰(zhàn)愈勇，源于Longsys專注存儲行業(yè)20余年的技術(shù)底蘊(yùn)，以及打造高品質(zhì)存儲產(chǎn)品的決心。截止2021年3月12日，Longsys申請專利總數(shù)達(dá)到838個，其中境外專利申請178項；已授權(quán)且維持有效專利411項、其中境外授權(quán)且維持有效專利83項；軟件著作權(quán)65項。在緊握自主創(chuàng)新能力的同時，注重對知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)。

　　在大家重點(diǎn)關(guān)注的2021年，Longsys將會給用戶提供更多DDR5產(chǎn)品規(guī)格和技術(shù)服務(wù)，助力行業(yè)客戶、終端用戶投入DDR5到未來的應(yīng)用場景中，為存儲生態(tài)領(lǐng)域增添色彩。

　　2021年3月：宇瞻宣布推動成立DDR5生態(tài)聯(lián)盟

　　三星、美光、SK海力士的DDR5芯片已經(jīng)出樣測試了，DDR5內(nèi)存模組也有產(chǎn)品亮相，就是還需等待平臺支持。

　　內(nèi)存大廠宇瞻宣布推動成立DDR5生態(tài)聯(lián)盟，公布DDR5全產(chǎn)品線發(fā)展藍(lán)圖，涵蓋服務(wù)器、工業(yè)級、消費(fèi)型與電競四大類別。

　　宇瞻表示，為了讓DDR5內(nèi)存盡快落地，除了支持平臺之外，零部件整合與測試的作用也不可小視。

　　在DDR5生態(tài)聯(lián)盟中，從DRAM芯片顆粒、CPU、主板，關(guān)鍵零組件如PCB、RCD、DB、電源管理IC、SPD Hub與溫度感測器，到測試軟件與SPD燒錄器，聯(lián)盟將以群策群力的方式整合DDR5關(guān)鍵技術(shù)驗證，加速上下游伙伴技術(shù)發(fā)展及深化，成功打造目前最接近量產(chǎn)的DDR5芯片。

　　根據(jù)宇瞻的消息，他們的DDR5內(nèi)存首先會選擇UDIMM規(guī)格，接著是RDIMM、SODIMM，也就是PC桌面級內(nèi)存先發(fā)，然后才是服務(wù)器、筆記本市場。

　　DDR5支持平臺主要是Intel的12代酷睿Alder Lake系列，服務(wù)器級的Sapphire Rapids-SP，AMD的平臺主要是Zen4架構(gòu)EPYC，也是下下代的Genoa，預(yù)計在2022年問世。

　　至于產(chǎn)品的上市時間，DDR5內(nèi)存將在今年下半年開始送樣，2022年才會大規(guī)模量產(chǎn)。

　　2021年4月：首批國產(chǎn)阿斯加特DDR5內(nèi)存量產(chǎn)下線，美光顆粒，4800MHz

　　今年3月底，國內(nèi)廠商嘉合勁威表示，正在積極備貨DRAM內(nèi)存顆粒，有機(jī)會國內(nèi)率先量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。4月26日，嘉合勁威旗下品牌阿斯加特宣布，首批DDR5內(nèi)存條量產(chǎn)入倉，已經(jīng)完成備貨，預(yù)計會在英特爾和AMD發(fā)布下一代處理器的時候上市。

　　早在今年2月份，阿斯加特就推出了首款DDR5內(nèi)存條。3月份，美光的DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒到廠后，嘉合勁威就進(jìn)入積極備貨狀態(tài)，截至今日，首批產(chǎn)品終于量產(chǎn)下線，不過距離上市銷售還需要較長一段時間。

　　阿加斯特首批DDR5內(nèi)存條采用美光DRAM顆粒制造，提供16GB和32GB兩個容量規(guī)格，頻率均為4800MHz，電壓1.1V，時序為40-40-40。首批產(chǎn)品定位為入門級，規(guī)格性能并不高，主要是為了滿足玩家嘗鮮的需求。

　　阿拉斯加官方表示，未來還會生產(chǎn)更大容量，更高頻率的DDR5內(nèi)存。從目前曝光的信息中了解到，阿拉斯特目前所研發(fā)的高規(guī)格DDR5內(nèi)存中，最高為128GB 6400MHz，預(yù)計在2022年量產(chǎn)。另外還有128GB/64GB 5600MHz規(guī)格的型號，計劃在下半年進(jìn)行生產(chǎn)和發(fā)布。

　　和DDR4內(nèi)存相比，DDR5功耗更低，穩(wěn)定性和安全性更高，而且在容量、頻率等方面能實現(xiàn)數(shù)倍的提升，有助于更徹底地發(fā)揮處理器的性能。嘉合勁威公布的數(shù)據(jù)顯示，DDR5內(nèi)存在讀寫、拷貝速度上顯著高于DDR4內(nèi)存，但延遲較高。不過，該內(nèi)存將支持On-die-ECC糾錯功能，且單條即可實現(xiàn)雙通道，相比DDR4內(nèi)存的升級還是非常大的。

　　上個月，外媒曝光了三星首款DDR5內(nèi)存，據(jù)說是基于HKMG工藝技術(shù)打造，單條最高容量可達(dá)到512GB，頻率可達(dá)到7200MHz，相比DDR4內(nèi)存，提升幅度相當(dāng)驚人。目前阿加斯特最高規(guī)格型號與三星相比也有很大差距，看來在高端內(nèi)存方面，國內(nèi)廠商還需要繼續(xù)努力。

　　不過，DDR5內(nèi)存并沒有那么快普及，最快需要等到英特爾12代酷睿和600系列主板的發(fā)布，才會正式支持DDR5內(nèi)存。所以，大家不需要急著想買DDR5內(nèi)存，現(xiàn)在能買到也用不了。

　　2021年5月：金士頓DDR5內(nèi)存預(yù)計第三季度發(fā)貨

　　2021年注定是DDR5內(nèi)存元年，多家內(nèi)存品牌最近都曝光了DDR5內(nèi)存條，現(xiàn)在全球內(nèi)存著名廠商金士頓的DDR5內(nèi)存也來了，預(yù)計Q3季度上市。該內(nèi)存不僅會支持XMP超頻文件，還可以獨(dú)立控制電源管理，這將帶來額外的內(nèi)存超頻靈活性，使得內(nèi)存電壓可以超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的1.1V。金士頓預(yù)計在Q3季度開始上市 DDR5內(nèi)存，不出意外的話首發(fā)應(yīng)該是Intel的Alder Lake平臺，也就是12代酷睿，現(xiàn)在基本上確認(rèn)配套的600系主板支持DDR5內(nèi)存。

　　未來DDR5內(nèi)存的頻率有望超過10000MHz。預(yù)計在今年，金士頓會推出16GB、32GB、64GB、128GB的內(nèi)存產(chǎn)品，速度為4800MHz或5600MHz。DDR5內(nèi)存的性能有望提升至DDR4的兩倍，目前DDR4內(nèi)存的極限超頻頻率為7GHz，因此新一代內(nèi)存超頻至10GHz將十分有可能。

　　DDR5內(nèi)存的問世，為桌面電腦性能的提升提供了可靠的硬件保障。DDR5內(nèi)存的起跳頻率就在4800MHz，相對于DDR4提升了38%，最高頻率未來更是有可能達(dá)到1000MHz。據(jù)悉DDR5內(nèi)存將從16GB起步，這也就意味著內(nèi)存單顆核心容量可以達(dá)到2GB，理論上內(nèi)存最大容量可以達(dá)到512GB。高頻和大容量內(nèi)存可以大幅提高電腦的響應(yīng)時間和多任務(wù)處理器能力。

　　帶有PCIe 5.0和DDR5內(nèi)存的英特爾Alder Lake-S CPU將在11月上市

　　英特爾將在今年11月推出其第12代Alder Lake-S處理器，并支持最新的內(nèi)存和I / O技術(shù)，例如DDR5，PCIe 5.0等。這家總部位于克拉拉（Clara）的芯片制造商目前正在向其董事會合作伙伴介紹新產(chǎn)品的發(fā)布情況，并由他們來決定自己的主板將支持更新的DDR5內(nèi)存接口還是堅持使用DDR4。

　　正如之前的報道，預(yù)算H610和B660板將保留DDR4內(nèi)存，而更高端的Z690陣容將過渡到DDR5。這意味著Core i3和低端Core i5 SKU將主要使用DDR4內(nèi)存，而Core i7和i9部件將利用更快的DDR5內(nèi)存?？梢哉f關(guān)于PCIe 5.0的支持也是如此，因為它需要增加的層數(shù)。

　　由于該公司將改用Alder Lake-S更新的LGA1700插座，因此現(xiàn)有的散熱器將再次不兼容，并且用戶升級也必須在該方面進(jìn)行新的購買。

　　就核心架構(gòu)本身而言，您可能聽說過數(shù)百次，Alder Lake將采用混合核心架構(gòu)，其中包含高性能（Golden Cove）核心集群和低功耗（Grace Mont）核心集群。它的主要測試將在軟件方面，因為較舊的應(yīng)用程序可能無法區(qū)分兩個不同的群集，從而導(dǎo)致性能不理想。

　　考慮到英特爾在PC市場中的影響力，大多數(shù)主流應(yīng)用程序和游戲應(yīng)迅速優(yōu)化并適當(dāng)支持新處理器?？紤]到Grace Mont或多或少會與Skylake（盡管在較低頻率下）相提并論，因此應(yīng)該在某種程度上減輕了AMD和Intel之間的核心數(shù)量差異。但是，由于AMD仍在使用同構(gòu)核心設(shè)計，因此應(yīng)在多線程性能領(lǐng)域中保持領(lǐng)先地位。

　　三星推出模組電源管理芯片解決方案

　　現(xiàn)在三星已經(jīng)推出了面向DDR5雙列直插式存儲模塊（DIMM）的集成式電源管理芯片（PMIC）。其中包括S2FPD01、S2FPD02、以及S2FPC01。

　　據(jù)悉，新一代DDR5DRAM的一項重大設(shè)計改進(jìn)，就是將PMIC也集成到了內(nèi)存模組上（前幾代仍將PMIC放在主板端）。

　?。▉碜裕篠amsung Newsroom）

　　TechPowerUp 指出，集成 PMIC 的最大益處，就是能夠帶來更高的兼容性和信號完整度，輔以持久可靠的性能表現(xiàn)。

　　為了提升性能效率和負(fù)載下的瞬態(tài)響應(yīng)，三星還為面向 DDR5 內(nèi)存模組的新型 PMIC 配備了高效率的混合柵極驅(qū)動和專有的控制設(shè)計（基于異步的雙相降壓控制方案）。

　　該方案允許 DC 電壓的高瞬態(tài)響應(yīng)輸出，負(fù)載電流的變化也能夠適時地調(diào)整轉(zhuǎn)換，以將輸出電壓有效地調(diào)節(jié)到接近恒定的水平。輔以脈沖寬度和脈沖頻率調(diào)制方法，可防止切換模式時的延遲和故障。

　　三星表示，對于實時運(yùn)行繁重的分析、機(jī)器 / 深度學(xué)習(xí)、以及其它各種計算密集型任務(wù)的數(shù)據(jù)中心 / 企業(yè)服務(wù)器來說，S2FPD01 和 S2FPD02 這兩款 DDR5 DIMM PMIC 能夠助其實現(xiàn)最佳性能。

　　具體說來，F(xiàn)PD01 專為低密度模組而設(shè)計，而 FPD02 能夠?qū)崿F(xiàn)更高的密度。此外通過實現(xiàn)高效的混合柵極驅(qū)動（而不是線性穩(wěn)壓器），三星新型 PMIC 可達(dá)成 91% 的運(yùn)行功率能效。

　　至于 S2FPC01 這款 PMIC，則是專為臺式機(jī) / 筆記本電腦而設(shè)計。其采用 90nm 工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計，能夠以較小的封裝帶來更高的敏捷性能。

　　目前上述三款 DDR5 DIMM PMIC 正在向客戶出樣，相信不久后，我們就可以在諸多不同的應(yīng)用領(lǐng)域都見到它們的身影。

　　DDR4內(nèi)存漲價，該不該等DDR5？

　　由于需求的增加以及廠商的減產(chǎn)，從2020年底開始，市面上內(nèi)存價格就出現(xiàn)比較明顯的上漲，直到現(xiàn)在價格還未到定點(diǎn)。因此就有用戶覺得既然DDR5內(nèi)存就要來了，這時是不是就不用買DDR4了，直接上DDR5呢？

　　DDR4內(nèi)存漲價明顯

　　在2020年中的時候，DDR4內(nèi)存價格觸底，甚至出現(xiàn)了比較嚴(yán)重的庫存積壓問題。產(chǎn)品價格太低，會影響上游廠商的盈利。所以從去年下半年開始，三星、SK海力士和美光三家紛紛削減內(nèi)存資本開支，意味廠商著要削減內(nèi)存芯片產(chǎn)能，影響市場上的供需平衡。再加上去年頻發(fā)的意外事件，比如中國臺灣的美光晶圓廠多次出現(xiàn)停工，三星華城芯片工廠則是因為區(qū)域電力傳輸電纜出現(xiàn)問題而斷電，導(dǎo)致三星停產(chǎn)了3天DRAM內(nèi)存顆粒，相當(dāng)于全球1%的產(chǎn)能。

　　在這些因素共同的努力下，從去年底開始，DDR4內(nèi)存價格終于上漲，去年才300多元的DDR4 3200 16GB現(xiàn)在價格已經(jīng)翻倍，達(dá)到了600元以上。與此同時，更老的DDR3內(nèi)存因為缺貨價格漲得更多，像駭客神條 Fury雷電系列DDR4 1600 8GB都賣到499元。

　　DDR5頻率、容量暴漲

　　去年7月15日，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式發(fā)布了DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范：DDR5內(nèi)存起步頻率3200MHz，最高可達(dá)到6400MHz，比起DDR4 2400MHz的起步頻率高了不少，目前各廠商首先宣布的產(chǎn)品，頻率都是從4800MHz起跳，頻率提升的同時，性能上也有更好的表現(xiàn)。與此同時，DDR5內(nèi)存的容量也更大，各家首發(fā)產(chǎn)品基本都是16GB起，而且內(nèi)存工作電壓為1.1V，比DDR4的1.2V低。

　　一句話總結(jié)，DDR5內(nèi)存的優(yōu)勢在于速度更快、功耗更低、且支持芯級ECC糾錯。既然DDR5內(nèi)存的優(yōu)勢如此明顯，而且從各方的消息來看，今年無論是DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品還是相關(guān)的平臺都會上市，那么現(xiàn)在是否應(yīng)該放棄DDR4直接等DDR5呢？

　　DDR5想要普及尚需時日，2022年都難

　　雖然各大內(nèi)存廠商非常重視DDR5內(nèi)存，很快就推出了DDR5內(nèi)存的樣品，但是DDR5內(nèi)存想要取代DDR4卻不是一朝一夕。先不說DDR5內(nèi)存的上市價格（估計不會便宜），僅從平臺對其的支持進(jìn)度就能一窺究竟。

　　商用平臺對普通玩家影響不大，我們主要考查的是消費(fèi)級平臺對于 DDR5內(nèi)存的支持情況。Intel方面，年底推出的Alder Lake第12代酷睿就將加入對DDR5內(nèi)存的支持。可是從目前的情況來看，這一代酷睿平臺應(yīng)該也是DDR4/DDR5共存的情況。有消息披露華碩的旗艦、高端Z690主板都會搭配DDR5內(nèi)存，中低端則繼續(xù)搭檔DDR4內(nèi)存?？梢娫诘?2代酷睿平臺上，DDR5內(nèi)存很可能只面對高端用戶群體，不菲的價格并不是主流玩家所能承受的，他們的選擇依然是DDR4內(nèi)存。當(dāng)然也不排除中端會出現(xiàn)同時提供DDR5/DDR4兩種內(nèi)存插槽的產(chǎn)品，DDR2/3、DDR3/4過渡時代都曾有此類產(chǎn)品，但這并不是主流。

　　至于AMD方面，Zen4新平臺的上市時間就有些撲朔迷離了。剛開始說今年第5nm制程并支持DDR5內(nèi)存的Zen4處理器就將上市?？墒亲钚孪⑹?，在Zen4之前AMD還有一代過渡性質(zhì)的升級版的Zen3 XT或者叫Zen3 Refresh。要到2022年9~10月份才會宣布，10~11月份上市，也就是說從現(xiàn)在算起還有一年半的時間我們才能買到Zen4架構(gòu)的銳龍7000處理器。

　　可見DDR5想要普及的速度其實并不快，Intel平臺雖然可以率先支持，但可能只是高端主板才能支持。而 AMD Zen4平臺甚至明年底才會推出，產(chǎn)品大規(guī)模上市也就是2023年的事情了。

　　可以說消費(fèi)級平臺真正要全面支持DDR5內(nèi)存，也要等到2023年才會完全普及，如果你等不了那么久的話，不妨繼續(xù)用DDR4吧。

　　結(jié)語：DDR5內(nèi)存上市時間或延后，價格由市場決定

　　2021年，

　　3月，有消息說DDR5內(nèi)存下半年出樣：2022年量產(chǎn)。

　　4月，嘉合勁威旗下品牌阿斯加特宣布，首批DDR5內(nèi)存條量產(chǎn)入倉，已經(jīng)完成備貨，預(yù)計會在英特爾和AMD發(fā)布下一代處理器的時候上市。

　　阿拉斯特目前所研發(fā)的高規(guī)格DDR5內(nèi)存中，最高為128GB 6400MHz，預(yù)計在2022年量產(chǎn)。另外還有128GB/64GB 5600MHz規(guī)格的型號，計劃在下半年進(jìn)行生產(chǎn)和發(fā)布。

　　5月，有消息表示金士頓DDR5內(nèi)存預(yù)計第三季度發(fā)貨。

　　然而，由于受到疫情影響導(dǎo)致芯片短缺，波及各產(chǎn)業(yè)鏈和生產(chǎn)代工廠，因此，DDR5內(nèi)存的上市時間或許會延后。

　　由于內(nèi)存市場波動很大，DDR5上市以后的價格也將根據(jù)當(dāng)時的情況由廠家和市場決定。