德國慕尼黑工業(yè)大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的科研團(tuán)隊首次成功地采用尺寸只有幾個納米的等離激元微型天線,在芯片上生成頻率達(dá)10THz超短電脈沖,然后通過芯片運行這些電脈沖,并以一種可控的方式讀取它們。
背景
傳統(tǒng)電子器件的頻率一般可達(dá)到100GHz左右。光電子器件采用起始于10THz的電磁波。這一頻率范圍(100GHz ~ 10THz)的電磁波也被稱為“太赫茲波”。
太赫茲波技術(shù)的用途卻非常廣泛,例如:射電天文學(xué)、醫(yī)學(xué)、通信、雷達(dá)、電子對抗、電磁武器、無損檢測、軍事等諸多領(lǐng)域。為了使大家能夠更直接地了解太赫茲技術(shù)的應(yīng)用,首先讓我們回顧一下筆者以往介紹過的兩個典型案例:
1)美國麻省理工學(xué)院的研究人員利用太赫茲技術(shù),對于一本合上的書中的書頁內(nèi)容進(jìn)行成像。這樣一來,你無需翻開書本,就可以閱讀其中的內(nèi)容。
?。▓D片來源:Barmak Heshmat)
2)俄羅斯莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)的科學(xué)家與他們的德國和荷蘭同事一起研發(fā)出用太赫茲頻段的電磁脈沖切換計算機(jī)存儲單元的存儲狀態(tài),比磁感應(yīng)開關(guān)的速度快幾千倍。
?。▓D片來源:莫斯科物理技術(shù)學(xué)院)
然而,在太赫茲頻率范圍內(nèi)生成、轉(zhuǎn)換、檢測信號的元件卻非常難以實現(xiàn)。
創(chuàng)新
近日,德國慕尼黑工業(yè)大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的科研團(tuán)隊首次成功地采用尺寸只有幾個納米的金屬天線,在芯片上生成超短電脈沖,然后在表面之上幾毫米處運行信號,并以一種可控的方式讀取它們。
相關(guān)實驗得到了歐洲研究委員會(ERC)的“NanoREAL”項目和“慕尼黑納米系統(tǒng)創(chuàng)新集群”(NIM)的資助。
如下圖所示:從泵浦激光器(左)發(fā)射出的飛秒脈沖產(chǎn)生出太赫茲頻率的片上電脈沖。通過右邊的激光器,信息被再一次讀取。
?。▓D片來源:Christoph Hohmann / NIM, Holleitner / TUM)
TUM 的物理學(xué)家 Alexander Holleitner 和 Reinhard Kienberger 成功地采用等離激元微型天線,生成頻率達(dá)10THz 的電脈沖,并通過芯片運行這些電脈沖。研究人員之所以稱之為“等離激元”天線,是因為它們的形狀。它們在金屬表面上增加光線強(qiáng)度。
技術(shù)
天線的形狀很重要。它們是不對稱的:納米尺寸的金屬結(jié)構(gòu)的一側(cè)比另外一側(cè)更尖。當(dāng)透鏡聚焦的激光脈沖激發(fā)天線時,天線在較尖的一側(cè)發(fā)射的電子比較平的另外一側(cè)更多。兩個接觸點之間會有電流產(chǎn)生,但是只在天線被激光激發(fā)的情況下。
如下圖所示:具有由藍(lán)寶石上的黃金制成的非對稱等離激元天線的芯片的電子顯微圖像。
?。▓D片來源:A. Holleitner / TUM)
論文領(lǐng)導(dǎo)作者 Christoph Karnetzky 表示:“在光電效應(yīng)中,光脈沖誘發(fā)電子從金屬進(jìn)入真空。所有的光照效果都是在較尖的一側(cè)更強(qiáng),包括我們用于生成少量的電流的光電效應(yīng)。”
光脈沖僅僅持續(xù)幾飛秒(1飛秒只有1秒的一千萬億分之一),相應(yīng)地,天線中的電脈沖也很短。從技術(shù)角度說,這種結(jié)構(gòu)特別有趣,是因為納米天線可被集成到尺寸僅為幾毫米的太赫茲電路中。
Karnetzky稱,通過這種方式,頻率為200THz 的飛秒激光脈沖能在芯片上的電路中生成頻率達(dá)10THz超短的太赫茲信號。
研究人員采用藍(lán)寶石作為芯片材料,因為它不會受到光學(xué)刺激,因此不會產(chǎn)生干擾??紤]到未來的實際應(yīng)用,他們也采用了在傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)光纖中應(yīng)用的波長為1.5微米的激光。
Holleitner 及其同事還有另外一個驚人的發(fā)現(xiàn):電脈沖和太赫茲脈沖都與激光器使用的激勵功率非線性相關(guān)。這表明,天線中的光電效應(yīng)是由每個光脈沖中的多光子吸收觸發(fā)的。
價值
這項技術(shù)將促進(jìn)強(qiáng)大的新型太赫茲元件的開發(fā)。此外,Alexander Holleitner 稱:“如此快速、非線性的片上脈沖之前一直不存在?!彼M眠@一效應(yīng),在天線中探索更快速的隧道發(fā)射效應(yīng),并將它們應(yīng)用于芯片。