1月19日，湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房完成封頂。標志著湖南三安第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目(一期)Ⅰ標段主體工程完工，預計今年6月份有望實現(xiàn)全面投產(chǎn)。

此前，湖南三安半導體項目（一期）Ⅰ標段已相繼完成M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房和濺鍍廠房位主體結構封頂。

據(jù)了解，湖南三安半導體項目總占地面積1000畝，總投資160億元，項目分兩期建設，主要包含碳化硅長晶、襯底、外延、芯片、器件封裝等廠房及相關配套設施建設，項目產(chǎn)品為高質量、低成本、高穩(wěn)定性碳化硅襯底及各類器件，可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等。

湖南三安半導體有限責任公司項目管理部經(jīng)理張博若表示，項目全部建成后預計可實現(xiàn)年產(chǎn)值120億元以上，可直接提供4500個就業(yè)崗位，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計超1000億元，提供近10000個就業(yè)崗位。

第三代半導體材料及器件已成為當前全球半導體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點之一，引發(fā)了新一代科技變革，屬于國家重點支持的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。項目的實施將推動長沙先進半導體產(chǎn)業(yè)的壯大，助力長沙在化合物半導體領域形成國內領先地位。