《電子技術(shù)應(yīng)用》
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年增近三成,臺積電資本支出又創(chuàng)新高

2021-01-06
來源:聯(lián)合新聞網(wǎng)

龐大資本支出是半導(dǎo)體制造業(yè)維持競爭優(yōu)勢的必要投資,晶圓代工龍頭臺積電持續(xù)擴(kuò)展版圖、沖刺先進(jìn)制程,業(yè)界傳出,臺積電今年資本支出規(guī)模將達(dá)220億美元,超乎預(yù)期,創(chuàng)歷史新高,年增幅度近三成。

在全球晶圓代工先進(jìn)制程之爭上,緊跟在臺積電之后的三星電子,2020年資本支出約達(dá)3572萬億韓元,其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)占二十八點(diǎn)九兆韓元。根據(jù)外電報導(dǎo),三星2021年的半導(dǎo)體資本支出將不低于2020年。處理器巨人英特爾2020年的資本支出金額,則在142至145億美元之間。

與上述兩家業(yè)界大廠相比,臺積電的資本支出雖然低于三星,但是高出英特爾不少。三星在晶圓代工部分積極投資以追趕臺積電的心思眾人皆知;英特爾先進(jìn)制程訂單是否會于近期決定釋出代工訂單給臺積電,受到外界矚目。

對于今年的資本支出金額,臺積電表示,該公司2021年資本支出將于一月十四日的法說會上公布。

臺積電因應(yīng)先進(jìn)制程投資龐大,近年資本支出維持高檔,2016年首度沖破100億美元、達(dá)102億美元。去年初宣布2020年資本支出為150億至160億美元,即便新冠肺炎疫情肆虐,臺積電去年7月還上修年度資本支出到160億至170億美元,并于去年10月的法說會中,定調(diào)全年資本支出為170億美元。

臺積電持續(xù)發(fā)展3納米及以下先進(jìn)制程,相關(guān)制程仰賴要價不斐的極紫外光(EUV)機(jī)臺支援。由于一臺EUV機(jī)臺售價逾1億歐元,市場先前盛傳,臺積電今年資本支出將首度站上200億美元大關(guān),等于六年內(nèi)從100億美元翻倍,巨額投資顯示臺積電維持技術(shù)領(lǐng)先的企圖心。

業(yè)界人士估計,臺積電今年資本設(shè)備的投資重點(diǎn),應(yīng)是5納米、3納米制程相關(guān)廠務(wù)與設(shè)備投資,還有一部分投入先進(jìn)封裝及2納米制程研發(fā)。

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者表示,臺積電5納米制程已量產(chǎn),目前月產(chǎn)能約六萬片,正持續(xù)擴(kuò)充,預(yù)計到今年下半年時,可達(dá)到約每月十萬片規(guī)模。業(yè)者透露,臺積電對3納米制程布局相當(dāng)積極,初期月產(chǎn)能約一萬到三萬片,后續(xù)規(guī)劃的總產(chǎn)能規(guī)模將比5納米制程還要多。


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