華為創(chuàng)始人任正非表示目前影響國產芯片的主要是芯片制造跟不上設計的腳步,這是事實么?

國產芯片設計水平居于領先地位的無疑就是華為海思,任正非說國產芯片在設計方面居于全球領先地位,應該就是說華為海思在芯片設計方面居于領先地位。華為海思研發(fā)的高端芯片在性能方面已能與手機芯片老大高通、三星等比肩,從這個方面來說,華為海思確實可以說達到了領先水平。

不過值得注意的是華為海思其實還是受到ARM的制約,華為海思研發(fā)的手機芯片基本都是采用ARM的公版CPU核心和GPU核心,一旦雙方的合作出現(xiàn)障礙,華為就無法跟上世界的腳步,例如去年的麒麟990 5G芯片和今年的麒麟9000芯片都未采用ARM最新的公版核心,導致性能方面落后于高通和三星。

由此可見華為在研發(fā)先進芯片方面其實收到ARM的制約,ARM給與它最先進的技術授權,華為海思才能設計出最先進的芯片,一旦ARM與它的合作受阻,它的芯片技術就受到重大的阻礙。

華為在手機芯片方面確實具有了較強的技術優(yōu)勢,不過它的這種領先優(yōu)勢其實還是有一定的局限性。如果放到中國整個芯片產業(yè)來說,中國在芯片設計方面的技術領先優(yōu)勢就更為有限了。

芯片多種多樣,據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)指全球芯片市場有大約一半來自美國。美國能在全球芯片行業(yè)居于絕對的領先地位,得益于它保持100多年的全球制造業(yè)一哥地位,這種深厚的積累才奠定了它如今在芯片行業(yè)的領導地位。

對于中國來說,中國僅僅是在手機芯片的某個方面具有一定的技術領先優(yōu)勢,在整體上于海外芯片企業(yè)的還是有一定的差距的。如果從各個芯片行業(yè)來說,中國落后的地方就更多了。

在存儲芯片行業(yè),中國的存儲芯片才剛剛起步,長江存儲和合肥長鑫去年才投產存儲芯片,當然值得高興的是長江存儲今年已研發(fā)出于全球主流水平相當?shù)?28層NAND flash,但是中國的存儲芯片產能占全球的比例還太小,預計到明年才能占有一成多點的市場份額。

中國在模擬芯片方面的落戶更是人所共知,據(jù)稱中國生產的模擬芯片占全球模擬芯片的比例只有一成左右,而且中國生產的模擬芯片主要是低端芯片,高端的模擬芯片幾乎全數(shù)進口,華為恰恰在模擬芯片方面幾乎完全受制于美國,這個行業(yè)恐怕需要十年乃至更長時間才能趕得上。

中國的芯片設計技術落后在于缺乏人才,畢竟中國直到近十年時間才真正重視芯片產業(yè),而芯片設計人才不是大學畢業(yè)生努力幾年就成為人才的,以當下技術薄弱的模擬芯片來說,這往往是技術工程師經過數(shù)十年的努力積累的經驗才能開發(fā)出相應的產品,而中國科技企業(yè)過于重視年輕化,這恰恰不利于技術和經驗的積累。

總的來說,任正非說的中國在芯片設、計方面已達到領先水平也不算錯,畢竟有某些細分領域確實如此,但是更應該清醒的認識到中國在芯片設計技術方面其實落后海外太多。