今日，在華為官方發(fā)布的《任總在C9高校校長一行來訪座談會上的講話》一文中，任正非明確表示，我國芯片設計已經(jīng)步入世界領先，達到世界第一水平的芯片制造技術在臺灣。但是大陸芯片產(chǎn)業(yè)的最大問題就是制造設備與基礎工業(yè)，制造沒有追上芯片設計的腳步，造成芯片行業(yè)的短板效應，因為容易被人卡脖子。

國產(chǎn)芯片設計水平居于領先地位的無疑就是華為海思，任正非說國產(chǎn)芯片在設計方面居于全球領先地位，應該就是說華為海思在芯片設計方面居于領先地位。華為海思研發(fā)的高端芯片在性能方面已能與手機芯片老大高通、三星等比肩，從這個方面來說，華為海思確實可以說達到了領先水平。

縱觀全球，只有三星、英特爾等少數(shù)幾家企業(yè)能完成芯片全套的程序。海思芯片用到了很多ARM的技術架構，目前海思芯片還無法完全脫離ARM所建立的技術底層。

華為海思研發(fā)的手機芯片基本都是采用ARM的公版CPU核心和GPU核心，一旦雙方的合作出現(xiàn)障礙，華為就無法跟上世界的腳步，例如去年的麒麟990 5G芯片和今年的麒麟9000芯片都未采用ARM最新的公版核心，導致性能方面落后于高通和三星。

由此可見華為在研發(fā)先進芯片方面其實收到ARM的制約，ARM給與它最先進的技術授權，華為海思才能設計出最先進的芯片，一旦ARM與它的合作受阻，它的芯片技術就受到重大的阻礙。當然了，華為目前也在建立自己的底層技術。

華為在手機芯片方面確實具有了較強的技術優(yōu)勢，不過它的這種領先優(yōu)勢其實還是有一定的局限性。如果放到中國整個芯片產(chǎn)業(yè)來說，中國在芯片設計方面的技術領先優(yōu)勢就更為有限了。

芯片多種多樣，據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)指全球芯片市場有大約一半來自美國。美國能在全球芯片行業(yè)居于絕對的領先地位，得益于它保持100多年的全球制造業(yè)一哥地位，這種深厚的積累才奠定了它如今在芯片行業(yè)的領導地位。

對于中國來說，中國僅僅是在手機芯片的某個方面具有一定的技術領先優(yōu)勢，在整體上于海外芯片企業(yè)的還是有一定的差距的。如果從各個芯片行業(yè)來說，中國落后的地方就更多了。

在存儲芯片行業(yè)，中國的存儲芯片才剛剛起步，長江存儲和合肥長鑫去年才投產(chǎn)存儲芯片，當然值得高興的是長江存儲今年已研發(fā)出于全球主流水平相當?shù)?28層NAND flash，但是中國的存儲芯片產(chǎn)能占全球的比例還太小，預計到明年才能占有一成多點的市場份額。

在模擬芯片方面的落后更是人所共知，據(jù)稱中國生產(chǎn)的模擬芯片占全球模擬芯片的比例只有一成左右，而且中國生產(chǎn)的模擬芯片主要是低端芯片，高端的模擬芯片幾乎全數(shù)進口，華為恰恰在模擬芯片方面幾乎完全受制于美國，這個行業(yè)恐怕需要十年乃至更長時間才能趕得上。

正如余承東所說，華為一家公司的力量也是有限的，麒麟芯片之所以受限，主要原因就是因為國內(nèi)找不到一家高端的芯片制程商為麒麟芯片服務。芯片制造的每一臺設備、每一項材料都非常尖端、非常難做，沒有高端的有經(jīng)驗的專家是做不出來的。

所以，當前國產(chǎn)芯片最大的難題還是在于芯片的制程方面，整個芯片差距要在于制造，芯片制造能力，芯片制造設備研發(fā)能力，背后是基礎科學、工程科學、應用科學的沉積。

因而，我們國家要重視裝備制造業(yè)、化學產(chǎn)業(yè)?；瘜W就是材料產(chǎn)業(yè)，材料就是分子、原子層面的科學。需要出來更多的尖子人才和交叉創(chuàng)新人才，才會有突破的可能。

任正非還表示，望國內(nèi)頂尖大學不要過度關注眼前工程與應用技術方面的困難，要專注在基礎科學研究突破上，“向上捅破天、向下扎下根”，努力在讓國家與產(chǎn)業(yè)在未來不困難。