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官宣!中芯國際“N+1”工藝成功流片!

2020-10-12
來源:芯路芯語

  10月11日,中國領先的一站式IP和定制芯片領軍企業(yè)芯動科技(INNOSILICON)官宣:已完成了全球首個基于中芯國際FinFET  N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產(chǎn),功能一次測試通過,這是過去數(shù)月工藝迭代和共同努力后獲得的里程碑成果。

  “N+1”是中芯國際對其第二代先進工藝的代號,其與現(xiàn)有的14nm工藝相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%,也被稱為“國產(chǎn)版”的7nm芯片技術。

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  芯動科技持續(xù)聚焦全球先進工藝芯片IP和定制,擁有自主全系列高帶寬高性能計算IP技術,多次在先進工藝上填補國內空白,核心技術支持了全球客戶數(shù)十億顆高端SOC量產(chǎn)。

  自2019年始,芯動在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下,團隊全程攻堅克難,投入數(shù)千萬元設計優(yōu)化,率先完成NTO流片?;贜+1制程的首款芯片經(jīng)過數(shù)月多輪測試迭代,助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。

  芯動科技與全球知名代工廠已有多年國產(chǎn)IP生態(tài)共建的合作,為大量國內和全球客戶實現(xiàn)從成熟工藝(55nm、40nm、28nm、22nm等)到先進工藝(如FinFET 14nm、12nm、7nm等)的不斷跨越,在各先進工藝中規(guī)模IP授權和定制批量生產(chǎn)高端SOC,包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先進技術規(guī)模量產(chǎn),連續(xù)多年獲得中芯國際“最佳IP合作伙伴”獎。

  如今,芯動科技基于國產(chǎn)N+1新工藝的率先里程碑NTO流片驗證成功,為國產(chǎn)半導體生態(tài)鏈再立新功。

  芯動科技與長電科技的糾葛

  值得一提的是:在今年4月,芯動科技起訴長電科技發(fā)索賠2500萬美元(約合人民幣1.75億元)一事,受到業(yè)內外的廣泛關注。

  1、長電科技嚴正聲明:堅決抵制芯動公司商業(yè)欺詐訛詐行為

  2、芯動科技:關于長電科技不實聲明的澄清公告

  無論如何,讓我們:恭喜,芯動科技!恭喜,中芯國際!恭喜,中國芯片!

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