集成電路關乎國家信息安全的命脈，其進口額是石油進口額的兩倍，雖然中國大陸涌現(xiàn)了一批優(yōu)秀的半導體企業(yè)，但與世界巨頭相比相差不少。而晶圓代工在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的中流砥柱，是代工廠商給了芯片“生命”。

    晶圓代工市場保持增長

    據(jù)預測， 2019年全球晶圓代工市場約627億美元，占全球半導體市場約15％。預計2018－2023年晶圓代工市場復合增速為4．9％。

    開創(chuàng)專業(yè)分工模式，晶圓代工廠在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中越來越重要。隨著半導體制造規(guī)模效應的凸顯，以及技術和資金壁壘的提升，IDM模式下的廠商擴張難度加大，沉沒成本提高。目前垂直分工模式成為了行業(yè)的發(fā)展趨勢，半導體新進入者大多采用Fabless模式，同時有更多的IDM公司如AMD、NXP、TI等都將走向Fabless或Fablite模式。

    在晶圓代工的支持下，IC設計廠迅速崛起。據(jù)悉， 2009－2019年IC設計行業(yè)的收入復合增速為8％， IDM行業(yè)的收入復合增速為5％。IC設計的繁榮興起與先進制程的資本、技術密度提升，使得以臺積電為代表的晶圓代工廠在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演越來越重要的角色。

    2020年晶圓代工市場重返增長，0．016micron、0．032micron為當前收入占比最高的節(jié)點。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球晶圓代工收入627億美元，增速為－0．2％，預計2020年增速回到8％。結構上，收入貢獻最大的為0．016micron（ 12／14／16nm），達到97億美元；其次為0．032micron（ 22／28／32nm），達到86億美元。10nm預計26億美元，7nm預計85億美元。臺積電2019年收入為346億美元，占比達55％。

    據(jù)統(tǒng)計，從產(chǎn)能分布角度而言， 2019年全球晶圓代工等效8寸片年產(chǎn)能為7838萬片，其中0．18micro達到1363萬片，其次65nm達到982萬片，45nm達到882萬片，32nm達到80萬片。

    據(jù)預測，先進制程的占比會迅速提高，其中部分現(xiàn)有制程的產(chǎn)線通過設備升級成先進制程產(chǎn)線。全球晶圓代工市場以晶圓廠所在地劃分，全球晶圓代工前三大區(qū)域分別為中國臺灣、中國大陸、韓國。臺灣占比達到66％左右，并在先進制程導入和新型產(chǎn)業(yè)趨勢下引領行業(yè)發(fā)展。大陸處于追趕角色，比重正在持續(xù)提升，從2017年的9．0％提升至2023年的12．9％。韓國三星持續(xù)加大投資，因此韓國的份額也保持略有增長。

    2019年中國大陸晶圓代工市場約2149 億元，大陸集成電路向“大設計－中制造－中封測”轉(zhuǎn)型， 大陸的設計、 制造將起航。2018年中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持快速增長，規(guī)模達到6531．4億元，同比增長 20．7％，預計到2020年突破9000億。中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)結構將繼續(xù)由“小設計－小制造－大封測”向“大設計－中制造－中封測”轉(zhuǎn)型，產(chǎn)業(yè)鏈逐漸從低端向高端延伸，產(chǎn)業(yè)結構更趨于合理。

    國內(nèi)晶圓代工“兩頭在外”，工藝制程差距2－3代

    作為技術及資本密集型行業(yè)，晶圓代工行業(yè)集中度達到了空前的地步。自中芯國際2000年成立開始，中國大陸在半導體制造領域一直追趕，但目前差距仍然十分明顯。據(jù)統(tǒng)計，2019年第二季全球晶圓代工市場市占率排名前三分別為臺積電、三星與格芯，臺積電更是豪取全球幾乎半數(shù)市場份額。

    目前大陸晶圓代工企業(yè)和本土設計公司在產(chǎn)值方面出現(xiàn)嚴重的不匹配。局限主要體現(xiàn)在兩方面：

    1、從產(chǎn)能端來看，“兩頭在外”現(xiàn)象嚴重，本土晶圓制造代工廠給國外設計公司做代工，國內(nèi)設計公司也依靠海外代工廠去制造芯片。

    據(jù)悉，2017年大陸整個晶圓代工產(chǎn)業(yè)規(guī)模為440億元，其中本土晶圓代工規(guī)模370億元，外資在國內(nèi)設立晶圓代工廠產(chǎn)業(yè)規(guī)模為70億元。中國本土IC設計公司占據(jù)中國本土晶圓代工營收規(guī)模中的190億元，占比高達51％。2017年中國IC設計公司對晶圓產(chǎn)值需求約671億元，中國本土晶圓代工廠提供給本土IC設計公司的產(chǎn)能按照產(chǎn)值僅滿足28．3％，還存在481億元的晶圓代工缺口，“兩頭在外”現(xiàn)象十分顯著。

    在晶圓代工工藝方面，目前國內(nèi)晶圓代工廠在特色工藝領域同國外晶圓代工廠差別不大，基本能滿足國內(nèi)設計公司要求，同時也承接了大規(guī)模海外設計公司的需求。國內(nèi)晶圓代工廠難以滿足國內(nèi)設計公司對主流工藝（16nm及以下）和高性能模擬工藝的需求。

    2、從制程端來看，與海外巨頭有2－3技術代的差距。本土IC設計公司近年來設計工藝逐漸向90nm以內(nèi)節(jié)點發(fā)展，2017年設計公司采用0．13um節(jié)點占比53％，2018年90nm及以下節(jié)點制程的需求將超過0．13um，至2025年中國設計公司70％會用到90nm以內(nèi)制程。而大陸目前最先進的工藝制程為28nm，僅有中芯可提供，第一代FinFET 14nm技術進入客戶驗證階段，而全球最領先的臺積電則已向5nm進軍。與英特爾和三星對比，代表大陸最先進水平的中芯在量產(chǎn)14nm與其有近5年的時間差距。

    據(jù)悉，28nm是中芯和臺積電技術差距的拐點。90nm中芯落后臺積電1年，65nm落后2年，40nm落后3年，28nm整整落后6年，技術差距呈增大趨勢。28nm之后的先進制程，中芯和臺積電的差距越來越小，14nm落后臺積電3．5年，比原計劃提前了半年，10nm及以下預計落后3年。