什么是存儲(chǔ)器?它的用途有哪些?全球領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)和專(zhuān)業(yè)代工廠商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在廣泛使用的XT018 BCD-on-SOI平臺(tái)上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM。這些非易失性存儲(chǔ)器(NVM)的添加將拓寬更多的應(yīng)用范圍，在這些應(yīng)用中，需要高壓額定值和高溫承受能力，并且提升運(yùn)算能力。

    越來(lái)越多的應(yīng)用需要基于微控制器(microcontroller-base)的解決方案，其中包括嵌入式Flash和EEPROM與高壓(高達(dá)100V)，高溫和抗ESD / EMC能力相結(jié)合。EEPROM非常適合需要多次重復(fù)編程內(nèi)存塊(在晶圓級(jí)，以及在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中)的情況。X-FAB的SONOS技術(shù)支持在-40°C到175°C的溫度下工作，符合汽車(chē)AEC-Q100 “0”級(jí)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

    新的X-FAB NVM方案包括一個(gè)32kBytes的Flash，以及4kbit的EEPROM。這兩種元件均采用了公司的SONOS技術(shù)，并充分利用了180nm體硅工藝(XH018)所展示的可靠性和經(jīng)驗(yàn)。Flash和EEPROM子塊可以在1.8V單電壓下工作，并且可以通過(guò)共享的同一外設(shè)接口獨(dú)立操作，從而實(shí)現(xiàn)最佳的封裝。

    為確保數(shù)據(jù)完整性，該NVM方案包含了錯(cuò)誤代碼校正(ECC)功能，分別在Flash上進(jìn)行單位校正和在EEPROM上進(jìn)行雙位校正。NVM模塊還帶有嵌入式測(cè)試接口，允許直接操作Flash和EEPROM IP。通過(guò)這種方式，客戶可以受益于X-FAB的NVM晶圓級(jí)測(cè)試和封裝設(shè)備測(cè)試功能，以縮短調(diào)試和上市時(shí)間。

    這新增NVM方案僅在XT018基本流程中增加了四個(gè)額外的工藝層，特別適合于一系列不同的應(yīng)用領(lǐng)域，例如汽車(chē)，工業(yè)，物聯(lián)網(wǎng)和醫(yī)療。此外，這種BCD-on-SOI提供的超低漏電性能將在物聯(lián)網(wǎng)的遠(yuǎn)程自主傳感器接口和活體健康監(jiān)測(cè)應(yīng)用等新興應(yīng)用中證明其價(jià)值。

    X-FAB NVM市場(chǎng)經(jīng)理Nando Basile表示：“將Flash功能引入我們的XT018平臺(tái)，為我們?cè)诟邷叵滦枰悄芸刂频钠?chē)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域提供了明顯的優(yōu)勢(shì)。” “這也意味著，我們完全有能力應(yīng)對(duì)醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域開(kāi)始出現(xiàn)的眾多機(jī)遇?！币陨暇褪荴-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺(tái)上新增非易失性存儲(chǔ)器功能，希望能給大家?guī)椭?/p>