《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電子元件 > 業(yè)界動態(tài) > X-FAB新增非易失性存儲器功能

X-FAB新增非易失性存儲器功能

2020-04-01
來源:X-FAB

    什么是存儲器?它的用途有哪些?全球領(lǐng)先的模擬/混合信號和專業(yè)代工廠商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在廣泛使用的XT018 BCD-on-SOI平臺上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM。這些非易失性存儲器(NVM)的添加將拓寬更多的應(yīng)用范圍,在這些應(yīng)用中,需要高壓額定值和高溫承受能力,并且提升運算能力

    越來越多的應(yīng)用需要基于微控制器(microcontroller-base)的解決方案,其中包括嵌入式Flash和EEPROM與高壓(高達(dá)100V),高溫和抗ESD / EMC能力相結(jié)合。EEPROM非常適合需要多次重復(fù)編程內(nèi)存塊(在晶圓級,以及在現(xiàn)場應(yīng)用中)的情況。X-FAB的SONOS技術(shù)支持在-40°C到175°C的溫度下工作,符合汽車AEC-Q100 “0”級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

    

5e82dd3e1d85b.png

    新的X-FAB NVM方案包括一個32kBytes的Flash,以及4kbit的EEPROM。這兩種元件均采用了公司的SONOS技術(shù),并充分利用了180nm體硅工藝(XH018)所展示的可靠性和經(jīng)驗。Flash和EEPROM子塊可以在1.8V單電壓下工作,并且可以通過共享的同一外設(shè)接口獨立操作,從而實現(xiàn)最佳的封裝。

    為確保數(shù)據(jù)完整性,該NVM方案包含了錯誤代碼校正(ECC)功能,分別在Flash上進(jìn)行單位校正和在EEPROM上進(jìn)行雙位校正。NVM模塊還帶有嵌入式測試接口,允許直接操作Flash和EEPROM IP。通過這種方式,客戶可以受益于X-FAB的NVM晶圓級測試和封裝設(shè)備測試功能,以縮短調(diào)試和上市時間。

    這新增NVM方案僅在XT018基本流程中增加了四個額外的工藝層,特別適合于一系列不同的應(yīng)用領(lǐng)域,例如汽車,工業(yè),物聯(lián)網(wǎng)和醫(yī)療。此外,這種BCD-on-SOI提供的超低漏電性能將在物聯(lián)網(wǎng)的遠(yuǎn)程自主傳感器接口和活體健康監(jiān)測應(yīng)用等新興應(yīng)用中證明其價值。

    X-FAB NVM市場經(jīng)理Nando Basile表示:“將Flash功能引入我們的XT018平臺,為我們在高溫下需要智能控制的汽車動力傳動系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域提供了明顯的優(yōu)勢?!?“這也意味著,我們完全有能力應(yīng)對醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域開始出現(xiàn)的眾多機遇?!币陨暇褪荴-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能,希望能給大家?guī)椭?/p>

    

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。