3 月 10 日訊，IBM 的新一代主機 IBM z15 更多細節(jié)被披露，集成了 122 億個晶體管，比上代 z14 增加了 25 億個，每顆芯片 12 個物理核心，總面積 696 平方毫米，與上代完相同。其驚人的緩存容量和密度再次彰顯了藍色巨人的雄厚實力。

　　IBM z15 的緩存分為四個級別，其中一二級集成于核心內(nèi)部，三四級位于核心外，容量都大幅提升。每個核心一級指令緩存 128KB、一級數(shù)據(jù)緩存 128KB，總?cè)萘?3MB;每個核心二級指令緩存 4MB、二級數(shù)據(jù)緩存 4MB，總?cè)萘?96MB，比上代翻番。三級緩存從 128MB 翻番至 256MB，四級緩存則從 672MB 來到 960MB。

　　每一顆處理器的四個級別緩存總?cè)萘烤瓦_到 1315MB。頻率方面，一二級緩存與 CPU 核心一樣都運行在 5.2GHz，三四級緩存則是半速 2.6GHz。

　　更驚人的是，IBM z15 的制造工藝依然是 IBM、GlobalFoundries 聯(lián)合研發(fā)的 14nm FinFET SOI。緩存增加如此之多，總面積卻保持不變，當真是寶刀不老。

　　另外，z15 的二三四級緩存都是高密度的 eDRAM 存儲單元，每單元面積為 0.0174 平方微米，甚至比臺積電 5nm 工藝下的 SRAM 密度還要高，后者每單元面積為 0.021 平方微米。

　　當然這樣比較并不完全精確，因為 SRAM 每單元一般是六個晶體管，eDRAM 則是一個，但也足以看出 14nm 工藝的爐火純青。WikiChip 分析師 David Schor 也表示，IBM/GF 14nm 被證明是極為出色的。