3 月 10 日訊，IBM 的新一代主機(jī) IBM z15 更多細(xì)節(jié)被披露，集成了 122 億個(gè)晶體管，比上代 z14 增加了 25 億個(gè)，每顆芯片 12 個(gè)物理核心，總面積 696 平方毫米，與上代完相同。其驚人的緩存容量和密度再次彰顯了藍(lán)色巨人的雄厚實(shí)力。

　　IBM z15 的緩存分為四個(gè)級(jí)別，其中一二級(jí)集成于核心內(nèi)部，三四級(jí)位于核心外，容量都大幅提升。每個(gè)核心一級(jí)指令緩存 128KB、一級(jí)數(shù)據(jù)緩存 128KB，總?cè)萘?3MB;每個(gè)核心二級(jí)指令緩存 4MB、二級(jí)數(shù)據(jù)緩存 4MB，總?cè)萘?96MB，比上代翻番。三級(jí)緩存從 128MB 翻番至 256MB，四級(jí)緩存則從 672MB 來到 960MB。

　　每一顆處理器的四個(gè)級(jí)別緩存總?cè)萘烤瓦_(dá)到 1315MB。頻率方面，一二級(jí)緩存與 CPU 核心一樣都運(yùn)行在 5.2GHz，三四級(jí)緩存則是半速 2.6GHz。

　　更驚人的是，IBM z15 的制造工藝依然是 IBM、GlobalFoundries 聯(lián)合研發(fā)的 14nm FinFET SOI。緩存增加如此之多，總面積卻保持不變，當(dāng)真是寶刀不老。

　　另外，z15 的二三四級(jí)緩存都是高密度的 eDRAM 存儲(chǔ)單元，每單元面積為 0.0174 平方微米，甚至比臺(tái)積電 5nm 工藝下的 SRAM 密度還要高，后者每單元面積為 0.021 平方微米。

　　當(dāng)然這樣比較并不完全精確，因?yàn)?SRAM 每單元一般是六個(gè)晶體管，eDRAM 則是一個(gè)，但也足以看出 14nm 工藝的爐火純青。WikiChip 分析師 David Schor 也表示，IBM/GF 14nm 被證明是極為出色的。