奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。

很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如ORing、熱插拔、同步整流、電機(jī)控制與電池保護(hù)等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而，某些具有類似Rdson值的同類器件，由于單元間距縮小，其SOA能力（衡量MOSFET安全工作區(qū)指標(biāo)）及Idmax額定電流需要降額。安世半導(dǎo)體的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高達(dá)380A的最大額定電流。該參數(shù)對電機(jī)控制應(yīng)用尤為重要，因為電機(jī)堵轉(zhuǎn)或失速的瞬間可能在短時間內(nèi)會導(dǎo)致很大的浪涌電流，而MOSFET必須承受此浪涌才能確保安全可靠的運(yùn)行。一些競爭對手僅提供計算出的ID(max)，但安世半導(dǎo)體產(chǎn)品實測持續(xù)電流能力高達(dá)380A。

該器件采用安世半導(dǎo)體LFPAK56封裝兼容5×6mm Power-SO8封裝，提供高性能銅夾結(jié)構(gòu)，可吸收熱應(yīng)力，從而提高質(zhì)量和壽命可靠性。

安世半導(dǎo)體的功率MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理Steven Waterhouse表示：“借助我們最新的NextPowerS3 MOSFET，意味著電源工程師現(xiàn)在比以前擁有更多的選擇來打造市場領(lǐng)先的產(chǎn)品——電池可以持續(xù)更長時間，電機(jī)可以提供更大扭矩，服務(wù)器可以更加可靠?！?/p>

典型應(yīng)用包括：電池保護(hù)；直流無刷（BLDC）電機(jī)（全橋，三相拓?fù)洌籓Ring服務(wù)器電源、熱插拔和同步整流。

如需了解新型低RDS(on) MOSFET的更多信息（包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊），請訪問www.nexperia.com/nextpowers3   

關(guān)于安世半導(dǎo)體

安世半導(dǎo)體是分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域高產(chǎn)能的生產(chǎn)專家，其器件符合汽車工業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。安世半導(dǎo)體非常注重效率，能持續(xù)不斷地滿足全球各類電子設(shè)計基礎(chǔ)器件的生產(chǎn)需求：年產(chǎn)量高達(dá)900億件。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面已經(jīng)成為行業(yè)基準(zhǔn)，擁有業(yè)內(nèi)最小尺寸的封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。
憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗，安世半導(dǎo)體一直為全球各地的領(lǐng)先企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過11,000名員工。公司擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認(rèn)證。

安世半導(dǎo)體：效率致勝。