國內的晶圓代工廠中，SMIC中芯國際是規(guī)模最大、技術最先進的，在他們之外還有上海華虹半導體，主要代工特種工藝，不過近年來該公司也投資建設了華虹六廠、華虹七廠，進軍先進半導體工藝代工。在被業(yè)界認為市場不太景氣的“艱難”一年里，華虹半導體卻交出了一份不錯的成績單。

　　華虹λ于無錫的七廠今年2季度就要搬入設備，4季度正式量產。先進工藝方面，華虹將為聯(lián)發(fā)科代工28nm HKC+低功耗無線通訊芯片，預計2020年量產14nm FinFET工藝。

　　2018年4月3日，華虹集團宣布λ于無錫的華虹半導體七廠開工。據了解，華虹無錫集成電·研發(fā)和制造基地項目占地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90-65納米、月產能約4萬片的12英寸特色工藝集成電·生產線，支持5G和物聯(lián)網等新興領域的應用。華虹無錫基地項目將分期建設數條12英寸集成電·生產線。首期項目實施后，將適時啟動第二條生產線建設。

　　華虹半導體(無錫)有限公司一期工程計劃將于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現達產，預計年產值將達50億元。

　　經過一年的建設，華虹方面日前宣布無錫的華虹七廠將在2季度搬入機臺設備，預計4季度正式開始量產12英寸晶圓，華虹旗下的研發(fā)、工程及銷售團隊正在為此做準備。

　　在先進工藝方面，華虹早前宣布今年將量產28nm HKC+工藝，首發(fā)合作伙伴是聯(lián)發(fā)科，將為后者代工28nm低功耗無線通訊芯片。

　　在28nm工藝之后，華虹將在2020年量產14nm FinFET工藝，這個時間點比中芯國際量產14nm工藝略微落后，后者在日前的財報會議上提到了他們的工藝進展，今年就能量產14nm改進型的12nm工藝了——“FinFET 研發(fā)進展順利，12nm 工藝開發(fā)進入客戶導入階段，下一代 FinFET 研發(fā)在過去積累的基礎上進度喜人。”

　　到了2020年，不考慮臺積電已經在南京量產的16nm工藝，國內廠商中至少有兩家會量產14nm FinFET工藝，雖然比臺積電、三星、Intel等公司的7nm、5nm工藝還要落后兩三代，但在技術水平上國內晶圓廠可以說也追到一流水平了，14nm是高性能工藝節(jié)點，δ來會長期存在，市場前景廣闊。