《電子技術(shù)應(yīng)用》
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一種新型的程控多頻霧化電路設(shè)計(jì)方案
2019年電子技術(shù)應(yīng)用第5期
孫成勝,張紅民,龔恒翔,巴忠鐳
重慶理工大學(xué),重慶400054
摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)霧化電路中驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率不易調(diào)整、電路調(diào)試?yán)щy等問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種由程序控制的多頻率、多電路的新型霧化電路。電路采用STM32為主控制器,通過(guò)基于AD9833編程的頻率合成器生成頻率可調(diào)的外接驅(qū)動(dòng)信號(hào),驅(qū)動(dòng)MOS管的開關(guān)功能來(lái)控制外接信號(hào)的輸入,激勵(lì)振蕩器振蕩。利用采樣反饋電路尋找最佳諧振頻率,從而提高霧化電路的穩(wěn)定性,實(shí)現(xiàn)了頻率的實(shí)時(shí)調(diào)整,精簡(jiǎn)了電路結(jié)構(gòu),降低了調(diào)試難度。
中圖分類號(hào): TN74
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.182991
中文引用格式: 孫成勝,張紅民,龔恒翔,等. 一種新型的程控多頻霧化電路設(shè)計(jì)方案[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2019,45(5):102-104,110.
英文引用格式: Sun Chengsheng,Zhang Hongmin,Gong Hengxiang,et al. Design of a new program-controlled multi-frequency atomization circuit[J]. Application of Electronic Technique,2019,45(5):102-104,110.
Design of a new program-controlled multi-frequency atomization circuit
Sun Chengsheng,Zhang Hongmin,Gong Hengxiang,Ba Zhonglei
Chongqing University of Technology,Chongqing 400054,China
Abstract: Aiming at the problems of difficult adjustment of resonant frequency and difficult debugging in traditional atomizing circuit, a new atomizing circuit with multi-frequency and multi-circuit controlled by program is designed.The circuit uses STM32 as the main controller, and generates a frequency-adjustable external driving signal by frequency synthesizer based on AD9833 programming.The switching function of the MOS tube is driven to control the input of the external signal, so as to excite the oscillator oscillation.Sampling feedback circuit is used to find the optimum resonant frequency, which improves the stability of atomization circuit, realizes the real-time frequency adjustment, simplifies the circuit structure and reduces the difficulty of debugging.
Key words : ultrasonic atomization;signal generator;ampling feedback;optimum resonance

0 引言

    超聲霧化一直被應(yīng)用在眾多方面,如清洗[1]、醫(yī)療、加濕、工業(yè)等方面。其中,以超聲霧化為代表的氣溶膠制備材料技術(shù)如噴霧干燥、噴霧熱解[2-3]、液相氣相化學(xué)沉積以及熔融液滴沉積等[4]應(yīng)用尤其廣泛。通過(guò)振蕩器的振蕩,應(yīng)用壓電材料的逆壓電效應(yīng)產(chǎn)生超聲振動(dòng)[5],達(dá)到霧化的效果。很多的霧化電路都是利用振蕩電路的自激振蕩產(chǎn)生振蕩信號(hào),這種設(shè)計(jì)的不足是各元件參數(shù)設(shè)置相對(duì)復(fù)雜致使調(diào)試周期較長(zhǎng),而且因其不易調(diào)整驅(qū)動(dòng)頻率,所以無(wú)法通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)頻率進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)整來(lái)尋找到最佳諧振頻率。本文旨在設(shè)計(jì)一種他激振蕩的霧化電路,即基于AD9833芯片的編程生成目標(biāo)信號(hào),在驅(qū)動(dòng)電路的輔助增強(qiáng)下刺激振蕩器振蕩。同時(shí)電路通過(guò)程序控制可平滑地調(diào)整頻率,并以此特點(diǎn)增加采樣反饋電路使振蕩器始終保持工作在最佳諧振狀態(tài)。

1 電路設(shè)計(jì)方案

    霧化電路主要由五部分組成:頻率合成器模塊、驅(qū)動(dòng)電路模塊、振蕩電路模塊、采樣反饋電路模塊與DC電源模塊。

    頻率合成器模塊負(fù)責(zé)合成目標(biāo)頻率的正弦波信號(hào),并將目標(biāo)信號(hào)傳輸?shù)津?qū)動(dòng)電路;驅(qū)動(dòng)電路模塊負(fù)責(zé)增強(qiáng)信號(hào)的方波特性,使其更好地控制MOS管的開啟與關(guān)斷;振蕩電路模塊主要負(fù)責(zé)刺激壓電晶體的振蕩;采樣反饋電路模塊的設(shè)置有助于霧化電路尋找最佳諧振頻率,當(dāng)振蕩器諧振時(shí)其兩端電壓與電流的相位差幾乎為零,因此通過(guò)檢測(cè)振蕩器兩端電壓與電流的相位差來(lái)判斷其是否為最佳諧振頻率,如果檢測(cè)到相位差不為零,將信息傳遞給主控制器修改頻率直到相位差接近于零,此時(shí)即為最佳諧振頻率;DC電源模塊主要負(fù)責(zé)為電路整體提供穩(wěn)定的直流電源保護(hù),此模塊采用LM2596開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,該調(diào)節(jié)器功耗小效率高,具有輸出線性好和負(fù)載可調(diào)節(jié)等特點(diǎn),輸出電壓范圍為1.2 V~37 V±4%。

2 基于AD9833的頻率合成器設(shè)計(jì)

    為提升霧化效果,本文設(shè)計(jì)的霧化罐將采用4個(gè)霧化片同時(shí)工作,對(duì)應(yīng)需要四塊霧化電路。因此,結(jié)合整體電路的功耗、發(fā)射頻率和控制以及引腳數(shù)目等需求,選擇STM32F系列為主控制器。

2.1 主控制器

    主控制器采用STM32F103C8T6,STM32F103C8T6是一款基于ARM32位的CortextM3內(nèi)核的單片機(jī),2.0~3.6 V的寬電壓供電范圍,CPU工作頻率最大可達(dá)72 MHz[6]。其還擁有20 KB的SRAM存儲(chǔ)器和64 KB的Flash存儲(chǔ)器。STM32F103C8T6滿足對(duì)于霧化電路的開關(guān)以及頻率調(diào)整等控制需求,具有速度快、成本低、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。

2.2 頻率合成器設(shè)計(jì)

    頻率合成器是通信、雷達(dá)和電子對(duì)抗等設(shè)備的重要組成部分,其輸出信號(hào)的穩(wěn)定與準(zhǔn)確程度直接影響通信、電子對(duì)抗等系統(tǒng)的整體性能[7]。本文以可編程芯片AD9833為核心設(shè)計(jì)了一種頻率合成器,頻率合成器可通過(guò)數(shù)碼管來(lái)顯示相對(duì)應(yīng)的芯片編號(hào)、頻率數(shù)值以及幅值。其中,AD9833芯片包含一個(gè)16位的控制寄存器可控制生成波形的種類,兩個(gè)28位的頻率寄存器可以決定信號(hào)頻率,兩個(gè)12位的相位寄存器確定初相位。在不同的主頻時(shí)鐘下,其精度可達(dá)到0.01 Hz或0.004 Hz。另外,AD9833芯片是運(yùn)用DDS技術(shù)來(lái)進(jìn)行頻率的合成。

2.3 直接數(shù)字頻率合成技術(shù)(DDS)原理

    DDS(Direct Digital Synthesis)直接數(shù)字頻率合成技術(shù)和傳統(tǒng)頻率合成器的信號(hào)產(chǎn)生方法有著一定的區(qū)別。利用該技術(shù)可獲得高頻率精度和高相位精度的矩形、正弦信號(hào)[8]

    正弦波幅值是非線性的,但相位是線性的,按相位將一個(gè)周期(360°)分成n等份,將這n個(gè)相位點(diǎn)對(duì)應(yīng)的n個(gè)幅值存儲(chǔ)在DDS芯片內(nèi)部ROM中查詢表[9],不同的頻率控制字會(huì)引起累加器相位增量不同,這樣通過(guò)查詢表就得到不同頻率的數(shù)字正弦序列[10],再經(jīng)過(guò)D/A轉(zhuǎn)換(D/A為10位)、低通濾波便可生成正弦波信號(hào),圖1即為DDS的原理框圖。

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    輸出波形頻率值的計(jì)算公式為:

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其中k為頻率控制字,fmclk為參考時(shí)鐘頻率。

    AD9833生成的信號(hào)頻率最高可達(dá)12.5 MHz。其不僅可以生成正弦波還可以通過(guò)控制其內(nèi)部寄存器生成方波和三角波信號(hào),完全滿足本霧化電路的設(shè)計(jì)需求。

    通過(guò)大量的測(cè)試發(fā)現(xiàn),若通過(guò)AD9833直接生成方波,由于需要生成的信號(hào)頻率過(guò)高,結(jié)果導(dǎo)致生成的方波發(fā)生變形,并不是標(biāo)準(zhǔn)的方波,不利于驅(qū)動(dòng)MOS管的開關(guān),最終導(dǎo)致MOS管的燒毀或者霧化電路突然性的不工作等后果。因此本文提出一種新的優(yōu)化方案,選擇使用1.7 MHz、2.4 MHz、3.0 MHz三種高頻率正弦波,并通過(guò)光耦和驅(qū)動(dòng)電路來(lái)增強(qiáng)信號(hào)的方波特性來(lái)達(dá)到要求,經(jīng)過(guò)一系列實(shí)驗(yàn)表明這種方式生成的波形的方波特性優(yōu)于前方案,良好的方波特性促使MOS管的工作更加穩(wěn)定,使外接信號(hào)可以更充分地激勵(lì)壓電晶體振蕩,最終縮短了起振時(shí)間、提升了霧化效果。

3 核心驅(qū)動(dòng)及采樣反饋電路設(shè)計(jì)

3.1 核心驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

    此部分驅(qū)動(dòng)電路是整個(gè)振蕩器部分的關(guān)鍵,核心驅(qū)動(dòng)電路接收頻率合成器生成的高頻正弦波信號(hào)并進(jìn)行一系列的增強(qiáng),提升其方波特性,加快信號(hào)高電平與低電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間,達(dá)到有效驅(qū)動(dòng)MOS管工作的作用。其對(duì)信號(hào)方波特性增強(qiáng)效果的好壞直接影響霧化電路的工作性能,因此本文提出了以下的設(shè)計(jì)。

    其中,在電路前端采用光耦合器6N137用于控制電路和外部電路的隔離,6N137光耦合器具有高速、兼容以及溫度、電壓和電流補(bǔ)償?shù)忍攸c(diǎn),因此6N137光耦除了隔離的作用還有著對(duì)信號(hào)上拉的作用,可以用于初步增強(qiáng)信號(hào)的方波特性。在信號(hào)經(jīng)過(guò)光耦上拉的基礎(chǔ)之上,驅(qū)動(dòng)電路的后面部分將對(duì)信號(hào)進(jìn)行進(jìn)一步增強(qiáng),其中12 V的直流電壓輸入既提升了信號(hào)的電壓幅度也起到了一定的上拉作用,之后的兩個(gè)三極管的推挽相連也縮短了信號(hào)高低電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間,很好地提升了信號(hào)的方波特性。圖2即為驅(qū)動(dòng)電路的硬件電路圖。

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3.2 采樣反饋電路模塊設(shè)計(jì)

    該霧化電路采用程序控制,可實(shí)現(xiàn)頻率的實(shí)時(shí)調(diào)整,因此在此基礎(chǔ)之上增加了采樣反饋電路的設(shè)計(jì),通過(guò)采集振蕩器兩端電壓與電流相位差,反饋給主控制器,不斷調(diào)整輸入頻率至最佳諧振頻率。因?yàn)閷?shí)際電路中很難達(dá)到相位差為零,因此設(shè)定閾值,如果相位差低于閾值即認(rèn)定此時(shí)為最佳諧振頻率。圖3為采樣反饋電路工作流程圖。

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4 實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果

    圖4即為通過(guò)示波器(固緯GDS-2202數(shù)字示波器)顯示的針對(duì)三種頻率信號(hào)增強(qiáng)其方波特性的效果圖。其中,圖4(a)為AD9833芯片最初生成的頻率1.7 MHz的正弦波波形圖;圖4(b)為將生成的正弦波經(jīng)光耦上拉調(diào)整后的波形圖;圖4(c)為正弦波經(jīng)過(guò)光耦和驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)增強(qiáng)后,并最終用于驅(qū)動(dòng)MOS管的波形圖。圖4(d)、(e)、(f)為信號(hào)頻率2.4 MHz相對(duì)應(yīng)的波形圖。圖4(g)、(h)、(i)為信號(hào)頻率3.0 MHz相對(duì)應(yīng)的波形圖??梢钥闯?,經(jīng)過(guò)一系列的信號(hào)調(diào)整與增強(qiáng),最終可以將高頻正弦波信號(hào)近乎調(diào)整為方波信號(hào),達(dá)到有效驅(qū)動(dòng)MOS管開關(guān)的目的。通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明,采用芯片生成高頻正弦波信號(hào)并增強(qiáng)其方波特性這種方法使振蕩器起振速度更快、霧化電路工作更加穩(wěn)定。

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    通過(guò)測(cè)試,霧化頻率為1.7 MHz、2.4 MHz、3.0 MHz三種型號(hào)的霧化電路均可正常工作,起振速度快,振蕩效果良好,霧化量滿足要求。

    表1中的第一列為三種頻率型號(hào)的振蕩器,本文設(shè)計(jì)的霧化電路實(shí)現(xiàn)了一塊霧化電路適用于多個(gè)頻率振蕩器。第二列為經(jīng)過(guò)采樣反饋電路調(diào)整后使振蕩器達(dá)到最佳諧振狀態(tài)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率。第三、四列為霧化電路使振蕩器霧化的工作電壓范圍,當(dāng)工作電壓達(dá)到起振電壓后振蕩器開始振蕩,隨著電壓的升高霧化量增加,直至其所能承受的最高電壓。

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5 結(jié)論

    本文設(shè)計(jì)了一種通過(guò)程序調(diào)整外接信號(hào)頻率的霧化電路,利用外接信號(hào)激勵(lì)振蕩器工作。它可控制四塊霧化電路同步工作,包含1.7 MHz、2.4 MHz、3.0 MHz三種工作頻率。通過(guò)采樣反饋及時(shí)尋找最佳諧振頻率,可實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率的實(shí)時(shí)調(diào)整。該設(shè)計(jì)提高了霧化電路的穩(wěn)定性能,縮短了電路的調(diào)試周期,精簡(jiǎn)了電路結(jié)構(gòu)。

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作者信息:

孫成勝,張紅民,龔恒翔,巴忠鐳

(重慶理工大學(xué),重慶400054)

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