據(jù)美國集成電路研究公司最新的調查報告顯示，自2010年來，美國企業(yè)仍主導半導體市場營收，比重為68%，但大陸企業(yè)在全球無晶圓廠半導體營收比重成長率最高，來到了13%。值得注意的是，自2010年來，中國大陸在整體集成電路市場表現(xiàn)最為亮眼，占去年全球營收比重13%，而在2010年僅占5%。從這些數(shù)據(jù)也可以看出中國半導體產業(yè)的發(fā)展速度是驚人的，可回顧中國半導體產業(yè)發(fā)展的歷程，卻步步是血淚。
1956-1965年 分立器件發(fā)展階段
1956年是中國科學技術發(fā)展史上的關鍵一年。中央提出“向科學進軍”的口號。在周恩來總理親自主持制定的1956-1967年十二年科學技術發(fā)展遠景規(guī)劃中，把半導體，計算機，自動化和電子學這四個在國際上發(fā)展迅速而國內急需發(fā)展的高新技術列為四大緊急措施。在“重點發(fā)展、迎頭趕上”和“以任務帶學科”的方針指引下，我國半導體事業(yè)從無到有，有了長足的進展。
向科學技術現(xiàn)代化進軍
中科院半導體研究室依據(jù)遠景規(guī)劃精神，開始進行鍺(Ge）的研究，于1957年11月成功拉制成第一根鍺單晶，并與1958年成功研制第一只鍺晶體管。半導體晶體管的成功研制，促成了我國晶體管計算機和晶體管收音機的誕生，在國內產生了很大的影響。研究室科研人員借助研制鍺單晶的經(jīng)驗，自行研制了硅單晶并進行了設備調試，經(jīng)過反復試驗，1958年7月，成功拉制成我國第一根硅單晶，并在此基礎上，提高材料質量和改進技術工藝，于1959年實現(xiàn)了硅單晶的實用化。隨著研究的深入，我國逐步在外延工藝，光刻技術等領域取得了進展，并于1963年制造出國產硅平面型晶體管。這些技術的成功，打好了硅集成電路研究的基礎。
1965-1978年 國產芯片的初級階段
1966年，十年風波開始，但我國的半導體工業(yè)建設并未止步。1968年，北京組建國營東光電工廠（878廠），上海組建無線電十九廠，至1970年建成投產。這是當時中國集成電路產業(yè)中的南北兩強。1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導體研究所，現(xiàn)中電24所），是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年，上海無線電十四廠首次制成PMOS電路。1970年代永川半導體研究所、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路，之后又研制成CMOS電路。
1972年，美國總統(tǒng)尼克松訪華后，中國從歐美大量引進技術，全國有四十多家集成電路廠建成投產。也是在1972年，我國自主研制的PMOS大規(guī)模集成電路在永川半導體研究所誕生，實現(xiàn)了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越。實現(xiàn)這一過程，中國人比美國人晚了4年。1975年，王陽元在北京大學設計出第一批1K DRAM，比英特爾生產的C1103晚5年。
1978年，王守武帶領徐秋霞等人在中科院半導體所成功研制4K DRAM，次年在109廠量產成功。這時，比美國人晚了6年。1979年，中國成功反向英特爾的8080八位微處理器，比德國和日本早一年。1980年，王守武兼任109廠廠長，將老廠房升級改造為1000到10000級的高標準潔凈室，并在這里組裝了我國第一條中、大規(guī)模集成電路生產線。
1975年王守武（中）和參觀半導體所的美籍華人科學家
此時，日本在美國的技術支持下，半導體研發(fā)官產學模式大獲成功。1971年，研制成功1K DRAM，僅比美國晚1年，并全面超越中國。而韓國、臺灣省這一時期憑借代工美國落后的半導體器件，并通過頒布產業(yè)發(fā)展計劃、引進技術、派遣留學人員學習培訓等方式，投入大量資金，積累半導體產業(yè)基礎，但整體技術仍未超越我國。
改革開放之前，中國舉全國之力，主攻半導體科技。在一大批舍身忘我的半導體人的努力下，從無到有，建立了相對完整的半導體工業(yè)體系。雖然建設沒有停歇，但十年沉睡，很多人還在夢里，一切都沒有做好準備。
1978-1990年 改革開放 產業(yè)全面復蘇時期
80年代初期，國家縮減對電子工業(yè)的直接投入，希望廣大電子廠能夠到市場自己找出路。為了在短期獲得效益，大量工廠出國購買技術、生產線。自主研發(fā)的電子工業(yè)思路逐漸被購買引進所替代。然而，由于巴黎統(tǒng)籌委員會（簡稱“巴統(tǒng)”）的技術限制，我們只能引進落后的二手淘汰設備。各地、各廠各自為戰(zhàn)，缺乏統(tǒng)一規(guī)劃，前沿技術研究被拋在腦后。于是整個半導體產業(yè)越引進，越落后。
同期，日本在80年代通過前期的技術積累，加上大規(guī)模人、財、物力投入，在DRAM技術上完成了對美國人的逆襲，同時帶動了整個半導體工業(yè)的發(fā)展。到了1990年，全球前十大半導體公司有6家都是日本公司。而緊隨日本的學生--韓國，也由政府牽頭，四大財閥大力投入，并在美國爸爸“扶韓抗日”的政策幫助下，迅速追趕日本。此時的我們，已經(jīng)全面落后日本，開始被韓國超越，并很快被甩在了身后。
1878年十一屆三中全會，開啟全國全面改革開放的進程，全國百廢待興，在一片春風吹拂下，開始綻放嫩芽，開花結果。在這個階段，中國集成電路的發(fā)展主要有如下特點：生產工廠復蘇生產，不管是八七八廠的凈化車間投入使用，還是七四二廠從東芝引進的電視機芯片生產線，我國已經(jīng)正式開始集成電路生產加工的歷程。在這個階段，中國開始引進外資技術，和中國的工廠合作建設。上海貝嶺，上海先進半導體以及華晶電子集團都是在這個階段通過中外合資的方式建立起來的。由于外資的技術經(jīng)驗和設備的引入，在這個階段，雖然技術實力還是非常薄弱，但中國的集成電路產業(yè)得到全面的復蘇。
1990-2000年 “908工程”“909工程”階段
“908工程“是指國家發(fā)展微電子產業(yè)20世紀90年代的第八個五年計劃，“909工程”是指第九個五年計劃。兩大工程的主體企業(yè)分別是無錫華晶和上海華虹。1989年8月，華晶電子集團成立。1990年8月，“908工程”啟動。這個工程投資額為20億元，目標是建立一條月產1.2萬片的6英寸芯片生產線。生產線花費7年的時間才建成投產，但是由于經(jīng)營不善，連年虧損，1999年，工廠和上華公司合并，轉制成為公司。1997年7月，由上海華虹集團與日本NEC公司合資組建的上海華虹NEC電子有限公司成立，總投資為12億元。華虹NEC主要承擔“909”的主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產項目建設。
在這個階段，中國的集成電路產業(yè)加速了和外資企業(yè)的合作，國家強勢扶持，主要的發(fā)展成績是晶圓廠的建設和發(fā)展，今天中國的幾大晶圓廠--無錫華潤上華、上海華虹、中芯國際都是在這個階段先后建設起來的。
2000年-至今 產業(yè)大發(fā)展時期
2000年6月24日，國務院18號文件《鼓勵軟件產業(yè)和集成電路產業(yè)發(fā)展的若干政策》公布，無疑是一陣春風，吹開了中國集成電路產業(yè)的萬紫千紅。在這個階段，一些著名的集成電路制造公司，紛紛落戶中國大陸，包括臺積電，臺聯(lián)電，英特爾和海力士等廠商，著名廠商的入住，或合資，或開設辦事處，都帶來了優(yōu)秀的技術和管理經(jīng)驗。集成電路設計得到極大地發(fā)展，很多在海外有技術經(jīng)驗的華人回國創(chuàng)辦IC設計公司，帶來了直接的技術和經(jīng)驗，在短短的幾年內，國內集成電路的設計公司就有幾百家之多。這些公司開始依靠自己的產品獲得市場的認可，有的還做出很好的成績，我國的集成電路優(yōu)秀設計企業(yè)，幾乎都在這個階段誕生，也涌現(xiàn)出如中星微、珠海炬力、展訊、瑞星微等國內著名公司。中國本土的集成電路產業(yè)，至此才剛開始進入正軌道路。
2013年，我國集成電路進口額達2313億美元，超過石油，成為第一大進口商品。國家也更加意識到整個半導體產業(yè)的戰(zhàn)略重要性。繼2011年國務院發(fā)布《進一步鼓勵軟件產業(yè)和集成電路產業(yè)發(fā)展的若干政策》（4號文）之后，2014年6月，國務院印發(fā)《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》，將集成電路產業(yè)發(fā)展上升為國家戰(zhàn)略；9月，國家集成電路產業(yè)投資基金設立，一期幕資1387億元，用于集成電路產業(yè)鏈企業(yè)的股權投資。
大基金一改以往項目為主的資助形式，通過股權投資的方式，扶植產業(yè)鏈上的龍頭企業(yè)。曾任工信部信息產業(yè)司司長的大基金總裁丁文武明確表示“大基金只投行業(yè)前三”，加大對芯片制造業(yè)的投資力度，兼顧設計和封測，投資布局從“面覆蓋”向“點突破”轉變，投資工作重心從“注重投資前”向“投前投后并重”轉變。自此，國內半導體產業(yè)發(fā)展進入快車道。
中國集成電路大基金（一期）不同投資領域項目分布情況及代表企業(yè)（單位：%）
目前大基金一期投資資金已經(jīng)全部投資完畢，大基金正在進行二期募資。據(jù)統(tǒng)計，截至2018年5月，國家集成電路產業(yè)投資基金一期經(jīng)投資完畢，總投資額為1387億元，公開投資公司為23家，未公開投資公司為29家，累計有效投資項目達到70個左右，投資范圍涵蓋集成電路產業(yè)上、下游各個環(huán)節(jié)。大基金一期投資項目中，集成電路制造占67%，設計占17%，封測占10%，裝備材料類占6%。