據(jù)美國集成電路研究公司最新的調(diào)查報告顯示，自2010年來，美國企業(yè)仍主導(dǎo)半導(dǎo)體市場營收，比重為68%，但大陸企業(yè)在全球無晶圓廠半導(dǎo)體營收比重成長率最高，來到了13%。值得注意的是，自2010年來，中國大陸在整體集成電路市場表現(xiàn)最為亮眼，占去年全球營收比重13%，而在2010年僅占5%。從這些數(shù)據(jù)也可以看出中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度是驚人的，可回顧中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷程，卻步步是血淚。
1956-1965年 分立器件發(fā)展階段
1956年是中國科學(xué)技術(shù)發(fā)展史上的關(guān)鍵一年。中央提出“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號。在周恩來總理親自主持制定的1956-1967年十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中，把半導(dǎo)體，計算機(jī)，自動化和電子學(xué)這四個在國際上發(fā)展迅速而國內(nèi)急需發(fā)展的高新技術(shù)列為四大緊急措施。在“重點發(fā)展、迎頭趕上”和“以任務(wù)帶學(xué)科”的方針指引下，我國半導(dǎo)體事業(yè)從無到有，有了長足的進(jìn)展。
向科學(xué)技術(shù)現(xiàn)代化進(jìn)軍
中科院半導(dǎo)體研究室依據(jù)遠(yuǎn)景規(guī)劃精神，開始進(jìn)行鍺(Ge）的研究，于1957年11月成功拉制成第一根鍺單晶，并與1958年成功研制第一只鍺晶體管。半導(dǎo)體晶體管的成功研制，促成了我國晶體管計算機(jī)和晶體管收音機(jī)的誕生，在國內(nèi)產(chǎn)生了很大的影響。研究室科研人員借助研制鍺單晶的經(jīng)驗，自行研制了硅單晶并進(jìn)行了設(shè)備調(diào)試，經(jīng)過反復(fù)試驗，1958年7月，成功拉制成我國第一根硅單晶，并在此基礎(chǔ)上，提高材料質(zhì)量和改進(jìn)技術(shù)工藝，于1959年實現(xiàn)了硅單晶的實用化。隨著研究的深入，我國逐步在外延工藝，光刻技術(shù)等領(lǐng)域取得了進(jìn)展，并于1963年制造出國產(chǎn)硅平面型晶體管。這些技術(shù)的成功，打好了硅集成電路研究的基礎(chǔ)。
1965-1978年 國產(chǎn)芯片的初級階段
1966年，十年風(fēng)波開始，但我國的半導(dǎo)體工業(yè)建設(shè)并未止步。1968年，北京組建國營東光電工廠（878廠），上海組建無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)。這是當(dāng)時中國集成電路產(chǎn)業(yè)中的南北兩強(qiáng)。1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導(dǎo)體研究所，現(xiàn)中電24所），是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年，上海無線電十四廠首次制成PMOS電路。1970年代永川半導(dǎo)體研究所、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路，之后又研制成CMOS電路。
1972年，美國總統(tǒng)尼克松訪華后，中國從歐美大量引進(jìn)技術(shù)，全國有四十多家集成電路廠建成投產(chǎn)。也是在1972年，我國自主研制的PMOS大規(guī)模集成電路在永川半導(dǎo)體研究所誕生，實現(xiàn)了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越。實現(xiàn)這一過程，中國人比美國人晚了4年。1975年，王陽元在北京大學(xué)設(shè)計出第一批1K DRAM，比英特爾生產(chǎn)的C1103晚5年。
1978年，王守武帶領(lǐng)徐秋霞等人在中科院半導(dǎo)體所成功研制4K DRAM，次年在109廠量產(chǎn)成功。這時，比美國人晚了6年。1979年，中國成功反向英特爾的8080八位微處理器，比德國和日本早一年。1980年，王守武兼任109廠廠長，將老廠房升級改造為1000到10000級的高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室，并在這里組裝了我國第一條中、大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線。
1975年王守武（中）和參觀半導(dǎo)體所的美籍華人科學(xué)家
此時，日本在美國的技術(shù)支持下，半導(dǎo)體研發(fā)官產(chǎn)學(xué)模式大獲成功。1971年，研制成功1K DRAM，僅比美國晚1年，并全面超越中國。而韓國、臺灣省這一時期憑借代工美國落后的半導(dǎo)體器件，并通過頒布產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃、引進(jìn)技術(shù)、派遣留學(xué)人員學(xué)習(xí)培訓(xùn)等方式，投入大量資金，積累半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，但整體技術(shù)仍未超越我國。
改革開放之前，中國舉全國之力，主攻半導(dǎo)體科技。在一大批舍身忘我的半導(dǎo)體人的努力下，從無到有，建立了相對完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系。雖然建設(shè)沒有停歇，但十年沉睡，很多人還在夢里，一切都沒有做好準(zhǔn)備。
1978-1990年 改革開放 產(chǎn)業(yè)全面復(fù)蘇時期
80年代初期，國家縮減對電子工業(yè)的直接投入，希望廣大電子廠能夠到市場自己找出路。為了在短期獲得效益，大量工廠出國購買技術(shù)、生產(chǎn)線。自主研發(fā)的電子工業(yè)思路逐漸被購買引進(jìn)所替代。然而，由于巴黎統(tǒng)籌委員會（簡稱“巴統(tǒng)”）的技術(shù)限制，我們只能引進(jìn)落后的二手淘汰設(shè)備。各地、各廠各自為戰(zhàn)，缺乏統(tǒng)一規(guī)劃，前沿技術(shù)研究被拋在腦后。于是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)越引進(jìn)，越落后。
同期，日本在80年代通過前期的技術(shù)積累，加上大規(guī)模人、財、物力投入，在DRAM技術(shù)上完成了對美國人的逆襲，同時帶動了整個半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展。到了1990年，全球前十大半導(dǎo)體公司有6家都是日本公司。而緊隨日本的學(xué)生--韓國，也由政府牽頭，四大財閥大力投入，并在美國爸爸“扶韓抗日”的政策幫助下，迅速追趕日本。此時的我們，已經(jīng)全面落后日本，開始被韓國超越，并很快被甩在了身后。
1878年十一屆三中全會，開啟全國全面改革開放的進(jìn)程，全國百廢待興，在一片春風(fēng)吹拂下，開始綻放嫩芽，開花結(jié)果。在這個階段，中國集成電路的發(fā)展主要有如下特點：生產(chǎn)工廠復(fù)蘇生產(chǎn)，不管是八七八廠的凈化車間投入使用，還是七四二廠從東芝引進(jìn)的電視機(jī)芯片生產(chǎn)線，我國已經(jīng)正式開始集成電路生產(chǎn)加工的歷程。在這個階段，中國開始引進(jìn)外資技術(shù)，和中國的工廠合作建設(shè)。上海貝嶺，上海先進(jìn)半導(dǎo)體以及華晶電子集團(tuán)都是在這個階段通過中外合資的方式建立起來的。由于外資的技術(shù)經(jīng)驗和設(shè)備的引入，在這個階段，雖然技術(shù)實力還是非常薄弱，但中國的集成電路產(chǎn)業(yè)得到全面的復(fù)蘇。
1990-2000年 “908工程”“909工程”階段
“908工程“是指國家發(fā)展微電子產(chǎn)業(yè)20世紀(jì)90年代的第八個五年計劃，“909工程”是指第九個五年計劃。兩大工程的主體企業(yè)分別是無錫華晶和上海華虹。1989年8月，華晶電子集團(tuán)成立。1990年8月，“908工程”啟動。這個工程投資額為20億元，目標(biāo)是建立一條月產(chǎn)1.2萬片的6英寸芯片生產(chǎn)線。生產(chǎn)線花費7年的時間才建成投產(chǎn)，但是由于經(jīng)營不善，連年虧損，1999年，工廠和上華公司合并，轉(zhuǎn)制成為公司。1997年7月，由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建的上海華虹NEC電子有限公司成立，總投資為12億元。華虹NEC主要承擔(dān)“909”的主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)項目建設(shè)。
在這個階段，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)加速了和外資企業(yè)的合作，國家強(qiáng)勢扶持，主要的發(fā)展成績是晶圓廠的建設(shè)和發(fā)展，今天中國的幾大晶圓廠--無錫華潤上華、上海華虹、中芯國際都是在這個階段先后建設(shè)起來的。
2000年-至今 產(chǎn)業(yè)大發(fā)展時期
2000年6月24日，國務(wù)院18號文件《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》公布，無疑是一陣春風(fēng)，吹開了中國集成電路產(chǎn)業(yè)的萬紫千紅。在這個階段，一些著名的集成電路制造公司，紛紛落戶中國大陸，包括臺積電，臺聯(lián)電，英特爾和海力士等廠商，著名廠商的入住，或合資，或開設(shè)辦事處，都帶來了優(yōu)秀的技術(shù)和管理經(jīng)驗。集成電路設(shè)計得到極大地發(fā)展，很多在海外有技術(shù)經(jīng)驗的華人回國創(chuàng)辦IC設(shè)計公司，帶來了直接的技術(shù)和經(jīng)驗，在短短的幾年內(nèi)，國內(nèi)集成電路的設(shè)計公司就有幾百家之多。這些公司開始依靠自己的產(chǎn)品獲得市場的認(rèn)可，有的還做出很好的成績，我國的集成電路優(yōu)秀設(shè)計企業(yè)，幾乎都在這個階段誕生，也涌現(xiàn)出如中星微、珠海炬力、展訊、瑞星微等國內(nèi)著名公司。中國本土的集成電路產(chǎn)業(yè)，至此才剛開始進(jìn)入正軌道路。
2013年，我國集成電路進(jìn)口額達(dá)2313億美元，超過石油，成為第一大進(jìn)口商品。國家也更加意識到整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略重要性。繼2011年國務(wù)院發(fā)布《進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（4號文）之后，2014年6月，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國家戰(zhàn)略；9月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立，一期幕資1387億元，用于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的股權(quán)投資。
大基金一改以往項目為主的資助形式，通過股權(quán)投資的方式，扶植產(chǎn)業(yè)鏈上的龍頭企業(yè)。曾任工信部信息產(chǎn)業(yè)司司長的大基金總裁丁文武明確表示“大基金只投行業(yè)前三”，加大對芯片制造業(yè)的投資力度，兼顧設(shè)計和封測，投資布局從“面覆蓋”向“點突破”轉(zhuǎn)變，投資工作重心從“注重投資前”向“投前投后并重”轉(zhuǎn)變。自此，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入快車道。
中國集成電路大基金（一期）不同投資領(lǐng)域項目分布情況及代表企業(yè)（單位：%）
目前大基金一期投資資金已經(jīng)全部投資完畢，大基金正在進(jìn)行二期募資。據(jù)統(tǒng)計，截至2018年5月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期經(jīng)投資完畢，總投資額為1387億元，公開投資公司為23家，未公開投資公司為29家，累計有效投資項目達(dá)到70個左右，投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、下游各個環(huán)節(jié)。大基金一期投資項目中，集成電路制造占67%，設(shè)計占17%，封測占10%，裝備材料類占6%。