雖然2018年全球半導(dǎo)體市場保持了兩位數(shù)增長，但據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)預(yù)測，2019年全球半導(dǎo)體市場將進入低迷期，增長將回歸個位數(shù)。國內(nèi)企業(yè)在全球經(jīng)濟環(huán)境不確定性增強和市場低迷的影響下，增長率也將同比下降。

　　回顧2018年，集成電路技術(shù)仍沿著摩爾定律不斷迭代演進，在集成電路設(shè)計、制造和封測等方面都取得了顯著成果。

　　（1）集成電路設(shè)計

　　2018年，集成電路設(shè)計方面，手機芯片、人工智能芯片、礦機芯片等成為引領(lǐng)技術(shù)變革的重要產(chǎn)品。

　　華為、蘋果、高通紛紛發(fā)布7nm手機芯片，融合了更強的計算處理和人工智能技術(shù)。2018年9月，華為發(fā)布了全新一代芯片麒麟980，這是全球首款采用7nm工藝制程的商用級手機芯片，也是全球第一個采用ARM強大的新型Cortex A76 CPU；同時是全球第一個采用集成雙核NPU設(shè)計的芯片和全球第一個采用Mali的新G76顯卡芯片。

　　同月，蘋果發(fā)布了新款iPhone，新手機首次使用了7nm進程工藝制造的A12仿生芯片。蘋果A12仿生芯片具有6核CPU和4核GPU，還有蘋果公司自家的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)機器學(xué)習(xí)功能，6核中有2個高功率核心和4個低功率核心，高功率核心的速度比之前的芯片快15%，耗電減少40%，而新版的低功率核心比之前芯片的耗電低50%。

　　同時，英偉達、AMD等公司則繼續(xù)發(fā)力人工智能市場，其GPU廣泛應(yīng)用于人工智能云端訓(xùn)練和推理。在英偉達公司2019財年第一季度的財報當(dāng)中，其表現(xiàn)再次超出預(yù)期--總收入增長66%，強勁的數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)增長71%（本季度收入達到1.7億美元）。對于英偉達公司而言，“數(shù)據(jù)中心”業(yè)務(wù)部分包括高性能計算（簡稱HPC）、數(shù)據(jù)中心托管圖形以及人工智能加速幾大組成部分。

　　（2）集成電路制造

　　臺積電和三星在先進工藝制程繼續(xù)競賽領(lǐng)跑，相繼實現(xiàn)7nm工藝量產(chǎn)，進一步鞏固代工優(yōu)勢，三星、東芝、英特爾等相繼推出96層NAND存儲技術(shù)，DRAM也加速邁向1ynm；我國中芯國際也實現(xiàn)16/14nm工藝小規(guī)模量產(chǎn)，縮短與國外差距，長江存儲、合肥長鑫和福建晉華也實現(xiàn)存儲工藝突破，在做量產(chǎn)前準(zhǔn)備。

　　2019年8月份，長江存儲在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布突破性技術(shù)XtackingTM ，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。長江存儲計劃在2019年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片。

　　（3）集成電路封測

　　集成電路封測方面，扇出型封裝等高端封裝技術(shù)競爭激烈。臺積電、日月光等仍為技術(shù)引領(lǐng)龍頭，國內(nèi)長電科技、通富微電、華天科技等企業(yè)也在積極擴產(chǎn)加快部署。長電科技在2018年上半年全球前十大IC封測代工企業(yè)排行榜中位居第三。長電科技在晶圓級封裝領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)明了“晶圓級芯片六側(cè)面體包覆封裝技術(shù)”；在國內(nèi)和韓國工廠實現(xiàn)了高集成度和高精度SiP模組的大規(guī)模量產(chǎn)；開發(fā)了用于智能手機處理器的FC-POP封裝技術(shù)；全資子公司長電先進已成為全球最大的集成電路Fan-in WLCSP封裝基地之一。華天科技開發(fā)了0.25mm超薄指紋封裝工藝，實現(xiàn)了射頻產(chǎn)品4G PA的量產(chǎn)；MEMS產(chǎn)品實現(xiàn)了多元化發(fā)展，開發(fā)了心率傳感器、高度計及AMR磁傳感器并成功實現(xiàn)量產(chǎn)；其TSV+SiP指紋識別封裝產(chǎn)品成功應(yīng)用于華為系列手機。通富微電率先實現(xiàn)了7nmFC產(chǎn)品量產(chǎn)；高腳數(shù)FC-BGA封裝技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)，為CPU國產(chǎn)化提供了有力保障；建立第一條12英寸FAN OUT工藝量產(chǎn)線，線寬2um/線距2um；Cu Pillar實現(xiàn)10nm產(chǎn)品的量產(chǎn)；成功研發(fā)生產(chǎn)出業(yè)界集成度最佳的射頻物聯(lián)網(wǎng)集成模塊；國內(nèi)首條12寸Gold Bump生產(chǎn)線成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

　　展望2019年

  在5G、人工智能等需求驅(qū)動下技術(shù)將繼續(xù)加快變革創(chuàng)新，臺積電和三星等代工廠將取代Intel承擔(dān)起推動摩爾定律前行的重任，預(yù)計2019年將實現(xiàn)5nm工藝試產(chǎn)，2020年量產(chǎn)。制造業(yè)格局的變化和摩爾定律物理極限的逼近，也讓更多企業(yè)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)站在同一起跑線上，催生出更多體系架構(gòu)創(chuàng)新、應(yīng)用產(chǎn)品創(chuàng)新和異構(gòu)集成技術(shù)創(chuàng)新，如為適應(yīng)5G高頻需求，高通聯(lián)合村田公司采用將天線、射頻前端和收發(fā)器整合成單一系統(tǒng)的AiP（Antenna in Package）封裝技術(shù)，預(yù)計在5G商用后實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。我國領(lǐng)先設(shè)計企業(yè)也將共享集成電路代工技術(shù)進步紅利，逐步縮小于國外先進水平的差距，中芯國際將加快14nm及以下工藝的技術(shù)追趕步伐。長江存儲、合肥長鑫等將分別實現(xiàn)NAND和DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)，實現(xiàn)我國自主品牌存儲器產(chǎn)品重大突破。