在制程推進到10nm以內(nèi)后，研發(fā)難度也越來越大，這點從Intel的10nm從2016年跳票到2019年就可以看出。此前，得益于三星背后的支持，GlobalFoundries(格羅方德，格芯)的7nm走在前列，而且今年3月還邀請少數(shù)資深記者前往旗下最先進的紐約Malta的Fab 8工廠，介紹他們計劃向7nm EUV推進。

　　然而，計劃趕不上變化，GF今日宣布，出于經(jīng)濟因素考慮，擱置7nm LP項目，將資源回歸到12nm/14nm FinFET以及12FDX/22FDX上。

　　當前，GF的12nm/14nm多用在AMD的銳龍?zhí)幚砥?、Radeon GPU上，12FDX/22FDX則可以提供優(yōu)質(zhì)的性價，可用于集成模擬和射頻組件的IC，如5G基帶。

　　按照AnandTech的報道，GF的5nm和3nm研發(fā)也將終止，今年底前逐步停掉與IBM硅研發(fā)中心在這方面的合作。

　　雖然，關(guān)鍵客戶AMD隨后宣布，7nm產(chǎn)品將由臺積電打造，且合作良好，但其實AMD和GF的確有基于7nm的研發(fā)計劃，包括五年期的晶圓協(xié)議也有7nm的框架。

　　外媒分析，GF此次宣布后，和IBM以及AMD可能需要重新就晶圓協(xié)議進行談判。

　　最后要說的是，GF退出后，四家明確使用7nm EUV技術(shù)的廠商便只剩下了三星、臺積電和Intel。按技術(shù)規(guī)劃，GF的7nm共有三代，第一代DUV，第二代部分引入EUV極紫外光刻，第三代密集使用EUV。

　　此前，世界第三大代工廠聯(lián)電(UMC)也在本月宣布放棄對12nm以下制程節(jié)點的研發(fā)。