2018年7月18日，英特爾（Intel）公司成立50周年。

從1968年至2018年，從4004到8080到奔騰系列，從單核到雙核再到多核，從10微米到1微米到0.1微米再到10納米，英特爾對(duì)于微處理器的探索一直孜孜不倦，50年來從沒停止過。

1968 年 7 月 18 日，因?yàn)椴粷M仙童半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor）的現(xiàn)狀，羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）和戈登·摩爾（Gordon Moore）選擇了離職，并創(chuàng)辦諾伊斯-摩爾電子公司（NM Electronic），隨后公司支付了15000美元從Intelco公司買下“Intel”名字的使用權(quán)，并更名為英特爾公司。

50年來，有過歡樂，也有過淚水， 有過曾經(jīng)的彷徨，更有過信心滿懷。從1985年的斷臂轉(zhuǎn)型到錯(cuò)失智能手機(jī)市場再到今天對(duì)智能駕駛的豪賭，英特爾始終一“芯”。

可是就在2018年，就在50周年大喜日子前夕。英特爾迎來了多事之秋，讓人嘆息。

2017年全球最大半導(dǎo)體公司的王冠，被三星電子搶走了，要知道，這王冠從1992年開始就一直帶在英特爾頭上。

屋漏偏逢連夜雨，不順心的事是一樁連一樁。年初的CPU設(shè)計(jì)缺陷，導(dǎo)致安全漏洞；6月的首席執(zhí)行官性丑聞事件，導(dǎo)致群龍無首；10納米工藝遲遲無法突破，工藝制程延宕。

公司50周年紀(jì)念日，估計(jì)是啥味道都有，酸甜苦辣咸！

沒人主持英特爾50歲大慶

2018年6月21日，英特爾宣布，首席執(zhí)行官布萊恩·科贊奇（Brian Krzanich）與公司前雇員有“consensual relationship”，違反了公司相關(guān)準(zhǔn)則，董事會(huì)已經(jīng)接受其辭職。

按說少了一個(gè)首席執(zhí)行官，沒啥大不了；可是現(xiàn)在英特爾是首席執(zhí)行官和總裁都空缺。

2016年1月，時(shí)任總裁詹睿妮（Renée J. James）宣布辭職。公司一直沒有宣布新總裁的人選。

MY GOD！50歲的英特爾，盡然出現(xiàn)這種事情！沒有一個(gè)掌舵人了！

50周年大慶誰來主持？

董事會(huì)這下急眼了！逮個(gè)人頂著再說。

于是進(jìn)入公司不到兩年的執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官Robert (Bob) H. Swan被趕鴨子上架，擔(dān)任臨時(shí)首席執(zhí)行官（Interim CEO ）。不過這個(gè)仁兄說了，無意正式接任CEO一職，不愿意被列入候選名單之中。

新首席執(zhí)行官源自內(nèi)部

按照英特爾的慣例，首席執(zhí)行官退位，直接任命總裁為首席執(zhí)行官就好了。50年，英特爾都是這么干的。

50年來，英特爾歷史上有過6位正式首席執(zhí)行官，他們分別是羅伯特·諾伊斯、戈登·摩爾、安迪·葛洛夫（Andrew Grove）、克瑞格·貝瑞特（Craig R. Barrett）、保羅·歐德寧（Paul S. Otellinii）和布萊恩·科贊奇。

除了羅伯特·諾伊斯外，包括聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾、安迪·葛洛夫、克瑞格·貝瑞特、保羅·歐德寧四位都是從總裁位置上被任命為首席執(zhí)行官的，而且安迪·葛洛夫、克瑞格·貝瑞特、保羅·歐德寧在擔(dān)任總裁前都擔(dān)任過首席運(yùn)營官。而布萊恩·科贊奇在被任命為首席執(zhí)行官前是執(zhí)行副總裁兼首席運(yùn)營官。

從這6位首席執(zhí)行官的履歷中可以看出，羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾是公司的聯(lián)合創(chuàng)始人，安迪·葛洛夫是公司第3號(hào)員工，而克瑞格·貝瑞特、保羅·歐德寧和布萊恩·科贊奇都是從畢業(yè)后就在英特爾工作的，一直沒有換過公司。

也就是說，英特爾的首席執(zhí)行官都是從內(nèi)部挑選提拔的。

前5任首席執(zhí)行官都會(huì)兼任一段時(shí)間的總裁，然后在退休前將總裁的位置交給公司董事會(huì)要著力培養(yǎng)的人，一般兩年左右，總裁就會(huì)繼任首席執(zhí)行官。

45年來沒有變化。

布萊恩·科贊奇是個(gè)例外，在2013年5月2日，他當(dāng)選了首席執(zhí)行官。可總裁位置卻交給了詹睿妮（Renée J. James）。

我們來看看英特爾6位首席執(zhí)行官當(dāng)選時(shí)的年齡，羅伯特·諾伊斯46歲、戈登·摩爾51歲、安迪·葛洛夫56歲、克瑞格·貝瑞特59歲、保羅·歐德寧55歲和布萊恩·科贊奇53歲。除了羅伯特·諾伊斯外，其他都是50多歲當(dāng)選。

也許董事會(huì)認(rèn)為詹睿妮當(dāng)時(shí)還年輕，畢竟2013年時(shí)小詹才49位，畢竟在當(dāng)年三選一或二選一情況下，也許董事會(huì)認(rèn)為讓小詹多熬幾年資歷更好。

可誰知，小詹不干了，在當(dāng)了2年總裁后，于2015年7月提出辭職，想出去當(dāng)個(gè)首席執(zhí)行官。于是在2016年1月正式離職，英特爾的總裁位置也一直空缺至今。

第七任首席執(zhí)行官來自何方

好了，首席執(zhí)行官位置空缺，原本提拔總裁就好，現(xiàn)在總裁位置也是空缺，無法提拔。

于是董事會(huì)緊急行動(dòng)，組成了首席執(zhí)行官遴選委員會(huì)。外界也為遴選委員會(huì)開出了一長串的候選人名單：

蕾妮·詹姆斯（Renee James）55歲，前英特爾總裁，現(xiàn)在負(fù)責(zé)芯片初創(chuàng)公司Ampere Computing；

斯塔西·史密斯（Stacy Smith），前英特爾首席財(cái)務(wù)官；

柏安娜（Diane Bryant），前英特爾高級(jí)副總裁；

施浩德（Kirk Skaugen），前英特爾公司全球副總裁兼PC客戶端事業(yè)部總經(jīng)理；

阿南德·錢德拉塞卡爾（Anand Chandrasekher），前英特爾高級(jí)副總裁兼便攜集團(tuán)總經(jīng)理；現(xiàn)就職高通

孫納頤（(Navin Shenoy），1995年加入，45歲，現(xiàn)英特爾執(zhí)行副總裁兼數(shù)據(jù)中心事業(yè)部總經(jīng)理；

文卡塔·倫杜琴塔拉（Venkata Murthy Renduchintala），現(xiàn)英特爾技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)與客戶集團(tuán)總裁兼首席工程官，2016年從高通引進(jìn)

拉賈·克杜里（Raja Koduri），核心和可視計(jì)算集團(tuán)高級(jí)副總裁，2017年從AMD引進(jìn)；

桑杰·賈（Sanjay Jha），前格芯首席執(zhí)行官；

當(dāng)然，還有很多。

究竟選誰當(dāng)首席執(zhí)行官，遴選委員會(huì)自有其考量。

不過9月初，據(jù)彭博社援引知情人士消息稱，英特爾已經(jīng)開始縮小CEO候選范圍，有可能會(huì)首次引進(jìn)一位公司外的人才。

新任首席執(zhí)行官會(huì)讓窘境之中英特爾找到新路還是繼續(xù)沉淪，將很快見到結(jié)果。

期待新任首席執(zhí)行官揭曉吧！

10納米工藝遲遲無法突破

2017年9月，英特爾北京“精尖制造日”活動(dòng)云集了英特爾制程、制造方面最權(quán)威的專家團(tuán)，閉關(guān)修煉的英特爾終于秀出了它的10納米工藝。并笑稱：“老虎不發(fā)威，你當(dāng)我是病貓？”

在“精尖制造日”中，英特爾高級(jí)院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)Mark Bohr展示了英特爾的制程工藝時(shí)間圖。他說，英特爾是首家做到22納米FinFET的公司，比競爭友商至少領(lǐng)先三年。

可中國古話說得好：好漢不提當(dāng)年勇，智者莫念昔日功。22納米之后的半導(dǎo)體江湖可謂是腥風(fēng)血雨。 

2014年英特爾推出了14納米工藝，隨后臺(tái)積電量產(chǎn)16納米工藝，三星量產(chǎn)14納米工藝，2015年下半年發(fā)布的蘋果A9處理器就分別采用了三星的14納米工藝和臺(tái)積電的16納米工藝。2016年，臺(tái)積電和三星又相繼推出了自己的10納米工藝，比英特爾的10納米工藝早了將近一年的時(shí)間。

如果按照之前的Tick-Tock戰(zhàn)略進(jìn)行，英特爾應(yīng)該在2015年底就量產(chǎn)10納米工藝了，只不過這些都是奢望了。

英特爾的10納米工藝是“只聞樓梯響，不見人下來”。工藝一再延期，目前官方說法是2019年底開始量產(chǎn)，不過真正大規(guī)模量產(chǎn)桌面及服務(wù)器處理器要到2020年了。

臺(tái)積電不光10納米量產(chǎn)，就連7納米工藝在2018年已經(jīng)開始量產(chǎn)移動(dòng)芯片，包括蘋果A12及華為海思麒麟980處理器，當(dāng)然AMD的CPU及GPU芯片使用的是臺(tái)積電的7納米HPC高性能工藝，2019年應(yīng)該才大規(guī)模量產(chǎn)。

Rosenblatt Securities的分析師Hans Mosesmann在8月份的報(bào)告中表示，英特爾在半導(dǎo)體工藝上的瓶頸不只是10納米延期，而且需要許多時(shí)間來解決這個(gè)問題，因此造成英特爾的工藝劣勢將持續(xù)5年、6年甚至7年。對(duì)英特爾工藝落后持悲觀看法的不止他一個(gè)，Raymond James的分析師Chris Caso的報(bào)告稱，英特爾最大的戰(zhàn)略問題就是他們的10納米工藝延期，我們預(yù)計(jì)未來兩年內(nèi)英特爾都不會(huì)推出10納米服務(wù)器芯片。10納米制程延后的問題，也為競爭對(duì)手打開了一扇窗，而且這扇窗可能永遠(yuǎn)都不會(huì)關(guān)上 。

盡管英特爾在制程工藝上落后對(duì)手是近十年來罕見的，10納米工藝的延期確實(shí)給英特爾制造了很多麻煩，也讓很多分析師不看好。因?yàn)锳MD已經(jīng)憑借臺(tái)積電的尖端工藝開始摧城拔寨了。

英特爾何時(shí)再發(fā)虎威

而在更新一代半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電及三星已經(jīng)規(guī)劃了5納米以及3納米工藝，其中臺(tái)積電的5納米工藝投資計(jì)劃超過250億美元，預(yù)計(jì)2019年試產(chǎn)，2020年量產(chǎn)；3納米工藝計(jì)劃投資約為200億美元，2020年開始建廠，2021年完成設(shè)備安裝，預(yù)計(jì)2022年底到2023年初量產(chǎn)。

三星在2018Samsung Foundry Forum會(huì)議上宣布，已經(jīng)準(zhǔn)備好了7nm LPP 工藝，2018年下半年生產(chǎn)，并稱7納米工藝是全球首次使用先進(jìn)的 EUV光刻解決方案。并公布了5納米、4納米和3納米制程的計(jì)劃。其中，5納米/4納米工藝仍會(huì)使用現(xiàn)有的FinFET制造技術(shù)，3納米工藝采用GAA納米技術(shù)，對(duì)于投產(chǎn)時(shí)間，三星表示，2019年5納米，2020年4納米，2021 年3納米。

在2017“精尖制造日”中，英特爾高級(jí)院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)Mark Bohr介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細(xì)節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。提升密度、提高性能、降低能耗、降低成本，是英特爾致力的目標(biāo)。

Mark Bohr介紹了14納米超微縮相對(duì)于22納米超微縮的領(lǐng)先性，同時(shí)也介紹了10納米相對(duì)于14nm超微縮的技術(shù)差異。他說，從22納米到14納米再到10納米，第三代FinFET晶體管有了極大的突破。從14納米到10納米，晶體管密度提升非常可觀，14納米工藝中每平方毫米晶體管數(shù)量不到4000萬個(gè)，而10納米工藝中每平方毫米晶體管數(shù)量超過1億個(gè)。10納米鰭片的高度較14納米提高25%，間距縮小25%，超強(qiáng)的微縮能力和全新特性將晶體管密度提升了2.7倍。

Mark Bohr還表示，7納米技術(shù)在全速開發(fā)過程中，英特爾將繼續(xù)打造高密度晶體管技術(shù)，并進(jìn)一步提高每瓦的性能。在5納米，正在共同探索不同的晶體管技術(shù)的可選方案，包括產(chǎn)品的方案，最近我們也得出了一些初步結(jié)論。究竟在5納米技術(shù)上我們希望涵概哪些核心功能。我堅(jiān)信摩爾定律將繼續(xù)推進(jìn)晶體管技術(shù)的發(fā)展，將繼續(xù)降低單位成本，而且可以提高每瓦性能。

鈷替代銅、鎢，英特爾致用秘籍

畢竟英特爾每年研發(fā)投入100多億美元，絕對(duì)不是隨便玩的?？隙ㄊ且贸鲆恍┬录夹g(shù)玩意的。

隨著半導(dǎo)體制造朝著10納米以下發(fā)展，原本以銅作為導(dǎo)線材料已經(jīng)暴露導(dǎo)電速率不足的問題，讓制程在10納米、7 納米蘠上遇到瓶頸。因此新材料的應(yīng)用將是突破半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵。

而用鈷替代銅，絕對(duì)是英特爾10納米的賣點(diǎn)。

2017年12月份在舊金山舉辦的IEEE IEDM會(huì)議上，英特爾公司闡述了將鈷金屬應(yīng)用于10納米芯片最細(xì)連接線的設(shè)想，英特爾詳細(xì)介紹了用鈷代替鎢制成的電接觸材料設(shè)備的性能。

應(yīng)用材料公司的Kevin Moraes表示，雖然金銅的電阻率比鋁、鎢甚至是鈷都要低。但是銅在更小尺度上很容易受到電遷移的影響。當(dāng)電子加速穿過超薄線路時(shí)，它們會(huì)將原子驅(qū)趕到金屬中，就像是一位急匆匆的行人將另外一個(gè)人推到人行道外面一樣。為了保護(hù)銅互連，需要在纖細(xì)的線路中鑲嵌其他材料，如氮化鉭甚至是鈷。

作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，應(yīng)用材料每年投入的研發(fā)費(fèi)用也十分可觀，其2017財(cái)年的研發(fā)經(jīng)費(fèi)接近18億美元，占總營收的12%強(qiáng)。應(yīng)用材料也是最早投入以鈷代替銅、鎢做為導(dǎo)線材料的設(shè)備廠商之一。據(jù)悉，應(yīng)用材料已經(jīng)有一系列設(shè)備可以對(duì)應(yīng)鈷材料，包括ENDURA平臺(tái)上物理氣相沉積PVD、原子層沉積ALD、化學(xué)氣相沉積CVD。ENDURA平臺(tái)推出20年來，已經(jīng)有超過100個(gè)客戶使用超過4500臺(tái)ENDURA平臺(tái)。當(dāng)然應(yīng)用材料不只ENDURA平臺(tái)，在PHRODUCER平臺(tái)上的退火設(shè)備、PROVISION平臺(tái)上的電子束檢測、以及REFLEXION LK PRIME CMP平臺(tái)的上的平坦化設(shè)備翥可以滿足鈷互連工藝。這一整套整合鈷金屬解決是針對(duì)10納米/7納米以下制程的，可以滿足加速芯片效能，縮短芯片上市時(shí)間的需求。

相比于銅來說，鈷的電阻率很高，是其3倍，但電遷移的可能性要小得多。為了保證晶體管之間以及晶體管內(nèi)部的短程連接，晶圓制造商開始利用鈷作為金屬層材料。在2017年的IEDM大會(huì)上，英特爾的報(bào)告中指出，在10納米加工技術(shù)的兩層超薄布線層中使用鈷互聯(lián)，電遷移減少了1/10至1/5，電阻率是原來的一半。改善后的互連線路將有助于半導(dǎo)體行業(yè)克服線路問題，進(jìn)一步縮小晶體管尺寸。

英特爾公司是第一個(gè)將芯片中的銅換成鈷的公司。在工藝改進(jìn)過程中，英特爾公司曾經(jīng)將與晶體管柵極接觸的鎢金屬層替換成鈷金屬層。之前選擇用鎢是因?yàn)殒u有彈性且不會(huì)有電遷移問題。但是鎢的電阻率很高。

VLSI Research的首席執(zhí)行官Dan Hutcheson說：“最大的問題是在哪里植入新技術(shù)。如果你過早應(yīng)用，就會(huì)產(chǎn)生很多成本。英特爾愿意為此付出高價(jià)，并且他們有能力調(diào)試新的材料?！?/p>

做為第一個(gè)吃螃蟹的人，英特爾在用鈷替代銅、鎢做導(dǎo)線時(shí)，已經(jīng)做好了準(zhǔn)備。一旦在互連材料的替代上取得先機(jī)，將銳不可擋。

畢竟臺(tái)積電和三星在未來也會(huì)碰到英特爾一樣的難題。

就算鈷替代銅和鎢可以避免，也還會(huì)碰到其他難題。畢竟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天，面臨了近20年來的最重要的材料變革，技術(shù)推動(dòng)已經(jīng)假手換人，摩爾定律推進(jìn)的難度大增。

畢竟半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步來不得半點(diǎn)虛假。在后摩爾時(shí)代，晶體管架構(gòu)的改變、EUV光刻機(jī)的出現(xiàn)、封裝技術(shù)越來越受重視、新材料的出現(xiàn)，都將延續(xù)該定律的經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。

未來鹿死誰手，讓我們拭目以待吧！