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聚焦安全芯片,紫光國微2.2億將DRAM業(yè)務出售給紫光存儲

2018-10-12

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繼大股東股權架構調整、董事長更替后,紫光國微(002049)開始資產整合,剝離虧損的存儲器業(yè)務,聚焦安全芯片設計。


剝離虧損資產


10月11日晚間上市公司公告中,紫光國微擬將西安紫光國芯全部股權將以2.2億元轉讓給紫光集團下屬的全資子公司北京紫光存儲科技有限公司,交易完成后,公司將不再持有西安紫光國芯股權。


作為上市公司全資子公司,西安紫光國芯半導體有限公司為DRAM存儲器芯片設計公司,屬于紫光國微旗下存儲器業(yè)務平臺。e公司記者發(fā)現,本次紫光國微置出資產主要出于研發(fā)投入資金壓力和間接控股股東紫光集團整體戰(zhàn)略部署考慮。


紫光國微表示,為保持和跟進DRAM存儲器芯片設計領域的先進技術,西安紫光國芯持續(xù)加大產品開發(fā)投入,但受下游制造代工產能等方面的限制,短期內無法達到規(guī)模經濟,經營壓力加大,資產負債率不斷提高,已影響到其正常持續(xù)經營,給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力,其自身后續(xù)的研發(fā)投入也面臨很大困難。


這一資產轉讓給紫光系公司紫光存儲也是結合紫光集團在存儲器領域的總體戰(zhàn)略布局,增強存儲器方向的協同作用,同時保障持續(xù)發(fā)展對資金的需求。


本次擬剝離的西安紫光國芯,前身為西安華芯半導體有限公司,由紫光國微(原同方國芯)2015年、2017年收購分步置入上市公司體內,前后合計斥資約1.3億元。


今年4月份,上市公司尚發(fā)行13億元公司債券。據公司高管介紹,這部分資金用于成都研發(fā)中心項目、高性能第四代DRAM存儲器項目、償還公司債務等。

不過,納入上市公司體內后,西安紫光國芯業(yè)績并未增長。2014年公司尚且盈利,凈利潤1026.45萬元,但是到去年凈利潤虧損1200萬元,而今年1-7月西安紫光國芯凈利潤尚虧損585萬元,資產負債率也攀升到90%。


存儲布局調整


回溯歷史,存儲芯片曾經是紫光國微重要的業(yè)務布局。


去年2月紫光國微(原紫光國芯)籌劃重大資產重組,擬通過購買長江存儲科技控股有限責任公司股權,涉足存儲器芯片制造領域,而長江存儲是國家存儲器基地項目實施主體公司,由紫光集團控股子公司紫光國器聯合國家集成電路產業(yè)投資基金股份有限公司等共同出資。


后因條件尚不成熟,這項資產重組終止。彼時,紫光集團向e公司記者表示,為保證存儲器芯片工廠建設進度,由紫光集團設立長江存儲先行啟動項目;同時表示如果紫光國芯未來規(guī)劃存儲器芯片業(yè)務,在滿足條件情況下,有權通過非公開發(fā)行、重大資產重組等方式對長江存儲進行產業(yè)整合。不過,后續(xù)并未再次啟動該項資產重組。


芯謀研究首席分析師顧文軍向e公司記者表示,本次紫光國微剝離DRAM,這樣對雙方都比較有利,戰(zhàn)略上能統一到一起。


紫光集團今年內在持續(xù)加碼存儲業(yè)務。作為本次資產接盤方,紫光存儲去年成立,今年8月份攜旗下8個系列的存儲產品首次亮相位于美國的2018年閃存峰會。當時,紫光存儲CEO任奇?zhèn)ケ硎荆瞎獯鎯涍^短短一年的發(fā)展,在客戶需求、產品規(guī)劃、研發(fā)、驗證、生產等各個方面逐步完善,并成功推出閃存產品。


另外,長江存儲8月公開發(fā)布了全新3D NAND架構XtackingTM。據介紹,該技術將為3D NAND閃存提高I/O高性能、存儲密度,縮短產品上市周期。目前長江存儲已將該技術應用于到第二代3D NAND產品的開發(fā),預計2019年進入量產階段。


今年來,紫光國微在人事方面也迎來一輪變動。繼5月份趙偉國辭去上市公司董事長,7月份 李明因工作原因辭去上市公司董事長、董事職務,補選刁石京為公司董事會董事,現任董事長。刁石京原任工信部電子信息司副司長、司長,現任紫光集團聯席總裁。


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