2018年7月20日，由中國半導體協(xié)會集成電路設計分會和芯原控股有限公司主辦，成都市投資促進委員會、都江堰市人民政府、成都新能源汽車產業(yè)聯(lián)盟、電子科技大學車聯(lián)網校友會協(xié)辦，成都市經信委和成都高新區(qū)支持的2018青城山中國IC生態(tài)高峰論壇于7月20日在青城豪生國際酒店隆重召開。會議以“打造智慧汽車電子產業(yè)鏈”為主題，共邀請了超過260位來自政府、高校、企業(yè)和機構的決策人員出席，共同探討智慧汽車電子產業(yè)的未來發(fā)展。

　　來自加特蘭微電子的陳嘉澍介紹了目前毫米波雷達的發(fā)展態(tài)勢，及加特蘭推出的國內首款77GHz CMOS雷達芯片。

　　CMOS毫米波雷達優(yōu)勢之一，低價格

　　陳嘉澍表示，毫米波雷達應用在車上已經有將近30年歷史，其工藝進步和半導體工藝進步發(fā)展密不可分，最初是采用砷化鎵工藝，所以造價非常昂貴，并沒有被廣泛采用。而在2009年開始，毫米波雷達開始引入硅鍺工藝，使射頻、數(shù)字IC、結構件、封測等成本下跌接近一半，市場滲透率有了較大提升。

　　而對于未來，陳嘉澍表示，L4級別以上的無人駕駛汽車需要至少10顆以上的毫米波雷達，而為了大規(guī)模部署工作，毫米波雷達的價格必須下沉，這時候CMOS工藝有著巨大優(yōu)勢。根據陳嘉澍給出的數(shù)據表明，CMOS工藝的毫米波雷達相比砷化鎵工藝，成本可降低70%。

　　CMOS毫米波雷達芯片優(yōu)勢之二，高集成度

　　陳嘉澍表示，GaAs時代，系統(tǒng)的設計和布局非常復雜，到了SiGe工藝時代，集成度得以大幅度提高，到了CMOS時代，Transmit MMIC和Receive MMIC及LO connection都可以集成至單收發(fā)器內。這樣可以加速產品的開發(fā)并輕松實現(xiàn)小型化結構。

　　盡管以前CMOS工藝在高頻下性能不好，但是隨著節(jié)點制程不斷升級，40nm CMOS工藝性能就已經超過了130nm SiGe性能。

　　“如果看一下應用市場，凡是普遍的大規(guī)模的應用都會選擇CMOS工藝；第二個規(guī)律則是但凡使用SiGe工藝實現(xiàn)的產品，最終都會被CMOS取代，這是已經被廣泛驗證過的規(guī)律，在毫米波雷達上也將逐漸發(fā)生?！标惣武f道。

　　國內首款77GHz CMOS雷達芯片

　　加特蘭微電子成立與2007年，公司的主要團隊成員均來自于加州大學伯克利分校和谷歌等一流研究機構和學院，去年成功量產了全球第一顆CMOS工藝單芯片毫米波雷達收發(fā)器，是目前唯一一個批量供應車規(guī)級毫米波芯片的企業(yè)。集成了發(fā)射器接收器、模擬前端、調頻等全集成在單芯片中。此外，還集成了非常多的自檢功能模塊，包括溫度、鎖定探測器、發(fā)射機輸出功率檢測等。除了高集成度之外，各項物理指標均達到或者超越原來GaAs工藝的指標。發(fā)射器具有連續(xù)調頻功能，可以用簡單的數(shù)字邏輯設計出想要的波形，適應現(xiàn)在主流的任何一個頻段。

　　產品的功耗為650mW，GaAs工藝則為2W，降低了70%。功耗的降低使散熱結構可以大大減少，從而減少毫米波雷達的散熱結構和體積。陳嘉澍表示，目前加特蘭微電子正在研發(fā)的毫米波雷達整體只有半個名片大，可非常方便部署在汽車上。

　　經過了一年時間，產品已通過了AEC-Q100認證。

　　目前，加特蘭微電子量產的單芯片收發(fā)器有兩個版本，分別對應中短距雷達和高分辨率雷達兩個應用，目前已經有客戶實現(xiàn)了BSD或者ACC雷達。陳嘉澍透露，今年將會在前裝市場上首次采用加特蘭微電子的芯片。

　　陳嘉澍最后強調，加特蘭微電子不只是做芯片開發(fā)，還根據芯片實現(xiàn)了一套完整的雷達系統(tǒng)參考設計，方便用戶進行評估或測試。