根據(jù)市場消息，臺積電預(yù)定在明年第1季進(jìn)行5奈米制程風(fēng)險性試產(chǎn)，將是全球第一家導(dǎo)入5奈米制程試產(chǎn)的晶圓代工廠，而依據(jù)臺積電的時程，將有望在明年底或2020年初進(jìn)行量產(chǎn)，再度領(lǐng)先全球。

在之前，業(yè)界普遍認(rèn)為，7nm已經(jīng)是極限，再小會導(dǎo)致電子偏移，發(fā)熱嚴(yán)重，效率變低，性能會適得其反。不過臺積電對5nm進(jìn)展感到非常滿意，自信能夠按照計劃量產(chǎn)。根據(jù)臺積電的規(guī)劃，其 5nm(CLN5)將繼續(xù)使用荷蘭ASML Twinscan NXE: 3400 EUV光刻機(jī)系統(tǒng)，擴(kuò)大EUV的使用范圍，相比于第一代7nm晶體管密度可猛增80％(相比第二代則是增加50％。而為了追求這個先進(jìn)工藝，臺積電投入巨資，讓所有競爭對手都望塵莫及。

路透社報道，臺積電在7納米戰(zhàn)局持續(xù)擴(kuò)大領(lǐng)先差距，且于5納米投資額高達(dá)250億美元，再次堆高資本與技術(shù)壁壘。光晶圓廠方面，就是一筆巨大的投入。

在今年一月初，臺積電宣布在臺灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)開工建設(shè)新的5nm工廠。據(jù)透露，5nm工廠是南科12寸超大型晶圓廠Fab 14的延伸，預(yù)計將興建第8期至第10期等共3個廠區(qū)，5nm合計月產(chǎn)能可望上看9～10萬片。而整個工廠占地也將超過40公頃，由于建廠及設(shè)備成本愈來愈高，消息表示，臺積電5nm 3個廠區(qū)的總投資金額將創(chuàng)下新高紀(jì)錄，設(shè)備業(yè)者推估應(yīng)達(dá)新臺幣2,000億元，而新工藝的快速演進(jìn)將大大鞏固臺積電一號代工廠的地位。

至于競爭對手方面，全球先進(jìn)制程發(fā)展到這個階段，能繼續(xù)參與下一階段的只剩下資本雄厚的三星電子(Samsung Electronics)及英特爾(Intel)，但因?yàn)榕_積電保證絕對不與客戶競爭、不做品牌的承諾，這就成為其代工版圖持續(xù)擴(kuò)大的關(guān)鍵所在，而技術(shù)的領(lǐng)先則是其根本。我們先看一下這兩年聲勢浩大的三星。

在今年五月于美國舉辦的三星工藝論壇SFF 2018 USA之上，三星宣布將連續(xù)進(jìn)軍5nm、4nm、3nm工藝，直逼物理極限！按照三星的規(guī)劃，三星7nm EUV的柵極間距是54nm，鰭片間距是27nm，前者是Intel 10nm的水平。而其5nm LPE工藝在7nm LPP制程的基礎(chǔ)上繼續(xù)創(chuàng)新改進(jìn)，可進(jìn)一步縮小芯片核心面積，帶來超低功耗；緊接著的4nm LPE/LPP則是他們最后一次應(yīng)用高度成熟和行業(yè)驗(yàn)證的FinFET立體電晶體管技術(shù)，結(jié)合此前5nm LPE制程的成熟技術(shù)，芯片面積更小，性能更高，可以快速達(dá)到高良率量產(chǎn)，也方便客戶升級。

在7nm還沒放量的時候，這兩家晶圓代工大廠已經(jīng)開始瞄準(zhǔn)了3nm，作為下一個角逐的戰(zhàn)場。而國內(nèi)的SMIC還在14nm上攻克。

毫無疑問，未來的晶圓競爭會是巨頭的游戲，資金投入和技術(shù)投入是驚人的，對于國內(nèi)晶圓廠來說，想追上這些行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，還有很長的一段路要走。