2000年3月4日，79歲的復(fù)旦大學(xué)前校長謝希德先生與世長辭，美國議員科特.韋爾德專程把國會升起的一面國旗送到復(fù)旦美國研究中心，以紀(jì)念這位為推動中美關(guān)系發(fā)展做出杰出貢獻(xiàn)的女士。維爾德曾是堅(jiān)定的反華派，過去一直投票反對延長中國最惠國待遇。直到他遇到了謝希德，很快就被謝先生淵博的知識和強(qiáng)大的人格魅力感染，變成了中國人民的朋友。他說：“作為美國的議員，我為能與她一起推動中美關(guān)系走向新世紀(jì)而感到光榮”。
這位新中國第一位女大學(xué)校長晚年一直在為推動中美兩國關(guān)系發(fā)展、學(xué)界交流積極奔走，國內(nèi)研究美國的頂級機(jī)構(gòu)復(fù)旦美國研究中心就是她一手創(chuàng)立。而很多人不知道，睿智、堅(jiān)強(qiáng)、美麗的謝希德，還是我國半導(dǎo)體事業(yè)的奠基人，被人們稱為“中國半導(dǎo)體之母”。
1949年，謝希德拿到史密斯學(xué)院碩士學(xué)位的時候，弟弟就寫信告訴她新中國成立的消息。自小在炮火和逃亡中長大的謝希德覺得中國的曙光來了，從那時，她就立志要回國出一份力。1950年，朝鮮戰(zhàn)爭爆發(fā)，美國政府隨后禁止留美的理工科中國學(xué)生回國。1951年，30歲的謝希德從麻省理工學(xué)院理論物理專業(yè)畢業(yè)，他的愛人曹天欽也在英國劍橋大學(xué)生物化學(xué)系博士畢業(yè)。歸國心切的謝希德在李約瑟的擔(dān)保下來到英國，與曹天欽完婚。第二年，兩人便迫不及待地從英國輾轉(zhuǎn)印度、香港，踏上了歸國的旅程。
回國后的謝希德被安排在復(fù)旦大學(xué)物理系擔(dān)任教授。短短五年時間，她從無到有，開設(shè)了固體物理學(xué)、量子力學(xué)等6門課程。1956年，周總理發(fā)起了“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號，她被國務(wù)院調(diào)到北京大學(xué)聯(lián)合籌建半導(dǎo)體專業(yè)組，并與北京大學(xué)的黃昆、吉林大學(xué)的高鼎三創(chuàng)立了我國第一個半導(dǎo)體專門化培訓(xùn)班。經(jīng)過一整年的時間，謝希德與黃昆合著的《半導(dǎo)體物理學(xué)》問世，這也是我國該領(lǐng)域的第一部著作，直到現(xiàn)在也是專業(yè)經(jīng)典教材。經(jīng)過兩年的培養(yǎng)，包括中科院院士王陽元、工程院院士許居衍、微電子專家俞忠鈺等的300多名青年科技工作者，分赴我國第一批半導(dǎo)體科研單位和生產(chǎn)第一線，成為行業(yè)的先鋒和骨干。
《半導(dǎo)體物理學(xué)》黃昆、謝希德著
這門1947年才誕生的學(xué)科，早早就在謝希德和其他老一輩科學(xué)家的努力下，在中國落地生根。
一
朝鮮戰(zhàn)爭的爆發(fā)，讓中國成為世界政治、軍事沖突矛盾的最前沿。為解決軍隊(duì)電子通信問題，在蘇聯(lián)和民主德國的技術(shù)支持下，我國在北京酒仙橋籌建北京電子管廠（774廠，即現(xiàn)在的京東方）。該廠年產(chǎn)電子管1220萬只，是亞洲最大的電子管廠。除此之外，酒仙橋還建起了規(guī)模龐大的北京電機(jī)總廠、華北無線電器材聯(lián)合廠（其中就有現(xiàn)在的798藝術(shù)區(qū)）、北京有線電廠（738廠）、華北光電技術(shù)研究所等單位。這些一五期間的工廠，成為我國電子工業(yè)的基礎(chǔ)。
謝希德在北大培養(yǎng)我國第一批半導(dǎo)體人才的1956年，美國人肖克利因?yàn)榘l(fā)明鍺晶體管獲得諾貝爾物理學(xué)獎。這個8年前在貝爾實(shí)驗(yàn)室的發(fā)明，相比之前一直使用的帶玻璃罩的真空管，微小、耐用、增益大，簡直是上帝的禮物，全世界的電子工業(yè)界都為之震動。
同年，國家結(jié)合當(dāng)時世界科技發(fā)展的趨勢，制定了為期十二年的《1956-1967科技發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃》，并把計(jì)算機(jī)、無線電、半導(dǎo)體和自動化作為國家生產(chǎn)和國防需要緊急發(fā)展的領(lǐng)域，正式向科學(xué)進(jìn)軍。在“重點(diǎn)發(fā)展、迎頭趕上”和“以任務(wù)帶學(xué)科”的方針指引下，我國半導(dǎo)體事業(yè)從無到有，有了長足的進(jìn)展。1957年，北京電子管廠拉出鍺單晶，同年，研制出鍺晶體管。1958年，中科院王守武、王守覺兄弟（中科院人稱“大王”、“小王”）研制出我國第一批鍺合金高頻晶體管，并成功應(yīng)用在109廠（現(xiàn)中科院微電子所）的109乙計(jì)算機(jī)上。
向科學(xué)技術(shù)現(xiàn)代化進(jìn)軍
1959年，赫魯曉夫在參加了國慶十周年大典后正式表態(tài)停止對中國的一切援助，蘇聯(lián)專家撤出中國。中蘇正式絕裂，并開始了長達(dá)二十多年的對抗。在地球的另一邊，美國德州儀器的基爾比提出集成電路的構(gòu)想；三個月后，仙童公司的諾伊斯用蒸發(fā)沉積金屬的方法替代導(dǎo)線，使得集成電路大規(guī)模量產(chǎn)成為可能。1960年，美國人發(fā)明平面光刻技術(shù)，仙童公司隨即開發(fā)出全球第一塊晶體管集成電路。
1959年，在林蘭英的帶領(lǐng)下，我國沖破西方禁運(yùn)，僅比美國晚一年拉出了硅單晶。同年，李志堅(jiān)在清華拉出高純度多晶硅。1960年，中科院半導(dǎo)體所和河北半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)中電13所）正式成立。我國的半導(dǎo)體工業(yè)體系初步建成。同年，黃昆、王守武、王守覺、林蘭英開始研究平面光刻技術(shù)，并在1963年研發(fā)出5種硅平面器件，應(yīng)用在了109丙型計(jì)算機(jī)上。1965年，王守覺在一塊約1平方厘米大小的硅片內(nèi)，刻蝕了7個晶體管、1個二極管、7個電阻和6個電容的電路，我國第一塊集成電路由此誕生。
60年代初，日本在美國的扶植下，通過官產(chǎn)學(xué)聯(lián)合的形式，引進(jìn)美國技術(shù)，建立了初步的半導(dǎo)體工業(yè)體系。而此時的韓國、臺灣，仍然沒有像樣的半導(dǎo)體工業(yè)。
1966年，十年風(fēng)波開始，但我國的半導(dǎo)體工業(yè)建設(shè)并未止步。1968年，北京組建國營東光電工廠（878廠），上海組建無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)。其中北京878廠主要生產(chǎn)TTU電路、CMOS鐘表電路及A/D轉(zhuǎn)換電路；上海無線電19廠，主要生產(chǎn)TTL、HTL數(shù)字集成電路。他們是當(dāng)時中國集成電路產(chǎn)業(yè)中的南北兩強(qiáng)。1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導(dǎo)體研究所，現(xiàn)中電24所），是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年，上海無線電十四廠首次制成PMOS電路。1970年代永川半導(dǎo)體研究所、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路，之后又研制成CMOS電路。
1972年，美國總統(tǒng)尼克松訪華后，中國從歐美大量引進(jìn)技術(shù)，全國有四十多家集成電路廠建成投產(chǎn)。包括四機(jī)部下屬的749廠（甘肅天水永紅器材廠）、871廠（甘肅天水天光集成電路廠）、878廠（北京東光電工廠）、4433廠（貴州都勻風(fēng)光電工廠）、4435廠（湖南長沙韶光電工廠）和航天691廠（侯為貴創(chuàng)立中興前的工作單位，現(xiàn)并入航天771所）等。
也是在1972年，我國自主研制的PMOS大規(guī)模集成電路在永川半導(dǎo)體研究所誕生，實(shí)現(xiàn)了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越。實(shí)現(xiàn)這一過程，中國人比美國人晚了4年。1975年，王陽元在北京大學(xué)設(shè)計(jì)出第一批1K DRAM，比英特爾生產(chǎn)的C1103晚5年。
1978年，王守武帶領(lǐng)徐秋霞等人在中科院半導(dǎo)體所成功研制4K DRAM，次年在109廠量產(chǎn)成功。這時，比美國人晚了6年。1979年，中國成功反向英特爾的8080八位微處理器，比德國和日本早一年。1980年，王守武兼任109廠廠長，將老廠房升級改造為1000到10000級的高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室，并在這里組裝了我國第一條中、大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線。
1975年王守武（中）和參觀半導(dǎo)體所的美籍華人科學(xué)家
此時，日本在美國的技術(shù)支持下，半導(dǎo)體研發(fā)官產(chǎn)學(xué)模式大獲成功。1971年，研制成功1K DRAM，僅比美國晚1年，并全面超越中國。而韓國、臺灣省這一時期憑借代工美國落后的半導(dǎo)體器件，并通過頒布產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃、引進(jìn)技術(shù)、派遣留學(xué)人員學(xué)習(xí)培訓(xùn)等方式，投入大量資金，積累半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，但整體技術(shù)仍未超越我國。
改革開放之前，中國舉全國之力，主攻半導(dǎo)體科技。在一大批舍身忘我的半導(dǎo)體人的努力下，從無到有，建立了相對完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系。雖然建設(shè)沒有停歇，但十年沉睡，很多人還在夢里，一切都沒有做好準(zhǔn)備。
二
時間到了80年代，國人一覺醒來，發(fā)現(xiàn)外面的世界已是一片森林。 “冰川紀(jì)過去了，為什么到處都是冰凌？” 巨大的物質(zhì)和精神匱乏感，讓人們興奮又迷惘。漸漸地，人們有了新的寄托。“時間就是金錢，效率就是生命”，泱泱大國，機(jī)會遍地都是，可以掙錢的地方太多了。而半導(dǎo)體行業(yè)，這個板凳一坐十年冷的行業(yè)，慢慢落伍了。
80年代初期，國家縮減對電子工業(yè)的直接投入，希望廣大電子廠能夠到市場自己找出路。為了在短期獲得效益，大量工廠出國購買技術(shù)、生產(chǎn)線。自主研發(fā)的電子工業(yè)思路逐漸被購買引進(jìn)所替代。這也是侯為貴在1980年被派往美國考察產(chǎn)線，1985年到深圳創(chuàng)辦中興半導(dǎo)體的原因。
然而，由于巴黎統(tǒng)籌委員會（簡稱“巴統(tǒng)”）的技術(shù)限制，我們只能引進(jìn)落后的二手淘汰設(shè)備。各地、各廠各自為戰(zhàn)，缺乏統(tǒng)一規(guī)劃，前沿技術(shù)研究被拋在腦后。于是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)越引進(jìn)，越落后。1984年至1990年，中國各地方政府、國有企業(yè)和大學(xué)，總共從國外引進(jìn)類似的淘汰晶圓生產(chǎn)線達(dá)33條，按照每座300-600萬美元估算，總計(jì)花費(fèi)1.5億美元左右。這33條晶圓生產(chǎn)線，大多是3英寸、4英寸的晶圓線。而1987年，日本研發(fā)的DRAM就已經(jīng)采用了8英寸線。
隨后國家也采取了一些措施來協(xié)調(diào)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。1986年，電子工業(yè)部在廈門舉辦集成電路戰(zhàn)略研討會，提出“531戰(zhàn)略”。即“普及5微米技術(shù)、研發(fā)3微米技術(shù)，攻關(guān)1微米技術(shù)”，并落實(shí)微電子南北兩個基地、一個點(diǎn)的布局。即南方集中在江浙滬，北方集中在北京，一個點(diǎn)是西安。
日本在80年代通過前期的技術(shù)積累，加上大規(guī)模人、財(cái)、物力投入，在DRAM技術(shù)上完成了對美國人的逆襲，同時帶動了整個半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展。到了1990年，全球前十大半導(dǎo)體公司有6家都是日本公司。而緊隨日本的學(xué)生——韓國，也由政府牽頭，四大財(cái)閥大力投入，并在美國爸爸“扶韓抗日”的政策幫助下，迅速追趕日本。
此時的我們，已經(jīng)全面落后日本，開始被韓國超越，并很快被甩在了身后。1981年中科院半導(dǎo)體所研制成功16K DRAM（比韓國僅晚兩年）。1985年，該所制造出中國第一塊64K DRAM（比韓國晚一年）。1986年制定531戰(zhàn)略的時候，日本人已經(jīng)開始將線寬從0.8微米向0.5微米推進(jìn)；而韓國人研發(fā)加速，研制出1M DRAM，與日本的差距僅1年。直到1993年，我國才在無錫華晶制造出第一塊256K DRAM，比韓國已經(jīng)晚了整整七年。
80年代的集成電路大生產(chǎn)試驗(yàn)鑒定會
90年代初，日本經(jīng)濟(jì)泡沫破裂，韓國趁勢加大投資、拉攏人才。 1992年，三星超過NEC，成為世界第一大DRAM制造商；同年，開發(fā)出世界第一個64M DRAM。在產(chǎn)量和研發(fā)上全面超越日本，成為世界第一。
也許是看到了鄰國產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的事實(shí)，國家一改以往各自為戰(zhàn)的模式，開始用重點(diǎn)項(xiàng)目的方式集中進(jìn)行半導(dǎo)體投資研發(fā)。1990年8月，國家計(jì)委和機(jī)電部在北京聯(lián)合召開了有關(guān)領(lǐng)導(dǎo)和專家參加的座談會，中央隨即決定實(shí)施908工程。國家為908工程集中投資20多億元，目標(biāo)是在無錫華晶建成一條月產(chǎn)1.2萬片、6英寸、0.8－1.2微米的芯片生產(chǎn)線。但由于審批時間過長，工程從開始立項(xiàng)到真正投產(chǎn)歷時7年之久。芯片工藝節(jié)點(diǎn)符合摩爾定律，每兩年左右就縮減一半。及至1997年建成投產(chǎn)時，華晶的技術(shù)水平已大大落后于國際主流技術(shù)達(dá)四至五代。月產(chǎn)僅800片左右，投產(chǎn)當(dāng)年即虧損2.4億元，最終無奈被華潤收購。
1995年10月，電子部和國家外專局在北京聯(lián)合召開國內(nèi)外專家座談會，希望加速我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。11月，電子部向國務(wù)院做了專題匯報(bào)，確定實(shí)施909工程，對建設(shè)大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式批復(fù)立項(xiàng)。909工程項(xiàng)目注冊資金40億人民幣（1996年國務(wù)院決定由中央財(cái)政再增加撥款1億美元），由國務(wù)院和上海市財(cái)政按6：4出資撥款。1996年，909工程的主體承擔(dān)單位上海華虹微電子有限公司與日本NEC公司合作，組建了上海華虹NEC。
就在909工程立項(xiàng)的前一年，“巴統(tǒng)”解散，但西方國家并沒有留給我們什么窗口期。緊接著在1996年7月，包括“巴統(tǒng)”17國在內(nèi)的33個西方國家簽署了《瓦森納協(xié)定》，對中國等國家實(shí)施軍用、軍民兩用商品和技術(shù)的控制清單，包括電子器件、計(jì)算機(jī)、傳感器、新材料等9大類高新技術(shù)被實(shí)施禁運(yùn)。半導(dǎo)體相關(guān)的高端設(shè)備、技術(shù)和元器件全部無法引進(jìn)，產(chǎn)業(yè)建設(shè)更加困難。
1996年，時任電子部部長胡啟立以66歲的年齡兼任華虹集團(tuán)董事長，直接主持909工程。有好心朋友勸說胡啟立“你搞909，是搶個地雷頂在自己的頭上。”頂著地雷的胡啟立硬著頭皮，帶領(lǐng)華虹NEC克服了華晶七年漫長建廠的悲劇，于1997年7月31日開工，1999年2月完工，投產(chǎn)之時正趕上全球芯片市場一片向好，2000年取得30.15億元的銷售額，利潤達(dá)到5.16億元，出口創(chuàng)匯2.15億美元。
1999年華虹NEC投產(chǎn)，中為胡啟立
朱相曾說：“這是國務(wù)院動用財(cái)政赤字給你辦企業(yè)，你可要還給我呀！”可是，半導(dǎo)體這種投入大、回報(bào)周期長的行業(yè)，想要迅速回籠資金，太難了。
三
2001年是中國的祥瑞之年，申奧成功、男足打進(jìn)世界杯和加入WTO，讓每一個國人為之振奮和感動。而半導(dǎo)體行業(yè)，卻在喧囂中進(jìn)入低迷期。美國互聯(lián)網(wǎng)泡沫在頂峰戛然而止，科技行業(yè)受到重挫，曾經(jīng)的半導(dǎo)體巨頭日本東芝也宣布不再生產(chǎn)通用DRAM，全面收縮半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。這一年，華虹NEC全年虧損13.84億元。
半個世紀(jì)前，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以服務(wù)軍事需求為初衷，通過國家計(jì)劃推動發(fā)展。這種傳統(tǒng)靠著慣性一直延伸到了908、909工程。而這些有著明顯計(jì)劃經(jīng)濟(jì)色彩的國家工程又以企業(yè)為主體，希望在市場中分一杯羹。這種思維和身份的沖突，使得工程產(chǎn)物要么過時，要么需要花更大的力氣去理清這矛盾，因而步履維艱。更重要的是，單一的工程項(xiàng)目對產(chǎn)業(yè)生態(tài)的提振十分有限。
加入WTO前后，國際化的視野和市場化的運(yùn)作方式被引入中國。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)越來越以“真正的產(chǎn)業(yè)”姿態(tài)出現(xiàn)在人們的視野里。2000年6月，國務(wù)院發(fā)布了《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（18號文），并陸續(xù)推出了一系列促進(jìn)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的優(yōu)惠政策和措施。用政策引導(dǎo)的方式，積極發(fā)展產(chǎn)業(yè)配套，改善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境。在中央和地方政策引導(dǎo)下，國內(nèi)掀起了一波集成電路投資熱潮。
信息產(chǎn)業(yè)部同時組織實(shí)施了“中國芯”工程，大力扶持國內(nèi)具有自主知識產(chǎn)權(quán)IC產(chǎn)品的研發(fā)。在國家863、973計(jì)劃的大力支持下，國產(chǎn)CPU作為重點(diǎn)攻關(guān)領(lǐng)域，在多個單位同時研發(fā)。2001年，方舟科技設(shè)計(jì)的“方舟一號”流片成功，這是我國自主研發(fā)的32位RISC指令集CPU；2002年，中科院計(jì)算所的“龍芯一號”問世，是采用MIPS指令集的32位CPU；2002年，北大眾志將X86引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新，推出了基于自主設(shè)計(jì)X86兼容的32位“眾志863” CPU芯片。
2001年，留美歸國的鄧中翰在1999年創(chuàng)立的中星微電子有限公司宣布，國內(nèi)首枚具有自主知識產(chǎn)權(quán)的多媒體芯片“星光一號”研發(fā)成功。此后，中星微的多媒體芯片被廣泛應(yīng)用于PC和智能手機(jī)的攝像頭，被索尼、三星、惠普、飛利浦等一線IT企業(yè)采購。2003年，全球市場份額一度達(dá)到60%。2005年3月，該數(shù)字多媒體芯片與神舟飛船等一起榮獲國家科技進(jìn)步一等獎。2005年11月，中星微登陸納斯達(dá)克，成為第一家在納斯達(dá)克上市的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的中國芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。
同年，中國臺灣人張汝京由于一手創(chuàng)辦的世大積電被大股東偷賣給臺積電，含恨帶著資金、技術(shù)和團(tuán)隊(duì)在上海創(chuàng)辦了中芯國際。在上海實(shí)業(yè)、華登國際的大規(guī)模資金支持下，僅用兩年就建設(shè)了三條8寸生產(chǎn)線，速度和效率震驚業(yè)界。
然而，就在國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)蒸蒸日上，一片欣欣向榮的時候，卻被漢芯事件打了響亮的一記耳光。2003年2月上海交大微電子學(xué)院院長陳進(jìn)舉行盛大發(fā)布會，宣布國產(chǎn)高性能DSP“漢芯一號”研發(fā)成功，信息產(chǎn)業(yè)部、上海市政府以及王陽元、許居衍（不知謝先生在世會作何感想）和嚴(yán)曉浪等國內(nèi)頂級專家紛紛站臺，表示“漢芯一號”及其相關(guān)設(shè)計(jì)和應(yīng)用開發(fā)平臺，達(dá)到了國際先進(jìn)水平，是中國芯片發(fā)展史上一個重要的里程碑。
三年后，有人在水木清華BBS上公開指責(zé)陳進(jìn)的“漢芯一號”造假，很快引起業(yè)界關(guān)注。隨著調(diào)查的深入，真相終于大白于天下?！皾h芯一號”不過是雇人把摩托羅拉相關(guān)芯片的標(biāo)識用砂紙磨掉，然后加上“漢芯”標(biāo)志“研制”而成。陳進(jìn)因?yàn)闈h芯，為自己騙取了無數(shù)的項(xiàng)目資金和榮譽(yù)，使原本該給國人一劑強(qiáng)心劑的“漢芯一號”，變成了一起讓人瞠目結(jié)舌的科研造假事件。
陳進(jìn)在漢芯一號發(fā)布會上
漢芯事件，深深傷害了國人的感情，也讓半導(dǎo)體行業(yè)的科研和市場受到了巨大沖擊。此后的很長一段事件，人們對國產(chǎn)芯片總是帶著懷疑的眼光，時不時會調(diào)侃一句“不會也是打磨的吧”。
芯片行業(yè)是技術(shù)、資金、管理重積累的行業(yè)，一步錯，很容易步步錯。漢芯事件只是國內(nèi)整個行業(yè)進(jìn)入低谷的一個標(biāo)志。由于產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)不足，缺乏應(yīng)用生態(tài)，之前國家推進(jìn)的國產(chǎn)CPU，方舟李德磊跑路，倪光南院士到科技部“負(fù)荊請罪”；眾志芯片在科技界和市場上逐漸銷聲匿跡；只有龍芯在熬過了冬天后，在特殊應(yīng)用領(lǐng)域找到了自己的立足之地。
而鄧中翰的中星微，因?yàn)橐恢睆?qiáng)調(diào)“是一個技術(shù)導(dǎo)向型的企業(yè)”，面對移動端帶來的行業(yè)變革顯得遲鈍和固執(zhí)，一個多媒體解決方案需要多個芯片支持。臺灣的聯(lián)發(fā)科單芯片解決方案很快占據(jù)上風(fēng)，并迅速掌握了多媒體芯片產(chǎn)業(yè)鏈的主導(dǎo)權(quán)。中星微從此一蹶不振， 2015年12月，中星微從納斯達(dá)克退市。
張汝京創(chuàng)辦的中芯國際在2003年也因?yàn)橹R產(chǎn)權(quán)問題，與臺積電展開了長達(dá)6年的專利訴訟。2009年11月，臺積電勝訴。兩家公司隨即宣布和解，中芯國際向臺積電支付2億美金，并通過向臺積電發(fā)行新股及授予認(rèn)股權(quán)證，交易完成后臺積電持有中芯國際10%的股份。張汝京自此離開中芯國際。
國內(nèi)缺芯少魂的現(xiàn)狀愈演愈烈，2013年，我國集成電路進(jìn)口額達(dá)2313億美元，超過石油，成為第一大進(jìn)口商品。國家也更加意識到整個產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略重要性。繼2011年國務(wù)院發(fā)布《進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（4號文）之后，2014年6月，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國家戰(zhàn)略；9月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立，一期幕資1387億元，用于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的股權(quán)投資。
大基金一改以往項(xiàng)目為主的資助形式，通過股權(quán)投資的方式，扶植產(chǎn)業(yè)鏈上的龍頭企業(yè)。曾任工信部信息產(chǎn)業(yè)司司長的大基金總裁丁文武明確表示“大基金只投行業(yè)前三”，加大對芯片制造業(yè)的投資力度，兼顧設(shè)計(jì)和封測，投資布局從“面覆蓋”向“點(diǎn)突破”轉(zhuǎn)變，投資工作重心從“注重投資前”向“投前投后并重”轉(zhuǎn)變。自此，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入快車道。
2014年，長電科技7.8億美元收購新加坡星科金朋，成為全球封測第三。南車株洲的8英寸IGBT生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，在昆明地鐵完成運(yùn)行調(diào)試。而紫光集團(tuán)作為這一時期最為矚目的企業(yè)，在國開行和華芯資本1500億資金支持下，連續(xù)對國內(nèi)外企業(yè)進(jìn)行了大規(guī)模并購。2013年，17.8億美元私有化展訊科技；2014年，9億美元率先在海外完成對銳迪科的私有化；2015年5月，耗資25億美元從惠普手里收購了新華三51%的股權(quán)；2016年12月，長江存儲在湖北武漢注冊成立，并在南京和成都同步建設(shè)IC國際城，發(fā)力存儲相關(guān)產(chǎn)業(yè)。
丁文武（右）和趙偉國（左）
產(chǎn)業(yè)發(fā)展總是曲折的，2018年4月美國商務(wù)部的一紙禁令，又給全體中國人澆了一大盆冷水。禁令限制及禁止中興通訊申請、使用任何許可證或許可例外，或從事任何涉及受美國出口管制條例約束的物品、軟件或技術(shù)的交易。人們發(fā)現(xiàn)，由于從基礎(chǔ)芯片、板卡、手機(jī)、交換機(jī)和基站全系列產(chǎn)品都對美國芯片和軟件嚴(yán)重依賴，如果禁令生效，整個公司將徹底陷入癱瘓。原來，我們還差的很遠(yuǎn)。
四
中國飛速發(fā)展的四十年，一切都以超常規(guī)的奇跡姿態(tài)展現(xiàn)在世人面前?！安皇俏也幻靼祝@世界變化快”，快，仿佛才是硬道理。而半導(dǎo)體是公認(rèn)的資本、技術(shù)、人才密集型產(chǎn)業(yè)，其最主要的呈現(xiàn)形態(tài)——集成電路，需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游緊密配合，經(jīng)過仿真設(shè)計(jì)、晶圓廠制造、封裝測試，并通過長期的市場驗(yàn)證才能推出成熟的產(chǎn)品。一旦出現(xiàn)bug，等待回來的往往就是一塊帶著細(xì)密金屬的石頭，試錯成本極高。因此，集成電路的人才、技術(shù)和管理都需要從底層一步步磨出來，資本回報(bào)周期也變得漫長。這一快一慢，成為了現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要矛盾。
近年來，有些國家高科技項(xiàng)目，對標(biāo)國外頂尖指標(biāo)，有10年甚至更長時間的技術(shù)差距，往往也要求在2到3年內(nèi)結(jié)題驗(yàn)收，還要有上量的市場應(yīng)用證明。成本不說，單資金到位后的時間，僅夠一次流片驗(yàn)證。國外專家告訴我，從設(shè)計(jì)到制造，高端芯片的原理、架構(gòu)、設(shè)計(jì)方法都是基本一致的，但有很多l(xiāng)ittle tricks需要不斷試錯，才能發(fā)現(xiàn)和掌握，從而形成一整套嚴(yán)格的流程。而這些繞不過去的tricks，才是真正的關(guān)鍵，沒有十?dāng)?shù)年、數(shù)十年的積累根本無法攻克。
行業(yè)特點(diǎn)和浮躁的心態(tài)造就了尷尬的現(xiàn)狀，從2013年起，集成電路連續(xù)5年超過石油，成為第一大進(jìn)口商品。而在核心、高端、通用芯片上，特別是在數(shù)?；旌想娐分械腁D/DA、超高速SerDes，射頻前端的SAW/BAW濾波器、高性能PA，F(xiàn)PGA，高性能處理器和EDA工具等高階領(lǐng)域差距更大，技術(shù)代差普遍在5-10年，替代率樂觀的估計(jì)也不足20%。因此，無論中興還是國內(nèi)任何一家產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)，在禁運(yùn)的魔咒下，都會被判死刑。
細(xì)節(jié)里的魔鬼，不但嚇跑了喜歡“短平快”的資本，更嚇跑了從業(yè)人員。來自中國半導(dǎo)體協(xié)會的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)人才缺口達(dá)到40萬，而到2017年，整個行業(yè)的從業(yè)人員才30萬左右。
大家看慣了暴富的故事，希望在這而在這狂飆突進(jìn)的年代中分一杯羹。很少有人愿意沉下心來，去“打磨”一塊芯片。連知名教授都自揭傷疤：因?yàn)椴粧赍X，連續(xù)三年畢業(yè)學(xué)生沒有一個搞集成電路的。其實(shí)并不是不掙錢，是性價比太低。一樣的996，新宇宙中心后廠村路的碼農(nóng)們支撐了整個起了整個海淀的房價，而做集成電路的硅工，只能把目光投向曾經(jīng)一度想逃離的故鄉(xiāng)。
人才對產(chǎn)業(yè)的提升需要有正向循環(huán)，產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)，從業(yè)人員待遇提升，吸引更多的人投身進(jìn)來，進(jìn)而助推產(chǎn)業(yè)發(fā)展。很不幸，整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恰恰是負(fù)向循環(huán)。
2002年，南開大學(xué)微電子系大二學(xué)生張一鳴，實(shí)在厭倦了自己的專業(yè)，每天央求系主任轉(zhuǎn)到軟件工程。十年后，他創(chuàng)立了今日頭條，用軟件算法給廣大硅工推送他們茶余飯后的談資。
尾聲
縱觀我國半導(dǎo)體發(fā)展的歷史，每一次發(fā)展都是暗合世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展的趨勢。改革開放前，美蘇爭霸，作為冷戰(zhàn)的前線，我們通過靈活的外交，獲得一定的技術(shù)支持，建立了較為完整的半導(dǎo)體工業(yè)；改革開放后，世界電子產(chǎn)業(yè)向東亞、東南亞轉(zhuǎn)移，開始引進(jìn)技術(shù)設(shè)備，規(guī)模擴(kuò)大；加入WTO后，市場化運(yùn)作更加純熟，品類更加豐富。
而一個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，當(dāng)然要考慮歷史的進(jìn)程，但更要靠自我奮斗。中興事件，讓我們看到了長期積累的政策、風(fēng)氣、心態(tài)、技術(shù)和人才問題。的確，核心技術(shù)市場換不來，有錢買不來，必須立足于自己。
1966年，腿疾在身的謝希德又患上了癌癥，直到她逝世，都在與癌癥做抗?fàn)?。更為不幸的是，她在那段風(fēng)波中被打倒，關(guān)在自己一手創(chuàng)立的低能物理實(shí)驗(yàn)室，九個月后又被安排去掃廁所。后來，她強(qiáng)烈要求去做和半導(dǎo)體相關(guān)的工作，才被安排去研磨硅片。直到1972年，李約瑟應(yīng)邀訪華，她的境遇才有所改變。而在這枯燥的磨片日子里，謝希德居然提出了兩種工藝方法，大大提高了研磨成品率。
也許，只有帶著這份初心，在未來的歷史進(jìn)程里，夢想才能照進(jìn)現(xiàn)實(shí)。
燈下備課的謝希德