是德科技推出全新第三代參數(shù)測(cè)試解決方案,幫助客戶縮短上市時(shí)間并降低測(cè)試成本
2018-01-24
新聞要點(diǎn):
·是德科技P9000已是業(yè)界最快、功能最全的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試解決方案,用于高級(jí)邏輯和記憶集成電路的研發(fā)和批量生產(chǎn)
·第三代P9000憑借全新的參數(shù)測(cè)試單元模塊,可進(jìn)一步提升測(cè)試速度,同時(shí)克服電容測(cè)量所面臨的挑戰(zhàn)
·這款全新的測(cè)試單元模塊可測(cè)量尖端半導(dǎo)體電子過(guò)程中的泄漏電容,并提供 100 引腳并行電容測(cè)量結(jié)果
2018 年 1 月 23 日,北京 – 是德科技(紐約證券交易所代碼:KEYS)近日宣布推出其第三代P9000 系列大規(guī)模并行參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅可加速新技術(shù)的快速發(fā)展,更降低了高級(jí)半導(dǎo)體邏輯和記憶集成電路開(kāi)發(fā)和制造過(guò)程中的測(cè)試成本。例如,隨著新型器件結(jié)構(gòu)和性能的提高,每個(gè)先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)(小于或等于 20 納米)的必要參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)量將急劇增加。
P9000 推出后,可利用專門(mén)的引腳測(cè)試單元模塊,為硅晶圓上的多個(gè)器件提供 100 引腳并行測(cè)量值。該模塊具備參數(shù)(例如,電壓、電流、電容、脈沖和頻率)測(cè)試所需的全部典型測(cè)試功能。此外,直接電荷測(cè)量(DCM)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)快速的 100 引腳并行電容測(cè)試。
第二代 P9000 搭載是德科技開(kāi)發(fā)的快速Vt測(cè)量技術(shù)??焖賄t測(cè)量技術(shù)提供閾值電壓(Vt)的單一測(cè)量值,其速度比任何常規(guī)測(cè)試方法要快四倍以上。除了 100 引腳并行測(cè)量外,DCM 和快速Vt 測(cè)量技術(shù)可提供更快的單一參數(shù)測(cè)量值,從而進(jìn)一步提升測(cè)試速度。因此,先進(jìn)的芯片代工廠和存儲(chǔ)器公司現(xiàn)已采用 P9000 平臺(tái)(第一代和第二代)作為下一代參數(shù)測(cè)試解決方案。
隨著第三代 P9000 的推出,其采用全新引腳參數(shù)測(cè)試模塊(是德科技 P9015A),測(cè)試器可進(jìn)一步縮短電容測(cè)量的時(shí)間,從而解決了因多層互連和新器件結(jié)構(gòu)導(dǎo)致電容測(cè)試量日益增加的難題。該全新模塊利用其增強(qiáng)型 DCM技術(shù)來(lái)測(cè)量漏電電容,相比傳統(tǒng) LCR 測(cè)試器,其可在各類電容間建立良好的數(shù)據(jù)相關(guān)性,使單一電容測(cè)試速度提升兩倍以上。另外,憑借 100 引腳并行電容測(cè)量能力,客戶可進(jìn)一步提高吞吐量。
是德科技晶圓測(cè)試解決方案副總裁兼總經(jīng)理 Masaki Yamamoto表示:“許多半導(dǎo)體公司已將數(shù)以百計(jì)的 P9000 用于研發(fā)和生產(chǎn),例如,先進(jìn)的邏輯芯片和內(nèi)存制造?!?“是德科技將繼續(xù)改進(jìn) P9000,進(jìn)一步降低客戶的上市時(shí)間,同時(shí)降低測(cè)試成本。 第三代 P9000 采用 100 引腳“真”參數(shù)引腳模塊,甚至具備傳統(tǒng)測(cè)試系統(tǒng)中使用的測(cè)試結(jié)構(gòu),為客戶帶來(lái)了疾速的并行參數(shù)測(cè)試解決方案。
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