1、  動態(tài)特性

　　動態(tài)特性主要描述輸入量與輸出量之間的時(shí)間關(guān)系，它影響器件的開關(guān)過程。由于該器件為單極型，靠多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此開關(guān)速度快、時(shí)間短，一般在納秒數(shù)量級。Power MOSFET的動態(tài)特性。如圖3所示。

　　Power MOSFET 的動態(tài)特性用圖3(a)電路測試。圖中，up為矩形脈沖電壓信號源；RS為信號源內(nèi)阻；RG為柵極電阻；RL為漏極負(fù)載電阻；RF用以檢測漏極電流。

　　Power MOSFET 的開關(guān)過程波形，如圖3(b)所示。

　　Power MOSFET 的開通過程：由于Power MOSFET 有輸入電容，因此當(dāng)脈沖電壓up的上升沿到來時(shí)，輸入電容有一個(gè)充電過程，柵極電壓uGS按指數(shù)曲線上升。當(dāng)uGS上升到開啟電壓UT時(shí)，開始形成導(dǎo)電溝道并出現(xiàn)漏極電流iD。從up前沿時(shí)刻到uGS=UT，且開始出現(xiàn)iD的時(shí)刻，這段時(shí)間稱為開通延時(shí)時(shí)間td(on)。此后，iD隨uGS的上升而上升，uGS從開啟電壓UT上升到Power MOSFET臨近飽和區(qū)的柵極電壓uGSP這段時(shí)間，稱為上升時(shí)間tr。這樣Power MOSFET的開通時(shí)間

　　ton=td(on)+tr      (2)

　　Power MOSFET的關(guān)斷過程：當(dāng)up信號電壓下降到0時(shí)，柵極輸入電容上儲存的電荷通過電阻RS和RG放電，使柵極電壓按指數(shù)曲線下降，當(dāng)下降到uGSP 繼續(xù)下降，iD才開始減小，這段時(shí)間稱為關(guān)斷延時(shí)時(shí)間td(off)。此后，輸入電容繼續(xù)放電，uGS繼續(xù)下降，iD也繼續(xù)下降，到uGS< SPAN>T時(shí)導(dǎo)電溝道消失，iD=0，這段時(shí)間稱為下降時(shí)間tf。這樣Power MOSFET 的關(guān)斷時(shí)間

　　toff=td(off)+tf      (3)

　　從上述分析可知，要提高器件的開關(guān)速度，則必須減小開關(guān)時(shí)間。在輸入電容一定的情況下，可以通過降低驅(qū)動電路的內(nèi)阻RS來加快開關(guān)速度。

　　電力場效應(yīng)管晶體管是壓控器件，在靜態(tài)時(shí)幾乎不輸入電流。但在開關(guān)過程中，需要對輸入電容進(jìn)行充放電，故仍需要一定的驅(qū)動功率。工作速度越快，需要的驅(qū)動功率越大。{{分頁}}

2、  動態(tài)參數(shù)

（1） 極間電容

　　Power MOSFET的3個(gè)極之間分別存在極間電容CGS，CGD，CDS。通常生產(chǎn)廠家提供的是漏源極斷路時(shí)的輸入電容CiSS、共源極輸出電容CoSS、反向轉(zhuǎn)移電容CrSS。它們之間的關(guān)系為

CiSS=CGS+CGD      (4)

CoSS=CGD+CDS      (5)

CrSS=CGD          (6)

　　前面提到的輸入電容可近似地用CiSS來代替。

（2） 漏源電壓上升率

　　器件的動態(tài)特性還受漏源電壓上升率的限制，過高的du/dt可能導(dǎo)致電路性能變差，甚至引起器件損壞。