成為近年來行動設備的必備技術，而隨著應用領域的漸深漸廣，目前的4G通訊標準將逐漸不敷使用，在市場驅動下，5G標準的制定已積極展開，預計2020年，市場將出現(xiàn)商業(yè)化應用，高速傳輸對行動設備帶來嚴峻挑戰(zhàn)，新世代的行動設備需要滿足更高的溫度、功率、電壓、效能與抗輻射需求，就目前技術來看，具備寬能帶、高飽和速度、 高導熱性和高擊穿電場強度等特色的化合物半導體碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 無疑是市場上高溫、高頻及高功率組件材料的最佳解答，根據(jù)Yole Development的研究指出，2013年至 2022年，SiC功率半導體市場年均復合將達 38%，而 2016 年至 2020 年 GaN 射頻組件市場復合年增長率將達到4%，因此，如何積極因應此一趨勢， 善用本身優(yōu)勢布局市場，將是臺灣半導體產(chǎn)業(yè)這幾年的重要課題。
持續(xù)精進的化合物半導體技術
絡達科技技術長林珩之博士就指出，與過去的通訊標準相較，5G在大幅強化傳輸速度、容量的同時，功耗不至于同步提升，為達成此一目標，通訊設備的內(nèi)部設計也必須進化，在傳統(tǒng)的蜂巢式通訊網(wǎng)絡中，功率放大器(PA)往往是設備中功耗最大的組件，因此要解決此一問題，必須由PA著手。
圖一 : 5G的標準制定已積極展開，新世代的行動設備需要滿足更高的溫度、功率、電壓、效能與抗輻射需求。
而要解決5G PA的功耗問題，林珩之博士表示除了從電路優(yōu)化設計著手，還必須將網(wǎng)絡系統(tǒng)、數(shù)據(jù)芯片、PA架構、PA設備同時考慮進去，至于在5G功率放大器的制程選擇，CMOS與GaAs/GaN誰會勝出？ 林珩之博士以方式指出，在Breakdown voltage、Power handling、Through wafer via、Substrate loss等部分，GaAs/GaN具有優(yōu)勢，至于在自行檢測能力、復雜偏壓電路設計、訊號處理能力、整合性、配置彈性、低供電電壓能力方面，則是CMOS勝出，因此他認為在5G乃至于6G與毫米波的基地臺設計 ，由于效能是主要考慮，GaAa/GaN仍會繼續(xù)存在，而以成本考慮為主的物聯(lián)網(wǎng)設備，具低耗電與低價設備特色的CMOS，將比GaAa/GaN更有機會，手持式裝置部分，小于6GHz的設備，仍會采用GaAs/GaN或是CMOS+GaAs的復合式架構，至于毫米波市場，CMOS有可能全拿。
聯(lián)鈞光電竹科分公司總經(jīng)理林昆泉博士，則針對GaN的磊晶晶圓制程提出相關看法，他指出在高耐熱性、高擊穿電壓、高電子飽和度與高電流密度的電子產(chǎn)品設計需求中，GaN制成的半導體可在高頻運作下，提供高功率輸出，因此在新一代的應用如車用電子、電力管理系統(tǒng)、工業(yè)照明、攜帶式電子裝置、通訊設備與消費性電子產(chǎn)品中，會有相當高的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
林昆泉表示硅功率組件上的GaN未來將采用硅制程，在6吋磊晶硅晶圓片的每片芯片上，都含有上萬顆的LED芯片，一般業(yè)界并不會不關心其顆粒數(shù)，但對于大芯片尺寸的功率器件來說，每片芯片只有不到千個芯片，而產(chǎn)量與晶粒數(shù)量有關，在這部分就會需要用創(chuàng)新的技術來將的磊晶晶圓的顆粒。
林昆泉指出，目前MOCVD設備的長晶，大多是采人工方式，以鑷子放置，這種方式會導致顆粒大量增加至500顆以上，此一數(shù)量客戶通常不會接受，另一種則是以機器手臂取代人工，機器手臂可將顆粒數(shù)大幅降低至100顆以下，因此目前的主要做法會是從機器手臂著手，而聯(lián)鈞光電的目標則是將其降至20顆以下，以符合市場需求，為此在聯(lián)鈞光電要求下， 晶圓設備商Aixtron在2015年設計全球第一部出可維持攝氏600度、以卡匣對卡匣，不碰觸晶圓表面的磊晶設備，成功達到目標。
從模塊到封測 新世代通訊架構現(xiàn)身
穩(wěn)懋半導體技術處處長王文凱博士，則針對GaAs在毫米波的前端模塊解決方案提出看法，他指出GaAs pHEMT制程已被業(yè)界長期應用于無線通信，例如點對點的射頻傳輸與VSAT，目前穩(wěn)懋半導體的pHEMT和PIN二極管主要技術平臺，在效能與電路方面已有解決方案，他指出近年來GaAs技術的快速演進，讓晶圓封裝與通訊設備上的多數(shù)功能開始整合， 此外，pHEMT和PIN二極管整合為PINHEMT的技術，在毫米波通訊系統(tǒng)前端模塊也會有巨大潛力。
圖二 : 對于大芯片尺寸的功率器件來說，每片芯片只有不到千個芯片，因此需要用創(chuàng)新的技術來將的磊晶晶圓的顆粒。
王文凱指出，目前已可用0.1um pHEMT執(zhí)行E波段和D波段放大器，同時Ka-Band Doherty放大器和低噪放大器已透過o.15um增強模式完成，而Ka波段的switch則可由GaAs PIN二極管制程示范，這說明了GaAs pHEMT是毫米波領域相當適用的驗證解決方案。
在方裝技術方面，日月光技術處處長林弘毅博士表示，現(xiàn)在整體產(chǎn)業(yè)的問題在于摩爾定律逐漸趨緩，但市場上行動設備通訊需求與云端運算概念所帶來的數(shù)據(jù)傳輸量卻越來越龐大，目前半導體產(chǎn)業(yè)中任何一種芯片技術的提升速度，因此異系統(tǒng)整合就成為帶寬問題的解決之道，現(xiàn)在客戶對委外封測廠商的要求除了數(shù)字CMOS制程外，還必須提供射頻與光學等技術的解決方案。
現(xiàn)在行動設備的射頻模塊與數(shù)據(jù)中心的硅光子模塊，是目前云端運算平臺的關鍵組件，這兩類組件都需要有多元材料包括化合物半導體、硅和被動組件或特殊晶體等異材質(zhì)的高速連通芯片，其中阻抗匹配和低插入損耗將是關鍵性能指針，在演講過程中，林弘毅展示的射頻模塊和硅光子模塊的新封裝平臺，同時具備了小型化、高效能與功能整合等特色， 提供臺灣產(chǎn)業(yè)最佳解決方案。