新器件將快閃存儲(chǔ)控制器擴(kuò)展至主流領(lǐng)域

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)宣布了Flashtec? NVM Express (NVMe) 2108八通道控制器的量產(chǎn)版本，推動(dòng)全球范圍主要的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)高成本效益和高功效的大容量固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。這個(gè)器件以強(qiáng)大的主流性能，并且支持16GB和更大容量，擴(kuò)展美高森美在NVMe控制器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位?？蛻?hù)可以通過(guò)高固件可重用性，最大限度地減少工程技術(shù)開(kāi)支，并且獲得Flashtec NVMe 控制器產(chǎn)品線(xiàn)的架構(gòu)一致性。新控制器系列使用17x17mm封裝供貨，支持包括M.2、U.2和半高半長(zhǎng)(HHHL)插入卡的全部流行外形尺寸。

　　美高森美高性能存儲(chǔ)副總裁兼業(yè)務(wù)部門(mén)經(jīng)理Derek Dicker表示：“我們的量產(chǎn)版本Flashtec NVMe2108控制器使得客戶(hù)不僅獲得他們所要求的美高森美企業(yè)級(jí)特性和成熟的企業(yè)級(jí)架構(gòu)，并且具有更低的功耗和成本結(jié)構(gòu)，以符合主流PCIe領(lǐng)域的要求。我們期待充分利用這些器件把握令人興奮的市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)，并且，我們將會(huì)繼續(xù)利用公司精深的專(zhuān)業(yè)技術(shù)來(lái)提供PCIe NVMe SSD控制器解決方案，服務(wù)于嚴(yán)苛的存儲(chǔ)系統(tǒng)、服務(wù)器和機(jī)架式可擴(kuò)展架構(gòu) 數(shù)據(jù)中心應(yīng)用?！?/p>

　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC題為“2017至2021年全球范圍固態(tài)硬盤(pán)預(yù)測(cè)”(Worldwide Solid State Drive Forecast, 2017-2021)報(bào)告，這個(gè)行業(yè)繼續(xù)快速轉(zhuǎn)向基于PCIe的 SSD產(chǎn)品，預(yù)計(jì)到2021年將會(huì)占企業(yè)SSD銷(xiāo)售額的50%以上。隨著NVMe SSD價(jià)位接近相近的串行先進(jìn)技術(shù)附著(SATA) SSD器件，正在取而代之，成為了其增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。

　　Micron存儲(chǔ)產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁Eric Endebrock表示：“美高森美發(fā)布全新Flashtec器件，顯示該公司繼續(xù)加快在主流企業(yè)市場(chǎng)中采用PCIe 閃存。這些主流控制器支持大容量，這與利用Micron快速產(chǎn)量爬坡的64 層512Gb 3D TLC和未來(lái)技術(shù)是一致的?！?/p>

　　東芝存儲(chǔ)器公司技術(shù)高管Hiroo Ohta表示：“美高森美和東芝存儲(chǔ)器公司建立了長(zhǎng)期的合作關(guān)系，在市場(chǎng)推出同級(jí)最佳的PCIe SSD解決方案。我們相信美高森美全新控制器產(chǎn)品和我們的BiCS FLASH TLC，以及即將推出的創(chuàng)新QLC技術(shù)，將會(huì)引發(fā)擴(kuò)大企業(yè)和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的新機(jī)會(huì)?！?/p>

　　Flashtec NVMe2108控制器具有成熟的架構(gòu)，以及面向主流應(yīng)用并且經(jīng)過(guò)優(yōu)化的功耗和成本特性，同時(shí)保持了包括雙端口、獨(dú)立擴(kuò)頻參考時(shí)鐘(SRIS)功能和端至端數(shù)據(jù)保護(hù)功能的企業(yè)級(jí)特性。因其提供可編程的架構(gòu)， 通過(guò)自定義固件實(shí)現(xiàn)使能SSD產(chǎn)品差異化。它們的自適應(yīng)低密度奇偶校驗(yàn)碼(LDPC)可以支持現(xiàn)有和未來(lái)數(shù)代符合Toggle and Open NAND Flash Interface (ONFI)標(biāo)準(zhǔn)的閃存，包括雙數(shù)位單（MLC) 和三數(shù)位單元（TLC），以及未來(lái)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中的QLC。NVMe2108HC和NVMe2108LC變異型款支持不同的容量點(diǎn)，以期符合特定的行業(yè)需求。

　　光寶集團(tuán)(Liteon Storage Group)首席技術(shù)官Andy Hsu表示：“我們對(duì)于美高森美NVMe2108控制器的技術(shù)功能印象深刻，這些創(chuàng)新器件可讓我們滿(mǎn)足日益提升的性能、容量和企業(yè)功能特性，這些都是Liteon數(shù)據(jù)中心客戶(hù)所要求的。”

　　SK 海力士公司NAND產(chǎn)品規(guī)劃辦公室主管副總裁 S.H. Choi表示：“美高森美全新主流SSD控制器與NAND容量和LDPC趨勢(shì)完美配合，可以支持?jǐn)?shù)代產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作。SK 海力士公司下一代72 層3D NAND和美高森美的先進(jìn)LDPC技術(shù)將是SSD產(chǎn)品的完美技術(shù)結(jié)合?！?/p>