研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement指出，隨著5G技術(shù)日益成熟，未來射頻功率放大器（RF PA）市場將出現(xiàn)顯著成長，但傳統(tǒng)的LDMOS制程將逐漸被新興的氮化鎵（GaN）取代，砷化鎵（GaAs）的市場占比則相對(duì)穩(wěn)定。

據(jù)Yole預(yù)估，電信基地臺(tái)設(shè)備升級(jí)與小型基地臺(tái)的廣泛布建，將是推動(dòng)RF PA市場規(guī)模成長最主要的動(dòng)力來源。 2016年全球RF PA市場規(guī)模約為15億美元，到2022年時(shí)，市場規(guī)模將達(dá)到25億美元，復(fù)合年增率（CAGR）為9.8%。 不過，由于導(dǎo)入新的射頻技術(shù)，并且使用更高的通訊頻段，因此RF PA必須使用新的制程技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。

展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場份額則會(huì)明顯萎縮。