致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬技術(shù)提供商Analog Devices公司宣布推出可擴(kuò)展碳化硅(SiC)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)解決方案，其基礎(chǔ)為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。這款雙碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)提供用戶友好的設(shè)計(jì)指南，并通過(guò)使用美高森美的碳化硅MOSFET縮短客戶上市時(shí)間，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET過(guò)渡。
新的參考設(shè)計(jì)為客戶提供高度隔離的碳化硅MOSFET雙柵極驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)，以便通過(guò)多個(gè)拓?fù)鋪?lái)評(píng)估碳化硅MOSFET。這包括為支持同步死區(qū)時(shí)間保護(hù)的半橋開(kāi)關(guān)和無(wú)保護(hù)異步信號(hào)傳輸而優(yōu)化的模式。通過(guò)配置，它也可以提供并行驅(qū)動(dòng)以滿足研究非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān)(UIS) 或雙脈沖測(cè)試的要求。該參考設(shè)計(jì)專(zhuān)為美高森美的碳化硅MOSFET分立器件和模塊而開(kāi)發(fā)，是用于評(píng)估其SiC器件產(chǎn)品組合的工程工具。其電路板支持修改柵極電阻值，以容納大部分美高森美分立器件和模塊。
美高森美的戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Jason Chiang說(shuō)：“雙碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)不僅使美高森美的客戶能夠加快產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作，它也可以配合我們的下一代碳化硅MOSFET的推出，以確保最終用戶的順利過(guò)渡。重視功率電子器件的整體設(shè)計(jì)的客戶，可利用我們的新型碳化硅驅(qū)動(dòng)器解決方案為其設(shè)計(jì)選擇最佳的驅(qū)動(dòng)器和元件，并能夠根據(jù)其特定碳化硅MOSFET需求進(jìn)行擴(kuò)展?！?/p>
雙碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)非常適合各種終端市場(chǎng)和應(yīng)用，包括航空航天(致動(dòng)、空調(diào)和配電)、汽車(chē)(混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē)傳動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)電池充電器、直流-直流變換器)、國(guó)防(電源和高功率馬達(dá)驅(qū)動(dòng))、工業(yè)(光伏逆變器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、焊接、不間斷電源、開(kāi)關(guān)模式電源、感應(yīng)加熱和石油鉆探)以及醫(yī)療(MRI和X射線電源)。
Analog Devices公司與美高森美展開(kāi)合作，是組成加速生態(tài)系統(tǒng)的一部分，目標(biāo)是為最終用戶縮短投向市場(chǎng)的時(shí)間，以及加快生態(tài)系統(tǒng)參與者獲得收益。美高森美的加速生態(tài)系統(tǒng)匯集了領(lǐng)先的硅、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)、系統(tǒng)、軟件和設(shè)計(jì)專(zhuān)家，為最終客戶提供經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的電路板和系統(tǒng)級(jí)解決方案。
碳化硅產(chǎn)品具備多種優(yōu)勢(shì)，包括更高的系統(tǒng)效率，在相同的物理尺寸下將功率輸出提高了25至50%，以及在更高的開(kāi)關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)高于絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)的效率，減小了系統(tǒng)尺寸和重量，增強(qiáng)了過(guò)溫時(shí)的運(yùn)行穩(wěn)定性(+175℃)并顯著降低了冷卻成本。
據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司YoleDéveloppement的估計(jì)，碳化硅功率器件市場(chǎng)份額將于2021年超過(guò)5.5億美元，其中，2015至2021年的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)為19%。該公司也描述了碳化硅的優(yōu)勢(shì)如何影響新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和碳化硅技術(shù)。憑借動(dòng)態(tài)性能和熱性能優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率MOSFET的碳化硅MOSFET產(chǎn)品及其他優(yōu)勢(shì)，美高森美為配合這些趨勢(shì)做好了充分準(zhǔn)備。通過(guò)將Analog Device公司的ADuM4135隔離碳化硅驅(qū)動(dòng)器解決方案與美高森美的MSCSICMDD/REF1碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)程序參考設(shè)計(jì)相結(jié)合，可進(jìn)一步增強(qiáng)美高森美滿足客戶產(chǎn)品開(kāi)發(fā)需求的能力。
Analog Devices公司的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器具備DESAT和眾多其他保護(hù)功能，可提供強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)能力(6A)以及可靠的電氣隔離，這對(duì)在高壓功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)使用壽命和安全操作至關(guān)重要。Analog Devices公司的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合為設(shè)計(jì)人員提供了優(yōu)于采用光電耦合元件或脈沖變壓器設(shè)計(jì)的性能與可靠性。借助Analog Devices公司經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的iCoupler?技術(shù)，隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列為支持寬禁帶器件(尤其是碳化硅MOSFETS)的高電壓和高開(kāi)關(guān)速度應(yīng)用提供了許多關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。這包括不足50 ns的出色傳播延遲以及小于5ns的通道間匹配，高于100KV/us的共模瞬變免疫能力(CMTI)，以及在單個(gè)包裝中支持高達(dá)1500V DC的使用期工作電壓。