半導(dǎo)體大廠GlobalFoundries將在大陸成都12寸廠投入FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator）技術(shù)，加上大陸半導(dǎo)體業(yè)者亦躍躍欲試，引發(fā)業(yè)界關(guān)注。目前全球主要半導(dǎo)體大廠臺積電、英特爾（Intel）、三星電子（Samsung Electronics）仍依循摩爾定律（Moore’s Law），持續(xù)往10、7及5納米的FinFET（Fin Field-Effect Transistor）制程邁進，GlobalFoundries不僅跟著摩爾定律在7納米世代加入戰(zhàn)局，同時要在大陸開辟FD-SOI戰(zhàn)場。

大陸投資半導(dǎo)體晶圓廠熱潮方興未艾，近期已有多座新的12寸廠設(shè)立，包括GlobalFoundries成都廠、紫光在南京及成都蓋12寸廠，以及三星加碼西安3D NAND晶圓廠等，加上過去兩年包括臺積電南京廠、聯(lián)電廈門廠、福建晉華DRAM廠、長江存儲武漢廠，以及中芯國際擴充8/12寸廠，凸顯全球半導(dǎo)體大廠都在大陸瘋狂蓋廠。

大陸新蓋的半導(dǎo)體廠無論技術(shù)到不到位，業(yè)者策略都是先蓋廠再說，主要是看好大陸積極提升半導(dǎo)體芯片自制率政策，象是聯(lián)電搶頭香成立廈門12寸廠，臺積電亦到大陸蓋12寸廠。業(yè)界傳出臺積電把16納米制程搬到南京12寸廠，獲得大陸官方特殊禮遇，未來臺積電在全球各地12寸廠生產(chǎn)的16納米制程芯片，都可納入大陸自制芯片的比重中，算是極優(yōu)惠的條件。

近期GlobalFoundries成都12寸廠正式動土，原本GlobalFoundries要在重慶建立12寸生產(chǎn)線，把原本DRAM廠茂德8寸廠改成12寸廠，但最后協(xié)議未談成，轉(zhuǎn)去成都蓋12寸廠，GlobalFoundries以實際行動展現(xiàn)掌握大陸這一波芯片自制商機的決心。

GlobalFoundries成都廠初期將先導(dǎo)入成熟的0.18和0.13微米制程，預(yù)計2019年第二階段再導(dǎo)入FD-SOI技術(shù)，將技轉(zhuǎn)自德國德勒斯登（Dresden）廠22納米FD-SOI制程。半導(dǎo)體業(yè)者認為，全球所有新蓋的12寸廠至少都是從28納米制程切入，幾乎找不到新的12寸廠從0.18微米制程切入，且GlobalFoundries未來將量產(chǎn)FD-SOI技術(shù)，而非主流的FinFET先進制程，在策略上相當特別。

事實上，臺積電等半導(dǎo)體大廠過去都評估過FD-SOI技術(shù)，但最后仍選擇正統(tǒng)的FinFET技術(shù)前進，而FD-SOI再度受到關(guān)注，除了因為低功耗特性外，成本較低亦是關(guān)鍵，適合大陸正要百花齊放的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，使得GlobalFoundries全新12寸廠重押FD-SOI技術(shù)。

近期大陸許多中小型IC設(shè)計公司都專注于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，由于不需要導(dǎo)入16、14納米或是10、7納米FinFET制程，既有成熟制程、甚至8寸廠就可以生產(chǎn)，加上FD-SOI技術(shù)較便宜，接受度相對較高。

盡管FinFET是主流制程，但未來走到10、7納米世代后，花得起龐大費用的半導(dǎo)體大廠，恐怕僅剩下蘋果（Apple）、高通（Qualcomm）等極少數(shù)廠商，使得低成本的FD-SOI在大陸市場有機會突圍。目前上海新傲科技（Simgui）已量產(chǎn)8寸SOI晶圓片，其采用法國半導(dǎo)體材料供應(yīng)商Soitec的Smart Cut技術(shù)，雙方已簽署授權(quán)合約。

另外，業(yè)界亦傳出部分半導(dǎo)體大廠開始考慮FD-SOI技術(shù)，上海華力微除了宣示要生產(chǎn)28、14納米FinFET制程外，亦傳出正評估FD-SOI技術(shù)，因為以上海華力微在先進制程進度，要力拚14納米FinFET技術(shù)非常緊迫且難度極高，若另曛FD-SOI技術(shù)領(lǐng)域，不失為另一種變通策略。