近年來行動(dòng)裝置推陳出新，帶動(dòng)高階制程技術(shù)之需求大增，致2013年起臺(tái)灣的集成電路業(yè)產(chǎn)值連年創(chuàng)下歷史新高，2013、2014年各呈二位數(shù)成長(zhǎng)，分別年增16．2％及23．9 ％。

惟2015年下半年至2016年上半年因全球經(jīng)濟(jì)疲弱，手持行動(dòng)裝置銷售滯緩，致104年產(chǎn)值僅年增6．2％，2016年下半年因終端電子產(chǎn)品需求回升，加上物聯(lián)網(wǎng)、車用電子、智慧自動(dòng)化等新興應(yīng)用發(fā)展，致2016年1至10月產(chǎn)值達(dá)1兆392億元，年增5．4％，預(yù)期2016年全年集成電路業(yè)產(chǎn)值將突破1兆2千億元，續(xù)創(chuàng)新高。

晶圓代工為集成電路業(yè)成長(zhǎng)之主力

按產(chǎn)品觀察，晶圓代工產(chǎn)值占集成電路八成以上，由于先進(jìn)制程技術(shù)持續(xù)精進(jìn)，國(guó)際各大品牌行動(dòng)裝置推陳出新，通訊晶片需求強(qiáng)勁，累計(jì)2016年1至10月產(chǎn)值達(dá)9，035億元（年增8．6％），為集成電路業(yè)成長(zhǎng)之最主要貢獻(xiàn)來源；DRAM產(chǎn)值居次，因價(jià)格相對(duì)較104年為低而年減12．5％。

集成電路出口市場(chǎng)以中國(guó)大陸及香港居冠

臺(tái)灣的集成電路業(yè)直接外銷比率約八成，2016年1至11月集成電路出口總值達(dá)709億美元，較2015年同期成長(zhǎng)11．1％，主要出口市場(chǎng)以中國(guó)大陸及香港（占54．8％）為首，年增22．5％最為顯著；新加坡（占14．1％）居次，年減6．5％，日本（占8．7％）及南韓（占8．5％）再次之。

臺(tái)灣業(yè)者為保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)提高資本支出

為提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，臺(tái)灣業(yè)者積極進(jìn)行研發(fā)及投資，尤以晶圓代工廠投入資本支出最為可觀。依據(jù)證交所公開資訊觀測(cè)站公布之2016年前3季資料顯示，臺(tái)積電資本支出2，155億元（年增24．6％），聯(lián)電697億元（年增47．7％），有助于推升集成電路業(yè)之生產(chǎn)能量。

晶圓代工市占穩(wěn)居全球第一

根據(jù)國(guó)際研調(diào)機(jī)構(gòu)顧能（Gartner）統(tǒng)計(jì)，2015年全球晶圓代工銷售市場(chǎng)為489億美元，其中臺(tái)積電市占率高達(dá)54．3％，較2014年增加0．5個(gè)百分點(diǎn)，穩(wěn)居全球晶圓代工市場(chǎng)之第一名寶座，聯(lián)電、力晶科技、世界先進(jìn)等亦名列全球晶圓代工前十大廠商，市占率合占67．2％，與2014年相近。

崛起的中國(guó)大陸半導(dǎo)體，臺(tái)灣半導(dǎo)體好日子快到頭了？

近年來，中國(guó)大陸大力投入半導(dǎo)體建設(shè)中，在年底1500億美元規(guī)模的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)開工以后，似乎給臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)帶來的威脅日益巨大。具體到各個(gè)方面則如下：

中國(guó)大陸的IC產(chǎn)業(yè)目標(biāo)

首先是設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)；

大陸IC 設(shè)計(jì)廠商數(shù)量及規(guī)模皆快速成長(zhǎng)，和臺(tái)灣差距不斷拉近，大陸海思2015 年的營(yíng)收額已有約聯(lián)發(fā)科的一半，且已超過臺(tái)灣IC 設(shè)計(jì)二哥聯(lián)詠；而展訊與銳迪科正式合并后，同樣將超越聯(lián)詠的規(guī)模。大陸的IC設(shè)計(jì)業(yè)多是本土陸資，IC產(chǎn)品除傳統(tǒng)3C應(yīng)用外，政策更扶持諸如車電、醫(yī)電MCU、智慧卡IC等產(chǎn)品，未來在IoT政策帶動(dòng)需求下，IC設(shè)計(jì)公司將如雨后春筍般出頭。

2016年中國(guó)大陸十大IC設(shè)計(jì)企業(yè)

近十年來大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)者快速崛起，回顧2004年，全球前50大無晶圓廠半導(dǎo)體（Fabless）供應(yīng)商還沒有大陸業(yè)者，2015年已有近700家中國(guó)Fabless廠商。2015年前50大Fabless名單中，美國(guó)Qualcomm和Broadcom仍保持第一和第二，聯(lián)發(fā)科從第六提升至第三，值得關(guān)注的是出現(xiàn)7家大陸業(yè)者，且排名多屬上升，海思已竄至第七名。

其次，晶圓廠的迅速崛起，這也是對(duì)臺(tái)灣的一大威脅。

根據(jù)SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）的全球晶圓廠預(yù)測(cè)（World Fab Forecast）報(bào)告指出，2015年晶圓代工業(yè)整體產(chǎn)能已超越存儲(chǔ)，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)中最大的部門，并且在未來幾年可望持續(xù)領(lǐng)先。預(yù)料晶圓代工產(chǎn)能每年將成長(zhǎng)5％，超越業(yè)界整體表現(xiàn)，晶圓代工產(chǎn)能到2017年底預(yù)計(jì)將達(dá)到每月6百萬片（8吋約當(dāng)晶圓）。

臺(tái)灣的晶圓代工產(chǎn)能居全球之冠，其中12吋的產(chǎn)能占全球晶圓代工產(chǎn)能比重55％以上。臺(tái)積電與聯(lián)電是臺(tái)灣晶圓代工產(chǎn)能的兩大主要推手。臺(tái)積電十二廠第七期、十五廠第五及第六期正積極準(zhǔn)備迎接10納米以下制程產(chǎn)能。聯(lián)電則持續(xù)擴(kuò)充28納米產(chǎn)能，十二A廠第五期也準(zhǔn)備投入14納米制程。

另一方面，晶圓代工產(chǎn)能全球第二的中國(guó)則是成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。2015年中國(guó)整體晶圓代工產(chǎn)能為每月95萬片，預(yù)計(jì)到了2017年底將增至每月120萬片，占全球晶圓代工產(chǎn)能將近20％。中國(guó)晶圓代工龍頭中芯國(guó)際（SMIC）目前正致力提升北京B1廠和上海八廠（兩者均為12吋廠）等既有廠房的產(chǎn)能。

同時(shí)該公司也正在提升新成立的北京B2廠（12吋）與深圳十五廠（8吋）產(chǎn)能。中芯的擴(kuò)充計(jì)畫同時(shí)包含了先進(jìn)的28納米／40納米產(chǎn)能，以及技術(shù)成熟的8吋晶圓制程。其他擴(kuò)大產(chǎn)能的業(yè)者還包括武漢新芯（XMC），旗下A廠產(chǎn)能將持續(xù)投入NOR快閃存儲(chǔ)代工業(yè)務(wù)；上海華力（Huali）也即將成立第二座晶圓廠，預(yù)計(jì)明年動(dòng)工， 2018下半年起可望開始投注產(chǎn)能。

未來幾年，臺(tái)灣的晶圓代工業(yè)者也將對(duì)中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能有所貢獻(xiàn)。今年稍晚聯(lián)電位于廈門的12X廠將開始投產(chǎn)，2017年有力晶合肥廠，臺(tái)積電南京廠則將在2018年上線。這三處廠房全面投產(chǎn)后，將帶來每月至少11萬片（12吋）晶圓的產(chǎn)能。

除了增加產(chǎn)能，先進(jìn)制程的技術(shù)競(jìng)賽也特別激烈。臺(tái)積電、三星（Samsung）與格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）都想在10奈米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)取得領(lǐng)先地位。技術(shù)的演進(jìn)將帶動(dòng)晶圓代工業(yè)者在未來幾年內(nèi)持續(xù)投資，其中又以臺(tái)灣與中國(guó)大陸為最。

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，大陸強(qiáng)勢(shì)崛起

中國(guó)大陸現(xiàn)在的三大存儲(chǔ)基地已經(jīng)開工，這可能對(duì)臺(tái)灣來說，也是一個(gè)不大不小的挑戰(zhàn)。

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期大陸三股勢(shì)力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳已評(píng)估到南京設(shè)立12吋廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計(jì)劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作的合肥長(zhǎng)鑫，由前中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)操刀，大陸這三股DRAM勢(shì)力將決戰(zhàn)2018年，搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。

盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現(xiàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將與已購(gòu)并飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3DNAND技術(shù)，由于門檻較高，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍有機(jī)會(huì)急起直追國(guó)際存儲(chǔ)器大廠，然值得注意的是，全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭(zhēng)DRAM主導(dǎo)權(quán)戲碼。

目前大陸DRAM勢(shì)力處于戰(zhàn)國(guó)時(shí)代，至少有三股DRAM勢(shì)力全面競(jìng)逐版圖，除了長(zhǎng)江存儲(chǔ)之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢(shì)力則是合肥市政府結(jié)合GigaDevice及王寧國(guó)人馬成立的合肥長(zhǎng)芯。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲(chǔ)器中心角色，將統(tǒng)籌3DNAND和DRAM兩大存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展，然大陸政府傳出針對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)DRAM布局進(jìn)行規(guī)范，若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3DNAND，但若對(duì)外購(gòu)買技術(shù)則無此限制，使得長(zhǎng)江存儲(chǔ)積極與國(guó)際大廠合作，以加速DRAM量產(chǎn)，并獲得專利保護(hù)傘。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專利授權(quán)，業(yè)界亦傳出正著手評(píng)估自建或購(gòu)并現(xiàn)有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺(tái)積電腳步評(píng)估在南京設(shè)立12吋晶圓廠，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧則表示，將以購(gòu)并現(xiàn)有晶圓廠為第一考量。

近期武漢新芯12吋新廠已經(jīng)動(dòng)起來，單月產(chǎn)能規(guī)劃30萬片，涵蓋NANDFlash和DRAM芯片，然業(yè)界預(yù)期長(zhǎng)江存儲(chǔ)兩大產(chǎn)品線的生產(chǎn)基地，最終仍會(huì)分開進(jìn)行。至于大陸另外兩個(gè)DRAM陣營(yíng)亦加快腳步展開研發(fā)自制，希望搶在長(zhǎng)江存儲(chǔ)之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù)，以爭(zhēng)取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。

聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經(jīng)動(dòng)工，預(yù)計(jì)2018年進(jìn)入量產(chǎn)，業(yè)界傳出大陸注資近新臺(tái)幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠同時(shí)進(jìn)行25、30納米技術(shù)研發(fā)，預(yù)計(jì)2017年底完成技術(shù)開發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機(jī)，屆時(shí)聯(lián)電南科廠DRAM技術(shù)將快速轉(zhuǎn)到福建晉華量產(chǎn)。

盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術(shù)，才有機(jī)會(huì)獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹(jǐn)慎作法，避免一下子投入25納米技術(shù)開發(fā)面臨失敗風(fēng)險(xiǎn)，遂同時(shí)研發(fā)30納米作為備案。

大陸第三股DRAM勢(shì)力系由王寧國(guó)操刀的合肥長(zhǎng)鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)，然近期業(yè)界傳出該陣營(yíng)將豪擲逾新臺(tái)幣1，000億元，同時(shí)進(jìn)行DRAM研發(fā)和制造。

目前大陸這三股DRAM勢(shì)力持續(xù)進(jìn)行招兵買馬，并雙頭并進(jìn)朝向技術(shù)專利授權(quán)及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著大陸DRAM主導(dǎo)權(quán)還未底定之前先卡好位，預(yù)期2018年這三大DRAM陣營(yíng)將力拚量產(chǎn)并陷入激戰(zhàn)。

在此期間，大陸瘋狂挖角臺(tái)灣僅存的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)人才，這對(duì)臺(tái)灣來說，是一個(gè)重大的打擊?，F(xiàn)在臺(tái)灣業(yè)者和美光的合作，是否對(duì)大陸造成重大影響，這又是另一個(gè)話題了。

根據(jù)臺(tái)灣本地的半導(dǎo)體觀察家陸行之所說，目前看來，只要臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)能在未來12個(gè)月內(nèi)，（1）有條件通過紫光25％參股力成和南茂案—或改由長(zhǎng)江存儲(chǔ)申請(qǐng)參股或交換部分股權(quán)；或（2 ）有條件開放IC設(shè)計(jì)業(yè)讓長(zhǎng)江存儲(chǔ)參／換股NAND flash控制器的群聯(lián)電子；或（3）批準(zhǔn)南亞科進(jìn)行技術(shù)合作來換取長(zhǎng)江存儲(chǔ)的參股，這些臺(tái)灣存儲(chǔ)公司和員工，都還有機(jī)會(huì)參與中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)5％到50％自給率一條龍式的全新布局，并與韓國(guó)大廠爭(zhēng)奪市場(chǎng)。

如果這些都無法完成，未來五到十年，臺(tái)灣存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)應(yīng)會(huì)尋求機(jī)會(huì)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)設(shè)立合資企業(yè)，或?qū)で髾C(jī)會(huì)溢價(jià)賣給日本歐美大廠尋求下市。否則長(zhǎng)江存儲(chǔ)必將大量從力成、南茂、群聯(lián)、南亞科高薪挖角以建立自己的供應(yīng)鏈，并打擊僅存的臺(tái)灣存儲(chǔ)相關(guān)廠商。

華亞科溢價(jià)賣出，力成、南茂同意紫光參股，群聯(lián)潘健成董事長(zhǎng)最近不斷呼吁政府有條件開放中資投資IC設(shè)計(jì)和為求企業(yè)經(jīng)營(yíng)彈性和生存而涉及子公司財(cái)報(bào)不實(shí)案，在在都顯示，奄奄一息的臺(tái)灣存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)極需要政府更有策略思維的解救。