中國，2016年5月11日 —— 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設計人員提高計算機、電信網絡、工業(yè)、消費電子產品的能效創(chuàng)造新的機會。
全世界的人都在獲取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數據使用量連續(xù)快速增長，運行云計算技術的服務器集群、互聯互通的電信網絡、數據用戶終端設備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設備能耗最小化的需求越來越多。為應對這一挑戰(zhàn)，意法半導體整合最先進的功率晶體結構和尺寸緊湊且高熱效率的PowerFLAT 8x8 HV封裝技術，推出世界上功率密度最好的[1]功率晶體管解決方案。
意法半導體的新系列功率晶體管產品包括集成快速恢復二極管、擊穿電壓650V的各種超結 功率MOSFET。包括低柵電荷量、低輸入電容、低輸入電阻、內部二極管的快速恢復、極低的恢復電荷量(Qrr)、極短的恢復時間(Trr)和業(yè)內最好的軟開關性能[2] 在內的技術參數讓新產品領先于競爭對手。
意法半導體的新MDmeshTM DM2 功率MOSFET目前有多種封裝/擊穿電壓組合。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。