文獻(xiàn)標(biāo)識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2015.12.012
中文引用格式: 周春良,張峰,程倫,等. LTE230無線通信基帶芯片的設(shè)計(jì)與應(yīng)用[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2015,41(12):48-50.
英文引用格式: Zhou Chunliang,Zhang Feng,Cheng Lun,et al. Design and application of baseband chip for LTE230 wireless communication[J].Application of Electronic Technique,2015,41(12):48-50.
0 引言
隨著國家智能電網(wǎng)的發(fā)展,電力業(yè)務(wù)對通信信道提出了全新、更高的要求。目前智能電網(wǎng)中遠(yuǎn)程通信主要采用光纖和無線方式。光纖由于受成本、地域等因素的限制,難以實(shí)現(xiàn)對配用電通信接入網(wǎng)的全覆蓋。無線方式作為光纖通信的有力補(bǔ)充手段,正承載著越來越多的電力通信業(yè)務(wù)。目前無線方式主要有無線公網(wǎng)和無線專網(wǎng)兩種方式。無線公網(wǎng)前期投資少、建設(shè)周期短、業(yè)務(wù)部署和開展快,但隨著配用電系統(tǒng)規(guī)模的擴(kuò)大,逐漸暴露出采集成功率低、存在信息安全隱患、不同電力用戶優(yōu)先級無保障等問題?,F(xiàn)有的電力無線專網(wǎng)如230數(shù)傳電臺(tái)、1 800 MHz無線寬帶通信系統(tǒng)存在速率低、覆蓋能力較弱、建網(wǎng)和運(yùn)營成本較高、與電力業(yè)務(wù)結(jié)合能力一般等諸多問題,限制了它們在智能電網(wǎng)中進(jìn)一步的發(fā)展和推廣。新型LTE230無線通信系統(tǒng)充分利用低頻段覆蓋距離遠(yuǎn)以及4G LTE先進(jìn)技術(shù)的優(yōu)勢,具有大容量、廣覆蓋、高效率、高安全性等特點(diǎn),在電力無線專網(wǎng)領(lǐng)域受到越來越多的關(guān)注[1]。
1 系統(tǒng)分析
LTE230電力無線通信系統(tǒng)可直接部署在230 MHz電力專用40個(gè)授權(quán)頻點(diǎn)上,符合國家對低頻段的技術(shù)升級改造政策,當(dāng)前LTE230電力無線通信專網(wǎng)已經(jīng)在北京東城區(qū)[1]、江蘇揚(yáng)州[2]、浙江海鹽[3]等多處開展了試點(diǎn)工作,為電力通信專網(wǎng)建設(shè)提供了良好的借鑒意義和示范作用。這些試驗(yàn)網(wǎng)的結(jié)構(gòu)和圖1都基本類似。在圖1中,業(yè)務(wù)平臺(tái)、監(jiān)控中心及eOMC網(wǎng)管系統(tǒng)為LTE230系統(tǒng)的主站平臺(tái);EPC為核心網(wǎng), eNodeB230為基站;基站和終端通過無線的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,終端類型主要有四種:配電終端、負(fù)控終端、用電信息采集終端(集中器、采集器、智能電表)和視頻監(jiān)控終端。前三種終端承載對通信速率要求較低的小帶寬業(yè)務(wù),最后一種承載對通信速率要求較高的大帶寬業(yè)務(wù)。這種小帶寬與大帶寬業(yè)務(wù)并存,小帶寬業(yè)務(wù)為主[1]是智能電網(wǎng)配用電業(yè)務(wù)的一個(gè)重要特點(diǎn)。
當(dāng)前這些LTE230試驗(yàn)網(wǎng)終端解決方案基本都是采用業(yè)界通用的CPU和DSP,外加FPGA和DDR存儲(chǔ)器的板級方案實(shí)現(xiàn)的,且針對小帶寬業(yè)務(wù)和大帶寬業(yè)務(wù)采用不同的軟硬件平臺(tái),這種終端實(shí)現(xiàn)方式存在成本高、功耗大、軟硬件維護(hù)工作量大等問題,極大地限制了LTE230電力無線通信專網(wǎng)的進(jìn)一步的推廣和應(yīng)用。因此,開發(fā)具有高性能、低成本、低功耗的LTE230無線通信基帶芯片(簡稱LTE230芯片),并在此基礎(chǔ)上開展芯片終端產(chǎn)品的應(yīng)用研究,對于推進(jìn)電力無線通信專網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)化具有重要意義。
2 芯片設(shè)計(jì)
針對智能電網(wǎng)配用電業(yè)務(wù)大、小帶寬的特點(diǎn),在芯片設(shè)計(jì)須同時(shí)考慮高性能和低成本兩種終端的需要。
2.1 芯片結(jié)構(gòu)
芯片整體結(jié)構(gòu)如圖2所示,采用三級AMBA總線架構(gòu):一級為64位的高帶寬AXI總線、二級為32位高性能AHB總線、三級為32位低速APB外設(shè)總線。
AXI總線是一個(gè)矩陣式結(jié)構(gòu),采用全聯(lián)通模式。AXI總線上主要的模塊有:DSP核、系統(tǒng)DMA、中頻IF Enginee、Turbo Decoder硬件加速器、2組嵌入式大容量存儲(chǔ)器eDRAM。
AHB總線的設(shè)備主要包括中斷控制器DSP INTC、BootROM、SPI Flash控制器SPI_FLSCTRL,以及中頻、Turbo Decoder和DMA的寄存器配置接口。
APB總線上的設(shè)備主要包括SPI_HOSTIF、射頻配置接口SPI_RFCFG、以太網(wǎng)接口SPI_MAC、定時(shí)器Timer、串口UART、I2C控制器、看門狗WDT、GPIO模塊、系統(tǒng)控制單元 SCU、PWM模塊。APB總上的各種SPI控制器及串口都支持DMA模式。
2.2 關(guān)鍵技術(shù)
芯片內(nèi)部集成了高性能的DSP處理器,DSP采用哈佛結(jié)構(gòu),可同時(shí)支持4 MAC操作;DSP核內(nèi)嵌高速TCM和Cache,可有效平滑高速DSP內(nèi)核和相對低速的eDRAM存儲(chǔ)器之間讀寫操作的訪問延遲,使系統(tǒng)整體性能較優(yōu)。DSP內(nèi)嵌功耗管理模塊PSU(Power Scaling Unit),支持多種功耗管理模式,通過軟件指令、外部中斷及SCU的控制,可根據(jù)應(yīng)用場景需求快速的在不同的功耗管理之間進(jìn)行切換,從而滿足系統(tǒng)待機(jī)、DRX周期、低速及全速運(yùn)行等場景下的功耗和性能要求。
芯片內(nèi)置高密度大容量的嵌入式存儲(chǔ)器eDRAM,eDRAM接口時(shí)序簡單,讀寫延遲小,無需復(fù)雜的控制器,面積只有普通SRAM的1/3;另外相比于外置DDR的存儲(chǔ)方式,沒有IO的功耗損失,BOM成本也較低,故在性能、功耗和成本上都有很好的兼顧。在芯片設(shè)計(jì)時(shí),考慮系統(tǒng)內(nèi)存帶寬的需求,采用兩組片內(nèi)eDRAM的方式,芯片內(nèi)的主設(shè)備如DSP,若其指令和數(shù)據(jù)分別存放在不同的eDRAM內(nèi),則可并行讀取指令和數(shù)據(jù),大大縮短了內(nèi)存訪問延遲,提高了系統(tǒng)的性能。此外eDRAM提供了正常讀寫、Standby、Self Refresh和power down多種功耗模式,可根據(jù)系統(tǒng)場景來切換。
230 MHz頻段系統(tǒng)資源呈無規(guī)則、梳狀結(jié)構(gòu),頻點(diǎn)分布離散。芯片獨(dú)有的中頻模塊接收來自前端射頻芯片出來的數(shù)據(jù),由于頻譜的不連續(xù)性,中頻模塊將會(huì)進(jìn)行兩級混頻、下采樣及濾波操作,從射頻接收的數(shù)據(jù)中抽取出對應(yīng)頻點(diǎn)的數(shù)據(jù),經(jīng)中頻內(nèi)置的DMA模塊經(jīng)總線送到eDRAM中,同時(shí)發(fā)送中斷通知DSP來做進(jìn)一步處理。上行鏈路和下行鏈路相似,但是一個(gè)相反的過程。同時(shí)中頻模塊采用乘法器時(shí)分復(fù)用的高階數(shù)字濾波器,可對帶外的干擾信號進(jìn)行很好的抑制,以很小電路面積來保證系統(tǒng)的性能。由于芯片支持的TDD模式,收發(fā)不會(huì)同時(shí)進(jìn)行,故中頻模塊可在自身收發(fā)時(shí)序控制下采用數(shù)據(jù)流驅(qū)動(dòng)的時(shí)鐘門控技術(shù),動(dòng)態(tài)地開關(guān)上下行數(shù)據(jù)鏈路的時(shí)鐘,以達(dá)到減少功耗的目的。
LTE230采用和4G LTE相同的物理層信道編解碼方式,其物理層下行共享信道PDSCH采用的是Turbo碼,Turbo譯碼算法運(yùn)算量很大;同時(shí)由于LTE230須支持40個(gè)離散頻點(diǎn),依靠DSP軟譯碼的方式對MIPS要求太高,故芯片中內(nèi)置了硬件加速器Turbo Decoder。Turbo Decoder支持鏈表的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),可在一次配置后進(jìn)行多個(gè)頻點(diǎn)、多個(gè)碼塊的譯碼操作,其間無須DSP干預(yù)。
3 芯片應(yīng)用
針對電力大、小帶寬業(yè)務(wù)的特點(diǎn),應(yīng)用LTE230芯片,可開發(fā)兩類終端產(chǎn)品:LTE通信模塊(LTE Communication Module,簡稱LCM)和用戶終端設(shè)備(Customer Premises Equipment,簡稱CPE)[1]。LCM終端強(qiáng)調(diào)的是低功耗、低成本、小體積,CPE終端側(cè)重的是高性能。
LCM硬件平臺(tái)如圖3所示,提供UART業(yè)務(wù)物理接口,支持的頻點(diǎn)通常為1~8個(gè),有效數(shù)據(jù)速率一般為幾十千比特每秒到一百多千比特每秒,可滿足窄帶數(shù)傳、遠(yuǎn)程控制通信等低速率的無線通信需求。
CPE硬件平臺(tái)如圖4所示,配備UART、10/100 M自適應(yīng)以太網(wǎng)等業(yè)務(wù)物理接口,最大支持40個(gè)頻點(diǎn),上、下等峰值速率分別為1.76 Mb/s和0.71 Mb/s,主要用于承載視頻監(jiān)控等高速數(shù)據(jù)傳輸。
實(shí)際應(yīng)用中,90%以上的終端數(shù)量是LCM,成本和功耗是一個(gè)重要的考慮因素,在硬件實(shí)現(xiàn)時(shí)盡量簡單,采用LTE230芯片+射頻RF芯片的方案。LTE230芯片的一個(gè)串口用于調(diào)試,另一個(gè)串口用來和電力終端進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。操作系統(tǒng)和基帶處理軟件在系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)通過BootCode從片外SPI Flash存儲(chǔ)器加載到芯片內(nèi)部的TCM和eDRAM存儲(chǔ)器中。LTE230 的DSP運(yùn)行實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)Nucleus,且其基帶處理除物理層(PHY)時(shí)域部分 (含載波聚合)是用中頻模塊硬件電路實(shí)現(xiàn)的,其余的物理層的頻域處理和比特級/符號級處理、協(xié)議層的媒體訪問控制(MAC)和無線資源控制(RRC)[4]、網(wǎng)絡(luò)層的TCP/IP協(xié)議、射頻前端收發(fā)配置以及芯片內(nèi)外大量設(shè)備的管理都是用DSP軟件來實(shí)現(xiàn)。
在高性能的CPE平臺(tái)中,支持的數(shù)據(jù)速率高,單DSP方案無法提高足夠的處理能力,故在LCM平臺(tái)的基礎(chǔ)上,外加一個(gè)高性能低功耗的基于ARM Cortex M3的 MCU(考慮到市場上MCU的成熟度及內(nèi)嵌Flash工藝的特殊性,芯片未集成MCU)。LTE230芯片專注于基帶物理層的處理,協(xié)議層和網(wǎng)絡(luò)層的處理由MCU來完成。MCU和DSP運(yùn)行相同實(shí)時(shí)操作系統(tǒng),通過SPI控制器交換物理層傳輸信道(Transport Channels)[4]的數(shù)據(jù)。MCU內(nèi)嵌大容量Flash存儲(chǔ)器,可用來存儲(chǔ)MCU及DSP的整個(gè)軟件系統(tǒng),無需外接SPI Flash存儲(chǔ)器。在系統(tǒng)初始化時(shí),MCU可在DSP的BootCode配合下,通過SPI接口將DSP所需軟件下載到LTE230芯片的TCM和eDRAM存儲(chǔ)器中。
4 結(jié)論
基于LTE230無線通信基帶芯片的LCM和CPE的軟硬件平臺(tái)已進(jìn)行了初步的原型驗(yàn)證,結(jié)果表明,在成本、功耗、軟硬系統(tǒng)維護(hù)及升級便利性等方面,相比于現(xiàn)有的基于“ADI DSP+FPGA+DDR”的LCM終端平臺(tái)和基于“TI OMAP處理器+FPGA+DDR”的CPE終端平臺(tái),有著明顯的優(yōu)勢,這對加速智能電網(wǎng)中LTE230電力無線通信系統(tǒng)的建設(shè)有著重要的參考意義。
參考文獻(xiàn)
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