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臺積進(jìn)擊7納米 力壓英特爾

2015-12-04
關(guān)鍵詞: 臺積電 漢微科 SRAM 英特爾

       臺積電共同執(zhí)行長劉德音昨(3)日首次揭露,臺積電7奈米將于2017年第2季試產(chǎn),并向供應(yīng)鏈喊話共同合作,全力投入5奈米研發(fā),向挑戰(zhàn)全球半導(dǎo)體霸主地位邁進(jìn)。

  劉德音昨天是在主持臺積電供應(yīng)鏈管理論壇時,向到場的逾600名來自全球的設(shè)備及材料供應(yīng)商揭露臺積電先進(jìn)制程最新藍(lán)圖。法人認(rèn)為,臺積電先進(jìn)制程演進(jìn)速度快,漢微科等高階設(shè)備廠,將扮演重要的助攻角色。

  臺積電截至目前已量產(chǎn)的16奈米,進(jìn)度都落后英特爾,在下一世代的10奈米,臺積電首度超車,將在明年初開始試產(chǎn),明年下半年開始量產(chǎn),比英特爾2017年量產(chǎn)的時間快至少六個月。

  在昨天之前,臺積電均未透露7奈米確切的試產(chǎn)時間,更從未提及5奈米。劉德音昨天首度披露臺積電7奈米將于2017年第2季試產(chǎn),并已投入5奈米研發(fā)。

  業(yè)界認(rèn)為,此舉象征臺積電“就是要比對手快”,未來蘋果、輝達(dá)等大客戶要在最快的時間內(nèi)使用最新的制程,“一定要找臺積電”。臺積電藉此可持續(xù)拓展高階制程市占,提升獲利能力。

  劉德音說,臺積電已成功以7奈米制程產(chǎn)出靜態(tài)存取記憶體(SRAM),打臉先前自稱以10奈米產(chǎn)出SRAM的三星。他強(qiáng)調(diào),7奈米預(yù)定2017年第2季完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape out),和10奈米制程只差五季。

  依此時程推算,臺積電明年初就會啟動10奈米試產(chǎn),因此從今年第4季起密集采購10奈米生產(chǎn)線相關(guān)設(shè)備,以利明年第1季啟動10奈米試產(chǎn)。

  至于明年挹注營收的主力制程16奈米,劉德音強(qiáng)調(diào),到今年底共有27個產(chǎn)品完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案,預(yù)估到明年底將達(dá)到100個,有助臺積電提升市占率;臺積電今年在全球晶圓代工市占率將達(dá)到54%,持續(xù)獨(dú)霸全球。

   臺 積電先前下修今年資本支出到80億美元,稍早劉德音接受外電專訪時透露,明年資本支出將超過今年,設(shè)備商推估將逾百億美元,甚至達(dá)120億美元,創(chuàng)歷史新高,凸顯臺積電投入7奈米先進(jìn)制程研發(fā)、增加16奈米產(chǎn)能、布建10奈米試產(chǎn)線,明年幾乎三路并進(jìn),卯足全勁,要超越英特爾。

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