《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電源技術(shù) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

2015-09-18

       中國(guó),2015年9月16日——意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET? F7系列將新增60V的產(chǎn)品線,可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺(tái)式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽(yáng)能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,最大限度提升電源功率密度。

ST新聞稿9月16日 圖片——意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制.jpg

       STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開(kāi)關(guān)性能,還簡(jiǎn)化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)(trench-gate structure),實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量,并取得優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)(RDS(ON) x Qg)。此外,本征體二極管的恢復(fù)電荷(recovery charge)很低,有助于提高開(kāi)關(guān)性能。高雪崩耐量確保在惡劣條件下保持性能穩(wěn)健,反向傳輸電容對(duì)輸入電容(Crss/Ciss)的比值低,有助于強(qiáng)化抗電磁干擾(EMI immunity)。

       意法半導(dǎo)體的60V STripFET F7 MOSFET是為同步整流(synchronous rectification)電路定制,能夠以更少的并聯(lián)器件達(dá)到最大目標(biāo)電流,以此提高功率密度、降低元器件使用數(shù)量。該系列共有12款產(chǎn)品,覆蓋了所有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電源,最大輸出電流從90A到260A(在Tc=25°C下,硅限制連續(xù)漏極電流)。新產(chǎn)品提供多個(gè)封裝選擇,包括PowerFLAT? 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、雙引腳或六引腳H2PAK。

       所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)(包括采用PowerFLAT 5x6封裝的90A STL90N6F7)。

關(guān)于意法半導(dǎo)體

       意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics; ST)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,提供創(chuàng)新先進(jìn)的產(chǎn)品及解決方案,為人們帶來(lái)更智能且具有更高能效的電子產(chǎn)品,提升日常生活的便利性。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品無(wú)處不在,致力于與客戶共同努力實(shí)現(xiàn)智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居,以及下一代移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體主張智能科技引領(lǐng)智慧生活(life.augmented)的理念。

       意法半導(dǎo)體2014年凈收入74.0億美元,在全球各地?fù)碛?0萬(wàn)客戶。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。