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意法半導體(ST)新功率MOSFET實現(xiàn)近乎完美的開關性能

2015-09-15

       中國,2015年9月14日——市場人氣頗高的意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)MDmesh? M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員,新系列產品能夠為服務器、筆記本電腦、電信設備及消費電子產品電源提供業(yè)內最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節(jié)能效果尤為顯著,讓設計人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關式電源,同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。

ST新聞稿9月14日 圖片——意法半導體(ST)新功率MOSFET實現(xiàn)近乎完美的開關性能.JPG

       新款600V MDmesh M2 EP產品整合意法半導體經(jīng)過市場檢驗的條形布局(strip layout)和全新改進的垂直結構和優(yōu)化的擴散工藝(diffusion process),擁有接近理想的開關設計,包括超低的導通電阻和最低的關斷開關損耗,是特別為甚高頻功率轉換器(f>150 kHz)專門設計,為要求最嚴格的電源供應器(PSU, Power Supply Unit)的理想選擇。

       硬開關和軟開關電路拓撲均適用,包括諧振拓撲(resonant topologies),例如LLC諧振,新器件的開關損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除MDmesh M2產品的共性柵電荷量(Qg)極低外,M2 EP產品的關斷能量(Eoff)還可降低20%,而在硬開關轉換器中,關斷開關損耗同樣降低20%。在低電流范圍內降低Eoff損耗,有助于提高低負載能效,進而幫助電源廠商順利達到日益嚴格的能效認證要求。

       改進后的關斷波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉換器的能效,降低噪聲,每周期回收再利用更多的電能,而不是以散熱的形式浪費掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性包括:

· 極低的Qg(低至16 nC)

· 針對輕負載條件優(yōu)化電容曲線(capacitance profile)

· 針對軟件開關優(yōu)化Vth和Rg參數(shù)

· 穩(wěn)健的本體二極管(body diode)

       MDmesh M2 EP系列瞄準需要高能效的電源應用,提供多種封裝選擇(PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP, TO-247),所有產品均已量產。

關于意法半導體

       意法半導體(STMicroelectronics; ST)是全球領先的半導體公司,提供創(chuàng)新先進的產品及解決方案,為人們帶來更智能且具有更高能效的電子產品,提升日常生活的便利性。意法半導體的產品無處不在,致力于與客戶共同努力實現(xiàn)智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居,以及下一代移動和物聯(lián)網(wǎng)產品。意法半導體主張智能科技引領智慧生活(life.augmented)的理念。

       意法半導體2014年凈收入74.0億美元,在全球各地擁有10萬客戶。


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